GS-DFB半导体激光器的光自注入技术

报道了一种光脉冲自注入的新方法 ,它能使增益开关 DFB激光器输出光脉冲的时间抖动从 5.7ps减小到 1.2 ps,分析了注入光延迟时间及功率对时间抖动的影响 ,指出为取得抑制时间抖动的最佳效果 ,必须选择合适的反馈光脉冲延迟时间和适当的反馈光功率。实验中观察到在增益开关 DFB激光器光脉冲建立期间注入反馈光时 ,输出光脉冲会发生严重畸变。     

增益开关半导体激光器的三级脉冲整形方案

增益开关半导体激光器产生的光脉冲宽度往往较宽,且具有一定大小的脉冲基座。为了提高增益开关半导体激光器的脉冲质量,提出了一种三级脉冲整形方案。首先,利用色散补偿光纤将增益开关半导体激光器输出的光脉冲宽度从39.381 ps压缩到26.681 ps,随后利用掺铒光纤放大器和色散位移光纤的高阶孤子效应进一步将光脉冲的宽度压缩到20.916 ps,最后利用半导体光放大器的自相位调制效应区分开脉冲基座与脉冲中心的光谱,并利用光滤波器滤除脉冲基座对应的光谱部分,从而消减脉冲基座,并将脉冲宽度压缩到18.497 ps。实验结果表明,该三级脉冲整形方案可以有效地压缩脉冲宽度以及减小脉冲基座,从而提高增益开关半导体激光器输出光脉冲的质量。     

高消光比超短脉冲产生的实验研究

实验研究了一种高消光比短脉冲的产生技术。利用色散补偿光纤线性压缩由增益开关分布反馈激光器出射的光脉冲。而后利用电吸收调制器的非线性吸收特性同步调制光脉冲。利用这种方法在实验上产生了重复频率为10GHz，脉宽为10．4ps，抖动小，高消光比，无基座的短脉冲。此种技术可以应用于40Gbit／s的光时分复用系统中，同时也说明电吸收调制器具有同号脉冲整形功能。     

利用DCF,DSF和ED-NALM获得无基座超短光脉冲的设计方案

提出了一种利用色散补偿光纤(DCF)、色散位移光纤(DSF)和非线性掺铒光纤放大环镜(EDNALM)对增益开关分布反馈(GSDFB)半导体激光器产生的啁啾光脉冲进行压缩的方案。数值模拟的结果表明,利用此方案可将GSDFB半导体激光器产生的脉冲宽度(半极大全宽度)为30ps的啁啾光脉冲压缩为180fs的无基座超短脉冲。     

增益开关半导体激光器产生高重复率的ps光脉冲

本文报道用增益开关1.3μm InGaAsP半导体激光器产生 ps光脉冲,光脉冲宽度(FW·HM)随频率在 16—23 ps之间变化,重复频率在 1—5 GHz范围连续可调.     

1.5μm高重复率超短光脉冲的产生

利用增益开关技术产生了1.5μm波长的高重复率超短光脉冲,其重复率从2.2GHz到3.5GHz,脉宽小于50ps。     

10GHz低抖动增益开关DFB激光器

采用国产管芯,利用增益开关效应获得了10GHz超短光脉冲.利用自注入的方法,采用最简单的结构,减小了增益开关DFB激光器光脉冲的时间抖动,使10GHz光脉冲的时间抖动小于840fs.研究了光脉冲抖动量对温度变化及微波驱动频率的敏感性.利用线性压缩和梳状色散渐减光纤链获得10GHz、5ps无基座光脉冲.     

10GHz低抖动增益开关DFB激光器

采用国产管芯,利用增益开关效应获得了10GHz超短光脉冲.利用自注入的方法,采用最简单的结构,减小了增益开关DFB激光器光脉冲的时间抖动,使10GHz光脉冲的时间抖动小于840fs.研究了光脉冲抖动量对温度变化及微波驱动频率的敏感性.利用线性压缩和梳状色散渐减光纤链获得10GHz、5ps无基座光脉冲.     

10GHz低抖动增益开关DFB激光器

采用国产管芯 ,利用增益开关效应获得了 10 GHz超短光脉冲 .利用自注入的方法 ,采用最简单的结构 ,减小了增益开关 DFB激光器光脉冲的时间抖动 ,使 10 GHz光脉冲的时间抖动小于 840 fs.研究了光脉冲抖动量对温度变化及微波驱动频率的敏感性 .利用线性压缩和梳状色散渐减光纤链获得 10 GHz、 5 ps无基座光脉冲     

可调谐双波长低抖动增益开关光脉冲的产生

提出了一种产生可调谐双波长低抖动超短光脉冲的新方法。采用外光注入法来降低增益开关F-P激光脉冲的时间抖动,实现了脉冲光谱的双波长可调谐输出。实验中利用两个多量子阱DFB激光器作为外部种子光源,通过温度控制和偏振态调节使外部种子光有效地耦合到增益开关F-P激光器中,输出的光脉冲时间抖动(均方根)从2.57ps降低至1.06ps,双波长的边模抑制比可达25dB。通过改变DFB激光器和F-P激光器的工作温度,可实现波长从1540nm到1560nm的可调谐输出。     

