BiCMOS例相器延迟特性的计算与分析

本文对ＢｉＣＭＯＳ倒相器延迟特性进行了系统研究，在分析比较ＭＯＳ与双极器件及其组成电路不同状态下的工作特点基础上，得到ＢｉＣＭＯＳ倒相电路在小注入、大注入和集电极寄生电阻等不同限制条件下的延迟时间的解析关系式，结果表明该模型具有近似于ＳＰＩＣＥ数值模拟精度，为各类高性能ＢｉＣＭＯＳ电路的优化设计与分析提供了理论依据．     

CMOS／SOI的高温特性分析

采用ＳＩＭＯＸ和ＢＥＳＯＩ材料制作了ＣＭＯＳ倒相器电路，在２５￣２００℃的不同温度下测量了ＰＭＯＳ和ＮＭＯＳ的亚阈特性曲线，实验结果显示，薄膜全耗尽ＩＭＯＸ器件的阈值电压和泄漏电流随温度的变化小于厚膜ＢＥＳＯＩ器件。     

CMOS／SIMOX倒相器的抗总剂量辐照特性

对条栅ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ倒相器在不同偏置条件下进行了＾６０Ｃｏγ射线的总剂量辐照试验，比较研究了ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ对倒相器功能的影响，发现ＮＭＯＳ抗总剂量副照性能比ＰＭＯＳ差，主要是ＮＭＯＳ引起器件功能的失效。     

CMOS／SIMOX例相器的抗总剂量辐照特性

对条栅ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ例相器在不同偏置条件下进行了６０Ｃｏγ射线的总剂量辐照试验，比较研究了ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ对倒相器功能的影响，发现ＮＭＯＳ抗总剂量辐照性能比ＰＭＯＳ差，主要是ＮＭＯＳ引起器件功能的失效。     

CMOS数字集成电路的高温电学性能分析

本文给出了ＣＭＯＳ倒相器的高温等效电路，分析了它的高温直流传输特性和瞬态特性，文章还讨论了ＣＭＯＳ静态数字集成电路高温电学特性的分析方法。本文提出了的ＣＭＯＳ数字集成电路的高温学特性模型和实验结果相接近。     

采用混合模式晶体管(BMHMT)构成低温BiCMOS集成电路

本文介绍采用与ＣＭＯＳ工艺完全相容的双极／ＭＯＳ混合模式晶体管（ＢＭＨＭＴ）构成新型的低温ＢｉＣＭＯＳ集成电路．理论分析表明该电路与ＣＭＯＳ相比，在电压摆幅相同，静态功耗相近的条件下，具有更大的驱动能力，尤其在较低的工作电压下，其特点更加突出．我们用统一的标准和相同芯片面积设计了３９级带负载的ＢｉＣＭＯＳ和ＣＭＯＳ环形振荡器．实验样品经室温和低温平均门延迟时间测试，表明在相同工作电压下ＢｉＣＭＯＳ优于ＣＭＯＳ．若两种电路都采用ＳＯＩ结构，预计ＢｉＣＭＯＳ可以获得更好的结果     

合并互补BiCMOS集成电路的研究

分析了几种常规ＢｉＣＭＯＳ门电路的特性，对合并互补（ＭＣ）ＢｉＣＭＯＳ集成电路的二输入与非门和１１级环形振荡器进行了实验研究，并与常规ＢｉＣＭＯＳ进行了比较。实验结果说明，ＭＣＢｉＣＭＯＳ具有电路结构简单，芯片面积小，工作速度高，负载能力强和低压工作特性好等优点。     

具有优良性能的MCBiCMOS IC结构

本文分析了几种常规ＢｉＣＭＯＳ门电路的特性，对ＭＣＢｉＣＭＯＳ集成电路结构的二输入与非门和１１级环形振荡器进行了实验研究，并与常规ＢｉＣＭＯＳ进行了比较。实验结果说明：ＭＣＢｉＣＭＯＳ具有电路结构简单；芯片面积小；工作速度高，负载能力强和低压工作性能好等优点。     

亚微米BiCMOS工艺技术

ＢｉＣＭＯＳ是双极的速度和驱动能力与ＣＭＯＳ的高密度和低功耗的结合。考虑到功耗原因，ＢｉＣＭＯＳ器件主要以ＣＭＯＳ为主。因此，双极器件通常并入ＣＭＯＳ核心工艺流程。当器件尺寸减小时，双极和ＣＭＯＳ技术显得愈发相似。本文例举了０．８μｍ和０．５μｍ的技术论点，ＢｉＣＭＯＳ电路与ＣＭＯＳ相比，成本稍有增加，但其性能提高一倍。     

亚微米BiCMOS工艺技术

ＢｉＣＭＯＳ是双极速度和驱动能力与ＣＭＯＳ的高密度和低功耗的结合。考虑到功耗原因，ＢｉＣＭＯＳ器件主要以ＣＭＯＳ为主，因此，双极器件通常并入ＣＭＯＳ核心工艺流程。当器件尺寸减小时，双极和ＣＭＯＳ的技术显得愈发相似。本文列举了０．８μｍ和０．５μｍ的技术论点。ＢｉＣＯＳ电路与ＣＭＯＳ相比，成本稍高但其性能提高一倍。     

解析SiGe基极HBT模型及其对BiCMOS倒相器电路的影响

解析ＳｉＧｅ基极ＨＢＴ模型及其对ＢｉＣＭＯＳ倒相器电路的影响＝ＡｎＡｎａｌｙｔｌｃａｌＳｉＧｅ－ｂａｓｅＨＢＴｍｏｄｅｌａｎｄｉｔｓｅｆｆｅｃｔｓｏｎａＢｉＣＭＱＳｉｎｖｅｒｔｅｒｃｉｒｃｕｉｔ［刊．英］／Ｌｕ，Ｔ．Ｃ．…／ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅｌｅ...     

