籽晶粘接工艺对SiC单晶生长质量的影响

空洞等缺陷是SiC晶体生长中常见的缺陷之一。通过改进SiC籽晶粘接工艺,在SiC籽晶和籽晶托之间形成致密层,有效抑制了空洞缺陷的产生,改善了SiC晶体的结晶质量。采用该工艺生长的SiC晶体内已观察不到空洞缺陷,微管密度也得到抑制,晶体半峰宽40″,结晶质量良好。     

SPK1基因转染对大鼠骨髓间充质干细胞的影响

籽晶是影响K(DxH1-x)2PO4(DKDP)晶体生长和光损伤阈值的一个重要因素.该文采用传统降温法,分别利用Z片和[101]晶片作为籽晶,从氘化程度为85%的溶液生长了DKDP晶体,并加工部分Ⅱ类3倍频晶片样品,进行了3倍频光损伤阈值测试和损伤形貌观测的实验.结果表明,相较于Z片籽晶,[101]晶片作为籽晶所得晶体样品光损伤阈值提高1.54倍且能有效缩短晶体的生长周期.     

异型籽晶DKDP晶体的激光损伤

籽晶是影响K(DxH1-x)2PO4(DKDP)晶体生长和光损伤阈值的一个重要因素.该文采用传统降温法,分别利用Z片和[101]晶片作为籽晶,从氘化程度为85%的溶液生长了DKDP晶体,并加工部分Ⅱ类3倍频晶片样品,进行了3倍频光损伤阈值测试和损伤形貌观测的实验.结果表明,相较于Z片籽晶,[101]晶片作为籽晶所得晶体样品光损伤阈值提高1.54倍且能有效缩短晶体的生长周期.     

碲锌镉籽晶定向熔接技术研究

应用CdZnTe晶体作为衬底材料时,其晶向非常关键。CdZnTe晶体籽晶引晶定向生长技术能够有效提高晶体利用率。但是,受碲锌镉晶体生长方法限制,CdZnTe籽晶引晶技术成功率并不高。本文即通过一系列实验研究了籽晶熔接过程升温方式以及籽晶晶向对碲锌镉籽晶熔接成功率的影响,并确定了升温方式是籽晶熔接的关键工艺所在。后续籽晶引晶生长晶向能否持续与籽晶选择晶向有关。通过显著提升初始熔体过热度可以促进<111>籽晶引晶晶向的保持。     

籽晶偏向对高纯半绝缘4H-SiC晶体影响的研究

采用PVT法得到高纯4H-SiC体单晶。研究了0°、1°、4°晶体对晶体台阶流、晶体结晶质量、晶体缺陷、晶体电学性能的影响;晶体台阶流采用奥林巴斯显微镜进行表征,晶体缺陷采用莱卡体系显微镜进行表征,晶体结晶质量采用高分辨XRD进行表征,晶体电学性能采用非接触电阻率测试仪进行表征。实验结果表明:4°籽晶生长的晶体缺陷最少,1°与4°籽晶生长的晶体结晶质量相当,0°籽晶生长的晶体电学性能最均匀。     

有机非线性光学晶体DAST籽晶表面研究

采用籽晶法可获得大尺寸、高质量的4-N,N-二甲胺基-4’-N’-甲基-氮杂芪的对甲苯磺酸盐(DAST)晶体,而DAST籽晶的表面质量直接影响晶体质量。采用自制DAST源粉,通过溶液降温法自发成核生长DAST籽晶,并对其表面进行了研究。采用红外光谱对DAST源粉进行测试发现,DAST晶体有一定的吸水性。微分干涉显微镜及原子力显微镜(AFM)检测DAST籽晶表面形貌,结果表明,DAST籽晶表面存在凹坑、生长台阶等缺陷。     

InP籽晶表面处理的装置设计与工艺优化

为改善InP籽晶表面洁净度,保证InP材料生长时的电学参数并减小引晶阶段孪晶形成概率,设计了InP籽晶表面处理装置.该装置采用动态方式对籽晶表面进行处理,采用原子力显微镜扫描处理后籽晶的表面形貌,结果显示籽晶表面无杂质和沾污.通过在晶体引晶部位的不同位置取样进行霍尔测试.测试结果显示,用常规静态方式和动态方式处理的籽晶,其生长出晶体引晶部分的样品的平均迁移率分别约为4 100 cm2/(V·s)和4 600 cm2/(V·s),平均载流子浓度分别约为7×1015 cm-3和4×1015 cm-3.通过该装置及工艺处理的籽晶,表面被处理得彻底、无沾污,容易生长出电学参数优异的晶体.     

