直播卫星接收机用的GaAs单片微波集成电路

采用GaAs单片微波集成电路(MMIC)技术,研制出用于直播卫星(DBS)家庭接收机的12GHz低噪声放大器(LNA)、1GHz中频放大器(JFA)以及11GHz介质谐振振荡器(DRO)。每一个单片集成电路芯片都包含有源元件FET,以及单电源工作所需的自偏置源电阻和旁路电容。它还包含隔直电容和射频旁路电容。三级LNA在11.7～12.2GHz范围内具有3.4dB噪声系数和19.5dB增益。三级负反馈型的IFA在0.5～1.5GHz范围内,其噪声系数和增益分别为3.9dB和23dB。介质谐振振荡器(DRO)在10.67GHz频率上给出10mW的输出功率,在-40～+80℃的温度范围内频率稳定度为1.5MHz。由这些单片微波集成电路(MMIC)构成的直播卫星接收机,在11.7～12.2GHz内总噪声系数≤4dB。     

一种新型的利用微带耦合传输模式介质振荡器的低噪声下变频器

本文介绍用于微波下行线路的低噪声下变频器。该电路采用硅双极复合晶体管对作有源器件,用介质谐振器作反馈,频带为0.6～1.8GHz,噪声系数为4.57dB,变频增益为7dB。     

GaAs毫米波电路将进入实用阶段

据报导,在不久前举行的微波和毫米波单片电路国际会议上,得克萨斯仪器公司等不少厂家认为,GaAs毫米波集成电路已趋于成熟,很快将会进入实用阶段。与会者以12GHz DBS接收机前端用的GaAs毫米波电路为例说明了这一点。这种电路由1个低噪声放大器、1个双栅FET混频器以及1个稳定的本机振荡器组成。放大器的噪声为3.6dB、增益为7.3dB,覆盖了11.7～12.5GHz的频段;混频器的噪     

硅双极晶体管和集成电路继续在发展

硅双极晶体管是现在公认的最佳微波器件,被广泛用于直到6GHz的各种小信号和功率放大器以及直到18GHz的振荡器。制造技术的较大进步使成本显著降低,同时改善了分立硅晶体管的均匀性,使应用于1GHz以上频率的实用的微波单片集成电路(MMIC)和高速数字集成电路能大批生产。本文提供了市售微波晶体管的设计、一般特性和性能的概述,并且给出能用于微波频率的实际硅单片集成电路状况的最新资料。     

最新AV集成电路报道

TDA8060零中频QPSK下变频器IC 飞利浦公司最近推出世界上第一种用于数字卫星广播接收机的零中频QPSK(正交移相键控)下变频器IC,它直接处理卫星抛物面天线的输出信号,省去了卫星频率混频/振荡器、中频带通滤波器和中频放大器,使DVB(数字视频广播)和DBS(数字广播卫星)接收机只需使用3只低价IC即可起到目前5只以上IC才能起到的作用。不仅降低了器件成本,还省去了中放级调试,其总的生产成本节约量可高达30％,设备体积也减小了。     

使用双栅MES FET自本振混频器的12GHz接收机

本文报导的混合集成12GHz接收机电路由两个单栅FET构成前置放大器,一个双栅FET构成振荡器和混频器。电路含有全接收机功能,包括镜频抑制、中频匹配、振荡器稳频和全部FET偏置电路。电路中没有中频放大器。接收机集成在25.4×50.8mm~2氧化铝基片上。在400MHz带宽内变频增益达12～18dB,最佳噪声系数为4.5～5dB。     

一种低功耗245GHz次谐波接收机

介绍了一种应用于气体频谱分析传感器的低功耗245 GHz次谐波接收机,该接收机具有低功耗、高线性度和高集成度的特点.该接收机由四级共基极低噪声放大器、二次次谐波无源反接并联二极管对(APDP)混频器、120GHz推推型压控振荡器-分频器链路、120 GHz功率放大器和中频放大器构成,采用了特征频率为300 GHz、最大振荡频率为500 GHz的锗硅BiCMOS工艺实现.该接收机芯片实现了10.6 dB的转换增益和13 GHz的带宽,噪声系数为20 dB,输入1dB压缩点仿真结果为-9 dBm,接收机如果不包括120 GHz压控振荡器-功率放大器链路功耗为99.6 mW,接收机包括120 GHz压控振荡器-功率放大器链路功耗为312 mW.     

一种应用微带耦合传输模介质谐振器的新型低噪声下变频器系统

本文介绍了一种微波下行线路用的低噪声下变频器系统。虽然大多数自本振混频器是用单栅MESFET和双栅FET制成的,但是这儿所描述的电路是采用硅双极达林顿对作为有源器件和介质谐振器作为反馈的。这种类型的下变频器已经实现;并且在0.6～1.8GHz的中频带宽内具有4.57dB的低噪声值和7dB的变频增益。     

集成GPS下变频器

Motorola公司的MRFIC1502是一款1.575GHz GPS下变频器，是为GPS接收机应用设计的。其双变频设计是用公司的低成本高性能MOSAIC3硅双极工艺实现的。片上除混频器外，还集成有VCO(压控振荡器)、PLL(锁相环)和环滤波器，其功能框图示于图1。其输出IF通常为9.5MHz，最小变频增益为65dB，5V工作，典型耗电50mA，封装为低成本表面贴装TQFP-48。应用连线图见图1。下面简介其应用考虑。设计方法MRFIC1502设计是标准的双下变频器配置，用一个集成频率锁相环，构成两个本机振荡器和缓冲器，为数字相关器和分样器产生取样时钟。L波段…     

30GHz单片接收机

已经研制成功30GHz接收机用的几种单片集成电路.低噪声放大器芯片在14dB增益时噪声系数为7.dB,中频放大器在30dB控制范围内,增益为13dB.混频器和移相器变频损耗和插入损耗分别为10.5dB和1.6dB.     

