铝掺杂对氧化锌基摩擦纳米发电机输出性能的影响

采用溶胶-凝胶工艺制备不同掺杂浓度的掺铝氧化锌薄膜,以其作为正摩擦材料制备垂直-接触分离结构的摩擦纳米发电机;通过改变铝掺杂浓度优化摩擦纳米发电机的电学输出性能。实验表明:在摩擦层接触面积为4 cm~2的情况下,当氧化锌薄膜中的铝掺杂浓度从摩尔分数2%提高到10%,摩擦纳米发电机开路电压峰值也相应提高;当铝掺杂浓度为摩尔分数10%时,摩擦纳米发电机的开路电压峰值达到最大值20 V,相比未掺杂铝时提高约一倍;当铝掺杂浓度大于摩尔分数10%时,摩擦纳米发电机的开路电压峰值呈现出下降趋势。     

共掺铝的掺铒光纤放大器的光谱特性

用Stark能级分裂的变化分析了掺铝改变掺铒光纤放大器(EDFA)光谱特性的原理，并用改进型化学气相沉积法(MCVD)结合溶液浸泡掺杂法制作了采用不同掺铝比例的掺铒光纤，测试了用这几种光纤制作的放大器的自发辐射谱，得出掺铝浓度的提高使荧光谱的峰值往短波长移动，与Stark能级分裂理论分析得到的结果相一致。同时采用截断法测试了两种不同掺铝浓度的掺铒光纤的吸收谱，实验结果表明掺铒光纤中增加铝的含量将提高铒离子浓度，并提高掺铒光纤的吸收系数，减短掺铒光纤放大器中的掺铒光纤长度。高掺铝掺铒光纤放大器具有更宽更平坦的增益谱线，可以适用长距离波分复用(WDM)系统。     

掺铝对ZnO薄膜光学常数的影响

采用溶胶-凝胶法在(0001)蓝宝石衬底上制备了ZnO:Al薄膜,利用Kramers-Kronig色散关系对ZnO∶Al薄膜在300～600 nm波长区域的光学常数进行计算,研究了掺杂浓度对薄膜光学常数的影响.计算结果显示,在可见光区,薄膜的光学常数受铝掺杂浓度的影响很小,折射率、消光系数、复介电常数实部和虚部的数值基本恒定,分别约为1.6,0.08,0.27和2.5.在紫外区,薄膜光学常数受掺杂浓度的影响明显,随掺杂浓度提高,光学常数数值均减小,并且都在激子吸收峰(370 nm)处出现一极大值.     

铝诱导多晶硅薄膜籽晶层的电学性质

利用磁控溅射系统在玻璃衬底上制备出具有玻璃∕铝∕非晶硅的多层膜结构样品,然后在管式退火炉中以一定的温度退火,使非晶硅晶化形成多晶硅薄膜籽晶层。扫描电子显微镜(SEM)及光学显微镜测试表明,铝诱导结晶后样品中的铝层已被完全置换为连续并且厚度均匀的多晶硅层,多晶硅晶粒的平均尺寸为23μm。喇曼光谱测试和X射线衍射(XRD)分析表明,多晶硅薄膜籽晶层具有良好的结晶质量,并且具有高度的(111)择优取向。霍尔测试结果表明,铝诱导多晶硅薄膜籽晶层属于高浓度p型掺杂,掺杂浓度达到了1018/cm3。分析认为铝在非晶硅晶化过程中不仅扮演了诱导金属的角色,还起到了掺杂的作用。     

掺铥石英光纤的掺杂浓度实验研究

介绍了掺 Tm3+石英光纤的研究概况与溶液掺杂法的简要工艺过程。着重阐述了制备工艺中稀土离子溶液浓度对掺杂浓度的影响 ,Tm3+掺杂浓度与 Tm3+特征吸收峰值间的关系。关于最佳掺杂浓度问题也进行了初步讨论。     