PVT法同质籽晶AlN晶体生长

为了获得高质量AlN晶体,通过物理气相传输(PVT)法,采用AlN籽晶进行AlN晶体生长,并通过双温区加热装置对衬底与原料之间的温差进行调节。研究结果表明,籽晶形核阶段,随着AlN籽晶与原料顶温差的减小,AlN的形核机制呈现三种模式,分别为岛生长模式、畴生长模式和螺旋位错生长模式;晶体生长阶段,通过增加AlN籽晶与原料顶温差来提高晶体生长速率,采用10℃/h的变温速率将温差从10℃增加为30℃时,AlN晶体生长模式不变,仍然保持螺旋位错生长模式,该生长模式下获得的AlN晶体结晶质量最高,(0002)面摇摆曲线半峰宽(FWHM)约为55 arcsec。     

垂直布里奇曼法生长碲锌镉晶体的工艺条件优化

分析了利用垂直布里奇曼法生长碲锌镉晶体的工艺条件,如坩埚的材质和形状、炉体温场、固液界面形状、生长速率以及采用籽晶等生长条件对晶体单晶率和质量的影响,并提出了优化垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体的条件。     

4英寸X轴铌酸锂晶体生长

本文介绍了采用Czochraeski法生长4英寸X轴铌酸锂晶体,分析了温场、籽晶对晶体生长成功率的影响。得出了通过建立较小的径向温度梯度,合适的轴向温场;选用优质籽晶;采用合理极化工艺可得到较高生长成功率的结论。     

大面积均匀掺杂TGS晶体的生长

应用旋转盘方法生长了以大面积(010)晶面为籽晶的1-丙氨酸掺杂TGS晶体。改装普通的水溶液装置,使能在适当的流动条件下进行(010)晶面上的稳定生长,得到的晶体是高质量的,没有从籽晶繁衍下来的缺陷,通过缀饰和偏压场测量证明,由于均匀掺杂,改善了电性能。这些优点对热释电成象器件的应用特别重要。本文介绍选用的装置和晶体的生长,并讨论这种方法的优点。     

空间生长的GaAs单晶的结构特性观察

为了提高砷化镓单晶的完整性和均匀性,中科院半导体研究所和航天部501所合作,在太空中完成了从熔体生长砷化镓单晶的实验。用电解腐蚀,透射电子显微镜(TEM)和阴极莹光(CL)对地面籽晶部分和空间重熔晶体部分的结构性质进行了比较性现察,实验结果如下:1)用KOH溶液电解腐蚀完成了对该晶体的杂质条纹显示,结果表明:地面生长的单晶有明显的杂质条纹,空间生长的晶体中无杂质条纹(图1)。2)在地面籽晶和空间生长晶体的界面处存在一个晶体完整性较高的区域。CL形貌相上显示出亮带(图2)。TEM观察发现界面区的微缺陷浓度远低于基体,存在一个宽度至少为5μm的“清洁区”,在     

国外资料索引

用引上法生长Ba_2LiNb_5O_(15)单晶,它可用在光学数据贮存系统中Nd:YAG激光的倍频。并且测量了晶体透射率,相位匹配数据,非线性光学系数和光学损伤。190 HO:YLF激光材料本计划研制多敏化Ho:YLF作为Q开关激光材料。这是唯一工作在2微米的室温激光器材料。这种晶体用一种引上法改进的顶籽晶溶液技术生长。     

