低温共烧陶瓷{\bf (LTCC)}技术在材料学上的进展

低温共烧陶瓷（LTCC）技术是近年发展起来的令人瞩目的整合组件技术，已经成为无源集成的主流技术，成为无源元件领域的发展方向和新的元件产业的经济增长点．本文叙述了低温共烧陶瓷技术（LTCC）的特点、制备工艺、材料制备相关技术和国内外研究现状以及未来发展趋势．     

低温共烧陶瓷(LTCC)材料的应用及研究现状

主要概述了低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramics,简称LTCC)材料的应用和研究现状,认为利用低温共烧陶瓷技术将多种元器件复合或将其集成在多层陶瓷基板中是今后信息功能陶瓷发展的一个重要方向,在我国应大力发展具有自主知识产权的LTCC技术.     

LTCC异质材料匹配共烧研究

采用低温共烧陶瓷(LTCC)介电/铁氧体复合异质材料是制备小型化多层片式EMI滤波器的关键,但实现异质材料的匹配共烧一直是研究的难点.通过调整流延配方和优化流延工艺,介质材料掺杂改性及采用三明治结构等方法对异质材料的共烧匹配性进行合理有效地调制,解决了异质材料低温共烧匹配技术难点,实现了LTCC异质材料良好的共烧兼容特...     

金粉对LTCC通孔金浆料共烧的影响

采用不同形貌的金粉分别制成LTCC通孔金浆料,将通孔金浆料与A6生瓷片进行填孔共烧。测试了共烧后金浆料的突出高度,观察了金浆料与生瓷片烧结界面形貌及金浆料的烧结致密性。实验结果表明,金粉形貌为类球型且粒径集中时,金浆料共烧后表面突出高度小于10μm,与生瓷片烧结匹配良好,且烧结金层致密。     

铝基碳化硅增强材料(Al/SiC)和低温共烧陶瓷(LTCC)的钎焊

铝基碳化硅增强材料 (Al/SiC)和低温共烧陶瓷 (LTCC)适合高性能微波电路的高密度组装 .对这两种材料进行焊接时 ,温度和气氛对基材的焊接性能影响很大 .铝基碳化硅增强材料的镀层在焊接温度时容易发生氧化 ,低温共烧陶瓷的厚膜导体在真空加热和高温还原性气体的条件下焊接性劣化 .采用金基钎料中温钎焊时 ,优质的焊料和合理的焊接工艺是获得优质焊缝的关键 .     

低温共烧陶瓷发展进程及研究热点

低温共烧陶瓷(LTCC)是现代微电子封装中重要的研究分支,主要用于高速、高频系统。介绍了低温共烧陶瓷的发展历程及其中包含的若干重大研究热点,如铜布线工艺、收缩率匹配、LTCC散热等。     

微波介质陶瓷低温共烧技术的研究进展

介绍了低温共烧陶瓷技术(LTCC)的特点及低温共烧技术对微波介质陶瓷的性能要求.总结了微波介质陶瓷实现低温共烧的主要方法,详细综述了典型微波介质陶瓷低温共烧技术的研究进展,指出了其目前存在的问题,并针对微波介质陶瓷低温共烧技术的发展方向提出了看法.     

低温共烧陶瓷无源集成技术及其应用

低温共烧陶瓷技术是近年发展起来的令人瞩目的整合组件技术,已经成为无源集成的主流技术,成为无源元件领域的发展方向和新元件产业的经济增长点.介绍了目前LTCC无源集成技术及其国内外研究动态和应用前景.     

低温共烧多层AlN陶瓷基片

介绍由高热导率ＡｌＮ陶瓷与金属Ｗ制备的低温共烧多层ＡｌＮ基片，研究了以Ｄｙ２Ｏ３为主的添加系统对低温烧结ＡｌＮ性能，显微结构的影响。     

低温共烧氧化铝/玻璃复合基板材料的研究

以低软化点的钙硼硅酸盐玻璃和氧化铝粉末为原料,制备了氧化铝/玻璃低温共烧复合基板材料。所需的玻璃粉体采用溶胶-凝胶法制备。研究了烧结温度和氧化铝含量对复合材料的烧结特性、介电性能以及力学性能的影响。结果表明,当氧化铝质量分数为50%,复合材料经950℃、保温2 h烧结后,其εr=5.92,tanδ=5.7×10-4,ρ=1012Ω.cm,抗弯强度σ=167.82 MPa,热膨胀系数α=4.86×10-6/℃,可望作为低温共烧多层陶瓷基板材料应用。     

一种低温共烧AlN陶瓷基片的排胶技术

介绍一种由高热导率AlN陶瓷和金属W共烧制备低温AlN陶瓷基片的排胶技术．研究了排胶过程中残余碳对AlN陶瓷基片相组成、烧结特性和微观结构的影响．结果表明：两步排胶法可以较好地解决W氧化及AlN陶瓷颗粒表面吸附残余碳的问题．     