掺杂对光折变晶体性能的影响

以钛酸钡，铌酸锶钡和铌酸钾钡锶钡「（Ｋ１－６Ｎａｙ）０．４（ＳｒｘＢａ１－ｘ）０．８Ｎｂ２Ｏ６，ＫＮＳＢＮ」为例，评述掺杂对提高光折变晶体性能的重要作用。     

n~＋p~＋p－n结隔离CMOS铝栅工艺

本文介绍一种新的ｎ￣＋ｐ￣＋ｐ－ｎ结隔离铝栅大规模集成电路工艺。它与常规铝栅ＣＭＯＳ工艺的重要区别在于，采用ｎ￣＋ｐ￣＋ｐ－ｎ结隔离技术，芯片上无低掺杂浓度区与厚的场氧化绝缘膜，场氧化膜与栅氧化膜在同一工序中完成并且厚度相接近。文中重点阐述了ｎ￣＋ｐ￣＋ｐ－ｎ结隔离击穿与ｎ￣＋，ｐ￣＋区掺杂浓度ｐ－ｎ结深度和器件特征尺寸之间的关系以及该工艺在电路中的应用等问题。     

两种有效的多签名方案

本文提出两种有效的ＲＳＡ多签名方案，一种是Ｏｋａｍｏｔｏ方案「６」的改进型，一种是Ｋｉｅｓｌｅｒ－Ｈａｒｎ方案「３」的改进型。     

德国Clearaudio 代理权暨新产品发布会

德国Clearaudio代理权暨新产品发布会 「升和影音集团」于二〇一三年七月十七日，在香港举行「德国Clearaudio」代理权暨新产品新闻发布会。     

开管铝镓扩散的掺杂机制

针对铝乳胶源涂布与气相镓相结合的开管受主双质扩散技术，本文就其掺杂机制进行了分析讨论。     

高铝含量AlxGa1—xAs／GaAs太阳电池的多片液相外延生长

介绍了高铝含量和 Mg 掺杂的 Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs 太阳电池的多片液相外延(LPE)生长技术,分析了 Ga_(1-x)Al_xAs 生长熔体中 GaAs 的熔解度,载流子浓度与 Mg 含量及 x 值与铝组分的关系。用多片石墨舟液相外延生长的、具有高铝含量(x=0.9)的 Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs 太阳电池,最高转换效率达17.7%。     

采用镓铝双质掺杂制造快速晶闸管

介绍了采用镓铝双质掺杂制造快速晶闸管的设计要点和关键工艺。根据器件的特性要求,优化设计了基区结构参数和门极-阴极图形,采用了高级交叉指状辅助门极结构,合理确定了短路发射极的尺寸及分布形式。采用固态源闭管式扩散工艺,镓铝双质掺杂一次连续完成,扩散参数具有良好的均匀性和重复性,获得了较理想的杂质浓度分布,并采用12 MeV电子辐照技术控制少子寿命。研究了镓铝双质掺杂对快速晶闸管参数的影响,分析和讨论了器件特性得到改善的原理。研究结果表明,采用该掺杂技术制造的快速晶闸管,电气参数的一致性明显提高,综合性能明显改善,具有良好的阻断特性、门极特性和动态特性。     

钇铝石榴石中钕的浓度

在标定掺钕钇铝石榴石棒时,以往的重点是在尺寸公差、几何数据和棒质量的被动的光学检验上。只是到了最近,设计者和使用者才开始密切注视激活离子及其对主动光束测量的影响。本文将考虑钕的分析、掺杂、标准和应用的一些问题。它将讨论各种应用中最佳的钕浓度,并对已知各类激光器的运转提供一般的指南。在精确地标定钕浓度时,本文将提出一个在工业、科研方面一致的建议。     