WSi_2栅和Si栅CMOS／BESOI的高温特性分析

用厚膜ＢＥＳＯＩ（ＢｏｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎ－Ｏｎ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）制备了ＷＳｉ２栅和Ｓｉ栅４００７ＣＭＯＳ电路，在室温～２００℃的不同温度下测量了其Ｐ沟、Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的亚阈特性曲线，分析了阈值电压和泄漏电流随温度的变化关系。     

实用BiCMOS电路可测性设计

本文提出了ＢｉＣＭＯＳ电路的实用可测性设计方案，该方案与传统方法相比，可测性高，硬件花费小，仅需额外添加两个ＭＯＳ管和控制端，就可有效地用单个测试码测出ＢｉＣＭＯＳ电路的开路故障和短路故障，减少了测试生成时间，可广泛应用于集成电路设计中。     

新型脉宽调制集成单元

本文提出一种新型脉宽调制单元，它由ＣＭＯＳ逻辑电路构成，文章给出了单元的结构，并阐述了它的功能作用，结合ＳＰＩＣＥ分析，对充电通道的逻辑控制与输出节点电压的上升时间之间的关系，进行了计算机模拟。同时，给出了标准ＣＭＯＳ集成电路制造工艺的技术参数，这种单元可用在智能功率集成电路中，实现脉宽调制技术的数字化结构。     

MCBiCMOS门阵列的母片设计

本文介绍ＭＣＢｉＣＭＯＳ门阵列的母片设计技术。由于采用了先进的ＭＣＢｉＣＭＯＳ工艺和设计技术，ＭＣＢｉＣＭＯＳ更适合地制作高性能，大规模的专用集成电路。在２μｍＣＭＯＳ和３μｍ双极相结合的设计规则基础上，我们设计了ＭＣＢｉＣＭＯＳ２０００门门阵列母片，并利用ＭＣＢｉＣＭＯＳ宏单元库，成功地完成了ＣＧＢ２００３     

发展中的BiCMOS技术

集ＣＭＯＳ与双极器件之优点于一体的ＢｉＣＭＯＳ，将逐渐成为９０年代ＵＬＳＩ的主流技术。本文从工艺、器件结构和兼容设计等不同侧面，阐述了ＢｉＣＭＯＳ技术所具有的突出特点及其典型应用，同时还介绍了最新发展的低温ＢｉＣＭＯＳ技术和面临的关键问题。     

BiCMOS电路可测性设计探讨

本文提出了ＢｉＣＭＯＳ电路的实用可测性设计方案，该方法与传统方法相比，可测性高，硬件花费小，仅需额外添加一个ＭＯＳ管和两个控制端，就可有效地用单个测试码测出ＢｉＣＭＯＳ电路的开路故障和短路故障，减少了测试生成时间，可广泛应用于集成电路设计中。     

注入条件对SIMOX材料的影响

利用ＲＢＳ和ＴＥＭ技术分析研究了不同注入剂量、注入方式（单重注入，多重注入）对ＳＩＭＯＸ材料各层结构的影响，特别着重研究了Ｓｉ／ＳｉＯ２界面过渡区受注入条件的影响。结果表明，在注入剂量相同的情况下，多重注入不仅能改善顶层单晶、ＳｉＯ２绝缘层的质量，而且能显著减小Ｓｉ／ＳｉＯ２界面过渡区宽度。     

注氟SIMOX隐埋SiO_2的辐照感生电荷分布特性

对常规工艺制备的ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）材料，注入不同剂量的Ｆ＋并退火，其电容经（６０）Ｃｏγ射线电离辐照后平带电压漂移较小，通过同理论值相比较，说明Ｆ＋的注入减少了ＳＩＭＯＸ隐埋ＳｉＯ２层（ＢＯＸ：ＢｕｒｉｅｄＯＸｉｄｅ）的空穴陷阱浓度，增强了ＳＩＭＯＸ的抗电离辐照能力．     

CMOS／SIMOX和CMOS／BESOI的γ射线辐照特性比较

用薄膜ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）、厚膜ＢＥＳＯＩ（ｆｆｅｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）和体硅材料制备了ＣＭＯＳ倒相器电路，并用６０Ｃｏγ射线进行了总剂量辐照试验。在不同偏置条件下，经不同剂量辐照后，分别测量了ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ的亚阈特性曲线，分析了引起ＭＯＳＦＥＴ阈值电压漂移的两种因素（辐照诱生氧化层电荷和新生界面态电荷）。对ＮＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ，由于寄生背沟ＭＯＳ结构的影响，经辐照后背沟漏电很快增大，经３００Ｇｙ（Ｓｉ）辐照后器件已失效。而厚膜ＢＥＳＯＩ器件由于顶层硅膜较厚，基本上没有背沟效应，其辐照特性优于体硅器件。最后讨论了提高薄膜ＳＩＭＯＸ器件抗辐照性能的几种措施。