雪崩模式下的体结构GaAs光导开关

利用能量较低的脉冲激光二极管,在较高场强下触发GaAs光导开关,使其工作于雪崩模式,从而产生纳秒上升前沿的快脉冲电压。GaAs光导开关采用垂直体结构设计,芯片厚度为2 mm,电极形状分别为圆环和圆面,触发光脉冲从圆环穿过。快脉冲产生由同轴Blumlein脉冲形成线完成。对基于GaAs光导开关的同轴Blumlein脉冲线进行了模拟仿真和实验,当充电电压超过8 kV(40 kV/cm)后,开关开始了雪崩工作模式。当充电电压约为15 kV(75 kV/cm)时,在50 Ω负载上获得了约11 kV的脉冲电压,实验波形与仿真波形一致。对开关抖动进行了测试,其测试结果显示开关充电电压对抖动影响很大,随着开关偏压增加,开关抖动减小,开关获得了最小抖动约700 ps。     

激光测试方法与仪器

该ps电脉冲、ps光脉冲相关测量仪用离子辐照损伤SOS片制作的光电导开关作取样门(响应时间∠10ps),用锁模Ar~+激光器同步泵浦染料激光器作激发和取样光源(脉宽∠2ps,     

1.3μm InGaAsP激光器无偏置增益调制产生ps光脉冲

本文通过求解非线性速率方程分析了半导体激光器增益调制产生ps光脉冲的动力学过程。用自制的双雪崩脉冲发生器产生的短电脉冲无偏置直接驱动InGaAsP激光器获得15ps(FWHM)光脉冲。     

由分布反馈产生超短脉冲的染料激光器

分布反馈染料激光器(简称DFDL)是七十年代发展起来的。Kogelnik及Shank等于1971年第一次将分布反馈体现在染料激光器中。经过多年的努力,特别是最近的研究证明DFDL是超短光脉冲产生的一种新途径。Zs.Bor等人用TEA N_2激光器泵浦DFDL获得了6ps的短脉冲输出,用锁模Nd:YAG激光泵浦DFDL产生了1.6～3.5ps转换极限的单脉冲。DFDL廉价、简便,该技术比锁模技术简单可靠,不需特殊的脉冲选择装置就可获得单脉冲,不用调制器就可直接产生微微秒脉冲,即使有几个脉冲,也可利用各脉冲的方向不同,方便地进行空间选取,     

半行波半导体激光放大器超短光脉冲响应及开关特性的实验研究

本文对半行波半导体激光放大器的脉冲响应及开关特性进行了实验研究。脉宽为27ps,重复频率为1GHz的超短光脉冲串通过放大器后脉冲无展宽。当对放大器的注入电流进行调制时,放大器可起到高速光开关的作用。     

利用相位和强度调制器产生高消光比超短光脉冲

提出了一种产生高消光比超短光脉冲的新方法.利用相位调制器调制连续光生成啾啁光,而后利用M-Z强度调制器的倍频调制抑制对压缩不利的啁啾部分的影响,再通过等效啁啾光纤光栅进行压缩产生光脉冲.理论和仿真结果表明,该方法可以很好地消除光脉冲的基底及减小旁辦,产生消光比大于30 dB、波形理想的光脉冲,具有很强的可实现性.最后利用实际制作的色散系数为-380 ps/nm的等效啁啾光纤光栅对该方法进行了实验验证,结果表明,在重复频率为2.5 GHz、相位调制系数为9时,可产生脉宽小于18 ps的高质量光脉冲.     

用OFID方法产生红外超短脉冲

该文报导了一种用光学自由感应衰变产生红外超短脉冲的方法。将混合CO_2激光器产生的单纵模红外脉冲经过等离子体开关得到一个级跃脉冲,然后经过共振吸收池得到了250ps的红外短脉冲。     

GaAs中瞬态二波耦合及其光的偏振——一种实现红外ps光开关的新途径

测量了瞬态二波耦合增益随泵浦光与探测光相对延迟改变而变化的曲线,并分析了瞬态二波耦合中各种过程的特性。预计并观察到了耦合光偏振的改变,证明了ps脉冲二波耦合是一种实现ps光开关的新途径。     

超高速二相RF脉冲调制器设计

在相位编码脉冲压缩雷达中产生超高速的RF调制脉冲是一项关键技术.通常采用PIN开关或GaAs开关来实现,但这种调制器由于受自身机理的影响,开关速度一般很难做到纳秒量级.介绍一种产生二相RF调制脉冲的新颖方法,采用高速采样保持放大器与射频开关相结合,产生纳秒量级RF脉冲.该调制器产生的射频脉冲具有脉宽更窄、上升下降时间更短等优点.实际试验结果表明,其脉冲宽度可达8 ns以下,上升、下降沿500ps以下,可应用于多种高性能电子系统.     

海外简讯

英国格拉斯哥大学电子与电气工程系的一个研究小组,已研制出一种据称是世界上最快的半导体开关。这是一种全光学开关,由极短的激光脉冲启动。这种激光脉冲非常强烈,甚至可以改变一个非线性方向性耦合器中的半导体的光学特性。脉冲强度的改变产生从半导体结构的各个部分出现的光脉冲。 在佛罗里达大学激光与电子光学研究中心,用10ps脉冲对该器件进行了测试。结果表明,在这一时间范围内,开关动作是同时发生的。但格拉斯哥大学研究小组还期望这个开关在约10fs的时间范围内工作。