关于Shrinking Generator及Self—Shrinking Generator的熵漏分析

本文主要针对文献「１」、「２」先后于９３和９４年分别提出的两种新的流密码体制，运用概率统计等数学工具和有关密码学理论进行熵漏分析。首先利用统计分析方法，构造出了与上述密码机制的输入序列有较大符合优势的拟合序列，进而，运用文「３」中提出的快速相关攻击方法，可以破译自收缩序列体制，部分攻破收缩序列体制。     

MCVD工艺沉积温度对有源光纤掺杂浓度的影响研究

以掺镱双包层光纤为例,主要介绍了用MCVD工艺及溶液掺杂法制备掺稀土离子有源光纤,通过对低温沉积疏松芯层时温度控制对最终研制的有源光纤镱离子掺杂浓度的影响研究,得出沉积温度对有源光纤掺杂浓度影响的规律,为目前国内普遍采用的MCVD工艺结合溶液掺杂技术制备掺稀土离子有源光纤提供了参考.     

铝掺杂对铜铟铝硒粉末微结构及光吸收影响的研究

铜铟铝硒(Cu(In_(1–x)Al_x)Se_2,CIAS)因其成本比铜铟镓硒低而成为目前备受关注的一种太阳电池材料。本文采用溶剂热法制备出含有不同铝掺入量的CIAS四元化合物粉末。利用XRD、SEM、XPS和紫外-可见光光吸收谱系统研究铝掺入对铜铟铝硒化合物的微观结构及光吸收的影响。研究表明铝掺杂对铜铟铝硒的微观结构有着显著影响,适当的铝掺入有利于铜铟铝硒晶体生长,当铝掺入比例x为0.4时,晶体在(112)晶面择优生长最为明显,并且随铝掺入量的增加可导致其禁带宽度增加,这有利于太阳电池优化设计。     

铝膜的电解腐蚀

一、引言铝膜光刻质量的好坏直接影响着集成电路的成品率和可靠性。目前铝光刻通常采用酸或碱溶液化学腐蚀法。在磷酸化学腐蚀法中,由于所产生的氢气附在铝膜的表面,因而妨碍了继续腐蚀,可能造成互连引线间的短路使电路失效;同时腐蚀终点较难准确判断,容易造成腐蚀过头,不利于窄条光刻。用氢氧化钠加铁氰化钾溶液腐蚀铝膜的方法克服了上述磷酸腐蚀的缺点,虽利于窄条光刻,但却引入钠钾离子可能会污染器件。此外,当铝膜较厚时,这种腐蚀液对光刻胶的浸蚀也不能忽视。为了克服上述缺点提出了电解腐蚀法,我们经过一个阶段的试验,现将初步结果总结如下。     

创见增强与环球仪器的合作

亚洲记忆体龙头企业-创见资讯近年来发展迅猛，于早前荣获俄罗斯知名iXBT杂志「2007最佳Flash品牌」殊荣，这是创见连续第二年赢得「最佳Flash品牌」奖项。为满足日益增长的发展步伐，创见资讯又增添了环球仪器的高速贴片机Genesis GC-120Q，开启高速发展的新篇章。     

一种开管铝镓扩散工艺的研究

就现行P型杂质扩散工艺的不足，进行了开旮铝镓掺杂技术的研究。经过大量实验和工艺论证，该研究取得成功，具有先进性和实用性，可明显地提高器件电参数一致性、综合性能和成品率，为电力半导体器件研究和生产开辟了一条可行的受主掺杂工艺。     

掺杂石英玻璃管脉冲氙灯及滤光套管在激光器中的应用

采用合适厚度,掺杂合适浓度的铈、铕等稀土元素的石英玻璃管制作的脉冲氙灯和滤光套管,其3500埃以下的紫外辐射基本消除,因而在固体激光器中能替代滤光溶液和黄色玻璃滤光套管,防止工作物质着色.比较了不同滤光材料的滤光特性及其在重复频率钇铝石榴石激光器中的激光效率.在Nd:YAG及钕玻璃激光器中,使用掺杂石英玻璃后,可使激光器效率提高25～100%.