用于卫星数字视频广播的新型QPSK解调器

西门子宣布开发出用于放大和解调QPSK(正交相移键控)调制信号的新型射频集成电路。这种TDA6180X是专门开发用于数字视频广播卫星接收器的,它将频率在300至600兆赫之间的信号转换成I和Q级的模拟信号。 TDA6180X将QPSK输入放大器的功能与自动增益控制器(AGC)、振荡器和QPSK解调器的功能结合在一起。     

基于T形阳极GaAs肖特基二极管薄膜集成电路工艺的664 GHz次谐波混频器（英文）

报道了用于冰云探测的基于0.5μm T形阳极砷化镓肖特基二极管薄膜集成电路工艺664 GHz次谐波混频器。为降低器件寄生参数,提升太赫兹频段电路性能,设计并分析了了T形阳极GaAs SBD器件结构,开发了厚度仅5μm的薄膜电路工艺。混频器芯片组装成664 GHz接收模块,经测试室温下664 GHz最小双边带变频损耗达到9.9 dB。     

基于T形阳极GaAs肖特基二极管薄膜集成电路工艺的664 GHz次谐波混频器

报道了用于冰云探测的基于0.5 μm T形阳极砷化镓肖特基二极管薄膜集成电路工艺664 GHz次谐波混频器。为降低器件寄生参数,提升太赫兹频段电路性能,设计并分析了了T形阳极GaAs SBD器件结构,开发了厚度仅5 μm的薄膜电路工艺。混频器芯片组装成664 GHz接收模块,经测试室温下664 GHz最小双边带变频损耗达到 9.9 dB。     

快速建立振荡的低噪声Ku波段基频双极压控振荡器

本文讨论在Ku波段(15～18GHz和12～15GHz)上快速建立振荡的基频输出压控振荡器,它是用硅双极晶体管和硅变容二极管构成。这些振荡器输出频率建立时间在2μs以内,最终频率在±1MHz范围内。在载波100kHz频率跨度、16.2GHz下测得相位噪声为-93dBc/Hz。     

用于气体频谱分析传感器的245 GHz次谐波接收机

提出了一种用于气体频谱分析传感器的混频器优先的245 GHz次谐波接收机。该接收机具有高线性度、高带宽、低噪声系数、低功耗和高集成度的特点。该接收机由2次无源反接并联二极管对(APDP)次谐波混频器、120 GHz推推型压控振荡器-分频器链路和120 GHz功率放大器构成。采用特征频率/最大振荡频率为300 GHz/500 GHz的SiGe BiCMOS工艺进行实现。结果表明,该接收机芯片的转换增益为-16 dB,带宽为14 GHz,单边带噪声系数为19 dB,输入1 dB压缩点为0 dBm,功耗为213 mW。     

Ku波段GaAs单片接收机

报道了工作频率分别为10.7-11．6GHz和11．7－12．2GHzGaAs单片接收机的研制结果。接收机并包括四种电路，即低噪声效大器、介质稳频振荡器、混频器和中频放大器。电路均采用GaAs全离子注入平面工艺创作，并封装在金属管壳内测试．10．7－11．6GHz接收机的噪声系数达到3．5dB，增益大于35dB；11．7－12.2GHz接收机的噪声系数可达到4dB，增益大于31dB。     

SiC MESFET微波功率测试技术

对SiC MESFET的微波测试技术进行了分析,并针对这一采用第三代半导体材料研制的器件,结合硅微波双极功率晶体管和GaAs MESFET的测试技术,建立了SiC MESFET的微波测试系统,完成了2GHz工作频率下瓦级功率输出SiC MESFET的测试,功率增益大于6dB,器件的fT为6.7GHz,fmax达25GHz.     

SiC MESFET微波功率测试技术

对SiC MESFET的微波测试技术进行了分析,并针对这一采用第三代半导体材料研制的器件,结合硅微波双极功率晶体管和GaAs MESFET的测试技术,建立了SiC MESFET的微波测试系统,完成了2GHz工作频率下瓦级功率输出SiC MESFET的测试,功率增益大于6dB,器件的fT为6.7GHz,fmax达25GHz.     

SiC MESFET微波功率测试技术

对SiC MESFET的微波测试技术进行了分析，并针对这一采用第三代半导体材料研制的器件，结合硅微波双极功率晶体管和GaAs MESFET的测试技术，建立了SiC MESFET的微波测试系统，完成了2GHz工作频率下瓦级功率输出SiC MESFET的测试，功率增益大于6dB，器件的fT为6.7GHz, fmax达25GHz.     

英飞凌制造出SiGe∶C基RF晶体管

英飞凌公司透露了他们用SiGe∶C工艺技术制造RF半导体器件。这种SiGe∶C技术是英飞凌公司最新一代HBT的基础,它使得硅基分立晶体管的噪声系数在6GHz下仅0.75dB,6GHz下的增益高至19dB。英飞凌的RF晶体管的典型过渡频率为42GHz,1.8GHz下的噪声系数0.5dB,6GHz下0.75dB。这些器件1.8GHz下的最大稳定功率增益Gms为28dB,6GHz下最大可用功率增益Gma典型值为19dB,它们可用于宽RF频段和无线用途,如无线局域网(WLAN)。该公司的HBT芯片还具有金金属化的特点。英飞凌制造出SiGe∶C基RF晶体管@陈裕权…