高温单模工作的1.3μm应变MQW增益耦合DFB激光器

１．３μｍ应变ＭＱＷ增益耦合的ＤＦＢ激光器，在温度高达１２０℃时实现了单模和高功率工作。由于增益耦合效应，使两种布拉格模式存在着很大的模态端面损耗率，从而使激射波长保持了稳定，通过室温时的激射波长对材料益峰值的长波长侧的失谐，使阀值电流受温度的影响很小，这就有效地补偿了较高温度时的波导损耗。在某些温度范围内（取决于失谐值），能实现无限特性温度Ｔ０。     

1.3μm InGaAsP/InP应变多量子阱部分增益耦合DFB激光器

本文在国内首次报道了采用直接刻蚀有源区技术在应变多量子阱有源区结构基础上制作了１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部分增益耦合ＤＦＢ激光器，器件采用全ＭＯＶＰＥ生长，阈值电流１０ｍＡ，边模抑制比（ＳＭＳＲ）大于３５ｄＢ，在端面未镀膜情况下器件单纵模成品率较高     

1．27μm吸收型部分增益耦合MQW－DFB激光器

采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ和ＬＰＥ相结合，成功地研制出了吸收型部分增益耦合ＭＱＷ－ＤＦＢ激光器．扫描显微镜照片显示了清晰的被掩埋的吸收型增益耦合光栅，表明光栅掩埋生长前升温过程磷烷的保护是成功的．宽接触（ｂｒｏａｄａｒｅａ）脉冲电流大范围单纵模工作，条型器件室温连续直流工作阈电流为２２ｍＡ至３５ｍＡ，单模成品率高，边模抑制比（ＳＭＳＲ）超过３７ｄＢ，没有观察到饱和吸收现象．     

强增益耦合DFB激光器单片集成自对准模式变换器

提出并成功制作出一种新型的强增益耦合DFB激光器与自对准模式变换器单片集成器件.采用三次外延实现上述器件.采用强增益耦合DFB激光器,获得了高单模成品率和大边模抑制比器件;采用自对准模式变换器,得到了近圆形的远场图样.     

强增益耦合DFB激光器单片集成自对准模式变换器

提出并成功制作出一种新型的强增益耦合 DFB激光器与自对准模式变换器单片集成器件 .采用三次外延实现上述器件 .采用强增益耦合 DFB激光器 ,获得了高单模成品率和大边模抑制比器件 ;采用自对准模式变换器 ,得到了近圆形的远场图样     

复增益耦合型取样光栅DFB激光器的设计制作与性能

A complex-coupled DFB Laser with sampled grating has been designed and fabricated. The key concepts of the approach are to utilize the +1st order reflection of the sampled grating for laser single mode operation, and use a conventional holographic exposure combined with the usual photolithography to fabricate the sampled grating. The typical threshold current of the sampled grating based DFB laser is 25mA, and the optical output is about 10mW at the injected current of 100mA. The lasing wavelength of the device is 1.5385μm, which is the +1st order wavelength of the sampled grating.     

含新型载流子注入光栅的1.55μm InGaAsP/InP应变多量子阱DFB激光器

本文报道了一种含新型载流子注入光栅的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变多量子阱分布反馈（ＤＦＢ）激光器．我们对该器件的掺杂与结构进行了优化,增强了载流子阻挡光栅的作用,得到了很强的增益耦合．利用ＬＰＥ和ＭＯＣＶＤ混合生长,在器件端面无镀膜的条件下获得了很高的单模成品率．     

GaAlAs／GaAs欧量子阱增益耦合型DFB激光器电吸收型调制器单片光子…

我们在国际上率先提出将增益耦合分布反馈式（ＧＣ－ＤＦＢ）半导体激光器作为激光器／调制器单片集成器件的光源，为了简化制作工艺，进一步提出激光器的有源层与调制器波动共用同一组分和同一结构，本理论上分析了新型器件的可行性，优化设计了器件结构，在此基础上，采用金属有机化合物化学汽相外延技术（ＭＯＣＶＤ）在国际上首次研制成功了该种增益耦合型ＤＦＢ激光器／电吸收型调制器单片光子集成器件，器件电流为３５ｍＡ。     

基于1.3μm增益开关DFB激光器的外电光采样系统

建立了基于１．３μｍ增益开关分布反馈式（ＤＦＢ）半导体激光器的外电光采样系统．通过微小的ＬｉＴａＯ３电光探头做为电场传感器，实现了对具有重复频率的快速电脉冲波形的光学采样测量．实验测量了光电器件的脉冲响应及微带传输线上的梳状波波形．系统的性能分析表明该系统具有１８ＧＨｚ的带宽．     

低波长漂移的电吸收调制DFB激光器

采用端面有效反射率法,从理论上计算了单片集成电吸收调制DFB激光器（Electroabsorption Modulated DFB Laser,EML）的腔面反射率、耦合强度（κL）对其波长漂移的影响.同时在实验中通过改变腔面的反射率来验证计算结果.理论与实验的结果表明：为提高EML的模式稳定性,必须减小调制器一端的反射率,同时增加DFB激光器的κL.最终我们采用选择区域生长（Selective Area Growth,SAG）的方法,制作了低光反馈出光面的单脊条形EML,在2.5Gb/s的非归零(NRZ)码调制下,经过280km的标准光纤传输后,没有发现色散代价.     