用VGF法生长6英寸锗单晶中籽晶熔接工艺研究

采用垂直梯度凝固(VGF)法生长单晶时,其温度梯度较低,生长速率较小,目前已成为生长大直径、低位错密度晶体的主流技术之一.在VGF法生长单晶的过程中,籽晶的熔接工艺直接影响着单晶生长的成败.研究了拉速器速度、保温时间及石英棉用量对6英寸(1英寸=2.54 cm)锗单晶VGF生长中籽晶熔接的影响,并确定了最佳的籽晶熔接工艺.研究结果发现,当拉速器速度为3～4 mm/h、保温时间为75～100 min、石英棉用量为15～20 9时,实现了对籽晶熔接工艺的精准控制,熔接长度为12～22 mm,位错密度小于500 cm-2,有效地降低了生产成本,提高了生产效率和单晶率.     

CdS籽晶扩大技术北大核心

采用物理气相传输(PVT)法制备大尺寸硫化镉(CdS)籽晶,通过调整源区与生长区温差进行了籽晶扩大实验,并进行了X射线衍射(XRD)、红外透过率和腐蚀坑密度等测试。研究表明,在15,10,5和2℃等不同温差条件下,均可实现CdS籽晶的扩展,扩展的晶体区域具有和初始籽晶相同的晶向,而且低温差利于获得更大的单晶扩展面积。当温差为5℃时,扩展出的CdS单晶的X射线衍射半高宽(FWHM)较小、红外透过率较高且腐蚀位错密度较低,表明此时晶体的质量较好;当温差增大为10℃和15℃时,蒸气过饱和度高、晶体生长速率大,导致晶体质量变差;当温差减小为2℃时,晶体生长驱动力不足,这容易形成不稳定的生长界面并导致晶体质量下降。     

美推出新的晶体生长技术

美国西北大学的研究人员最近开发出一种新的晶体生长技术，可在单一反应容器中生长厚度均匀而无缺陷的晶体。这种新技术的最大特点是改变了以往液相外延法生长晶体时必须将定向籽晶从一个反应容器移向另一个反应容器的移动工序,从而消除了在移动工序中产生污损的机会。     

大尺寸Nd：YAG晶体生长技术

本文介绍了大尺寸Nd:YAG晶体的生长装置及其温场的温度分布和测量方法;通过晶体生长实验,获得了生长大尺寸晶体的合适温场。用<111>方向的YAG籽晶作种子,中频感应加热提拉法已生长出φ60～65×190mm,重3500g的Nd:YAG晶体,文中指出了生长大尺寸Nd:YAG晶体的技术关键及其解决的途径。     

再结晶技术对压电石英晶体质量的影响

压电石英元器件正向高频、小型化、片式化等方向发展，对石英晶体材料的品质提出了更高的要求。该文根据再结晶原理，利用水热法对压电石英晶体进行了一、二和三次结晶，分别测量了三次结晶引起的Q值、包裹体和腐蚀隧道变化，分析和讨论了籽晶、杂质和工艺条件对晶体质量的影响。报道了生长这种高质量压电石英晶体的主要条件。     

引晶技术在HgCdTe体单晶生长中的应用

引晶技术在ＨｇＣｄＴｅ体单晶生长中的应用郎维和（华北光电技术研究所北京１０００１５）ＨｇＣｄＴｅ是一种三元化合物，根据其化学配比可以在一定范围内制备各种禁带宽度的半导体光电材料。为了满足多元红外探测器的要求，我们进行引入籽晶技术生长ＨｇＣｄＴｅ晶体，...     

100 mm直径低位错密度InSb单晶生长研究

InSb是一种重要的中波红外探测器材料。为了满足更大规模、更高质量红外焦平面探测器的发展要求,对100 mm直径低位错密度InSb单晶的生长进行了研究。通过改良生长方法、优化籽晶、改进缩颈工艺、优化热场,最终获得位错密度小于等于100 cm-2、直径大于等于100 mm的大尺寸低位错密度InSb晶体。晶体沿晶棒从头到尾部的位错密度分布均匀,可用率高,能够满足大规模高质量红外焦平面探测器的使用需求。