低温共烧氮化铝复合材料基板的银金属化研究

基于氮化铝陶瓷基片厚膜导体浆料理论，开发出应用于低温共烧氮化铝流延坯、硼硅酸盐玻璃粘结相的银浆，并系统研究了共烧过程，解决了常见的导线球化问题。成功地进行了3层氮化铝复合材料基板的低温共烧银金属布线。     

一种低温共烧压电陶瓷的制备

压电陶瓷多层膜的低温共烧特性及压电性能密切依赖于其成分。采用调节压电材料成分,以0.90Pb(Zr0.48Ti0.52)O3-0.05Pb(Mn1/3Sb2/3)O3-0.05Pb(Zn1/3Nb2/3)O3四元体系为研究对象,同时添加烧结助剂CuO来实现多层膜的低温烧结。对多层膜的流延、排胶、烧结、极化等工艺进行探索以优化工艺参数,最终获得850℃烧结温度下的高致密度多层压电陶瓷。压电性能的测试表明三层结构的压电多层膜陶瓷表观d33达873pC/N,远高于同成分单层陶瓷306 pC/N的d33值。采用多普勒激光测振仪进行扫频实验,测定了多层陶瓷纵向振动速度的频谱,确定了基于该多层膜压电振子的最优谐振频率。     

助熔剂BBSZ对M型钡铁氧体的低温共烧改性研究

研究了助熔剂BBSZ对M型钡铁氧体的低温共烧改性。结果表明,添加适量的BBSZ助烧剂可以使钡铁氧体材料在900℃完成烧结,所得样品具有较好的致密化结构。当BBSZ的掺入量为2%时(质量分数),材料的磁特性较好,完全实现了M型钡铁氧体的低温烧结,磁性参数值有一定改善。     

低温共烧玻璃陶瓷基板烧结过程分析Ⅰ低温区有机物的分解及变化

利用傅立叶红外谱仪（FTIR）对低温共烧玻璃陶瓷基板排胶过程中有机物的分解情况和分解产物进行了分析。利用TGA、DTA对基板吸热、放热和热失重情况进行了研究。结果表明：小分子有机物在室温阶段已挥发殆尽。高分子有机物PVB在200－360℃温度区间发生侧链和主甸的脱离和断裂，与空气反应生成CO2、水蒸汽、丁醛等产物。由于PVB的分解，基板颗粒仅以几何方式堆积，基板没有机械强度。     

Ca-Al-Si系低温共烧陶瓷(LTCC)性能研究

设计并制备满足LTCC性能要求的Ca-Al-Si系微晶玻璃。利用流延法制备生瓷带并进行等静压、烧结。对烧结后的样品进行各项性能测试,测试结果为抗弯强度110MPa(三点弯曲),热导率2.62W/m.K,介电常数6.13(1MHz),介质损耗2.57×10-3(1MHz),主要性能达到LTCC对基板材料的要求。     

MCM低温共烧多层陶瓷布线基板热应力的模拟与分析

对MCM低温共烧多层布线陶瓷基板的两种典型布线模式在温度急剧变化条件下的应力场进行了计算机模拟，并分析了两种模型下的应力分布特点及差异。     

低温共烧陶瓷技术(LTCC)与低介电常数微波介质陶瓷

简述了低温共烧陶瓷技术(LTCC)的特点及微波介质陶瓷实现低温共烧的性能要求,重点介绍了LTCC低介电常数微波介质陶瓷的分类及微波介电性能,分析和讨论了LTCC低介电常数微波介质陶瓷存在的问题,针对LTCC低介电常数陶瓷材料今后的发展方向提出了自己的看法。     

PNN基铁电陶瓷/NiZnCu铁氧体叠层低温共烧行为的研究

采用流延成型工艺制备了Pb(Ni_1/3Nb_2/3)O₃基铁电陶瓷与NiZnCu铁氧体叠层复合体,研究了两种材料的低温共烧兼容特性,结果表明,两种材料之间不会发生化学反应产生新的物相,二者具有良好的化学相容性;两种材料于950℃下烧结可获得无翘曲变形、无分层开裂、界面结合良好的叠层共烧体;对叠层共烧体微观组织结构分析表明,靠近界面处介电材料晶粒尺寸与远离界面处晶粒尺寸有差别,提出差别因子d_D参数用于表征界面处微观组织形态的变化;对叠层共烧体进行淬火实验表明两种材料可以良好的共烧在一起,并形成强结合的界面.     

低温烧结Al2O3-硅酸盐玻璃系玻璃陶瓷的制备和性能研究

采用Al2O3-硅酸盐玻璃复合体系制备低温烧结玻璃陶瓷，通过TG-DTA、XRD、SEM等分析方法对样品进行表征，随着玻璃含量的增加玻璃陶瓷的烧结温度逐渐降低，在玻璃含量约为50％（质量分数）时玻璃陶瓷的热导率达到最大值2．70W/m·K，此时的玻璃陶瓷具有低的烧结温度（800℃）、高的相对密度（≥95％）、低的电容率（8～10）、低的介电损耗（1．5％～0．7％），有望成为LED封装用基板材料。