1.5 μm DFB半导体激光器HCN吸收稳频技术

在远距离相干测量系统中,分布反馈式半导体激光器（DFB-LD）以其直接高速调制特性、低成本、可批量生产等优势成为精密遥测系统的核心光源,因此对DFB-LD的窄线宽和短时频率稳定性提出了更高的要求。为了实现DFB-LD的频率稳定,通过边频锁定与光电反馈回路的方法将激光频率锁定在H13C14N气体吸收谱线1548.956 nm的一侧。将光电探测模块、后续误差信号生成与处理模块和激光器驱动模块集成在一块模拟电路板上,从而有效地降低了系统的噪声;使用除法器代替减法器来产生鉴频信号,大大提高了系统灵敏度和稳频精度;通过这两项技术的改进,将DFB-LD的秒级频率稳定度提高了两个数量级,从稳频前的秒级频率稳定度3.67 × 10?8提高到稳频后的秒级频率稳定度2.34×10?10。实验结果表明,该DFB-LD稳频方案具有高的稳频精度,且系统结构简单、体积小、可批量生产,适合于无人机机载应用场景,是远距离相干测量系统的理想光源。     

半导体分布反馈激光器的等效耦合系数

通过引进等效耦合系数，首次考虑了具有缓变波导和复折射率耦合DFB激光器中辐射与高阶分波耦合对等效耦合系数的影响，数值计算结果表明，对实折射率耦合DFB激光器，采用线性缓变波导能获得较大的等效耦合系数的相位，对复折射率耦合DFB激光器，即使是纯损耗耦合，等效耦合系数的相位也不等于－π／2，如果实折射率耦合与损耗耦合同时存在，则在某些情况下，等效耦合系数的相位会等于零．     

高功率1.31μmAlGaInAs应变多量子阱DFB激光器

采用金属有机化学汽相淀积工艺和脊型波导结构,同１．３１μｍＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ应变多量子阱分布反馈激光器高功率输出。在２５℃时,管芯最大输出功率超过５０ｍＷ,阈值电流范围在１３－２０ｍＡ之间,发光面斜效率高于０．４５ｍＷ／ｍＡ,边模抑制比超过３５ｄＢ,室温中值寿命大于３＊１０＾５小时。     

低波长漂移的电吸收调制DFB激光器

采用端面有效反射率法 ,从理论上计算了单片集成电吸收调制 DFB激光器 (Electroabsorption ModulatedDFB L aser,EML)的腔面反射率、耦合强度 (κL)对其波长漂移的影响 .同时在实验中通过改变腔面的反射率来验证计算结果 .理论与实验的结果表明 :为提高 EML 的模式稳定性 ,必须减小调制器一端的反射率 ,同时增加DFB激光器的 κL.最终我们采用选择区域生长 (Selective Area Growth,SAG)的方法 ,制作了低光反馈出光面的单脊条形 EML,在 2 .5 Gb/ s的非归零 (NRZ)码调制下 ,经过 2 80 km的标准光纤传输后 ,没有发现色散代价 .     

10Gbit／s传输用的低驱动电压调制器DFB激光器集成器件

电场吸收型光调制器／ＤＦＢ激光集成器件作为低啁啾、小型、高输出功率的高速工调制光源是很有吸引力的。从减轻驱动电路负担和降低功耗的观点，要求降低１０Ｇｂｉｔ／ｓ以上的超高速系统用器件的驱动电压。因此，通过增大电场吸收型光调顺和蔗和吸收系数变化率，使调制器和ＤＦＢ激光器集成的器件实现了低驱动电压。其结果，在驱动电压变化幅度１Ｖ以下可得到１０ｄＢ以上的动态消光比，没有使它特性恶变，并且在１００ｋｍ的单模     

All Optical Wavelength Conversion from 1.3μm to 1.55μm Using Two—segment DFB Lasers^①

All-optical wavelength converters are expected to become key components in the future broadband networks.Here a two-segment DFB laser for the first time is used as an all-optical wavelength converter.Using this laser,all-optical wavelength conversion from1.3μm tp 1.55μm is demonstrated。     

10GHz低抖动增益开关DFB激光器

采用国产管芯 ,利用增益开关效应获得了 10 GHz超短光脉冲 .利用自注入的方法 ,采用最简单的结构 ,减小了增益开关 DFB激光器光脉冲的时间抖动 ,使 10 GHz光脉冲的时间抖动小于 840 fs.研究了光脉冲抖动量对温度变化及微波驱动频率的敏感性 .利用线性压缩和梳状色散渐减光纤链获得 10 GHz、 5 ps无基座光脉冲     

10GHz低抖动增益开关DFB激光器

采用国产管芯,利用增益开关效应获得了10GHz超短光脉冲.利用自注入的方法,采用最简单的结构,减小了增益开关DFB激光器光脉冲的时间抖动,使10GHz光脉冲的时间抖动小于840fs.研究了光脉冲抖动量对温度变化及微波驱动频率的敏感性.利用线性压缩和梳状色散渐减光纤链获得10GHz、5ps无基座光脉冲.