GaAs、Al_xGa_（1－x）As外延层少子扩散长度及霍耳迁移率的无接触测

用微波介质波导法无接触测试了生长在半绝缘衬底上的ＧａＡｓ、ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ外延层的微波光电导谱和横向磁阻，给出了从微波光电导谱计算少子扩散长度和从横向磁阻计算霍耳迁移率的方法，并且由此算得外延层的少于扩散长度和霍耳迁移率．本方法对被测样品的几何形状和尺寸无特殊要求，测试区域小于５×５ｍｍ２，具有无损伤、不污染的优点，并配有微机控制，测试迅速方便．     

MBE－GaAs／Si材料晶体质量对少子扩散长度的影响

对于ＧａＡｓ／Ｓｉ材料由于晶格失配和热膨胀系数失配，外延时必然会出现大量的失配位错等缺陷进入外延层，为了更有效地消除或减弱由于以上二种失配所引入的失配位错等缺陷，本文采用高温快速热退火的方法，结合表面光伏（ＳＰＶ），微波光电导谱（ＭＰＣＳ），双晶衍射（ＤＣＲＤ）等测试手段在整个高温热退火区域寻求一个对具有一定ＧａＡｓ层厚度的ＧａＡｓ／Ｓｉ材料最佳热退火温度Ｔｏ，经此温度Ｔｏ快速热退火后，由ＳＰＶ，ＭＰＣＳ所测得的ＧａＡｓ外延层少子扩散长度Ｌｐ数值达最大，ＤＣＲＤ所测得双晶衍射半峰竞也明显变窄，各项指标均有     

p－GaAs／n－GaAs MOCVD外延层少子扩散长度的液结光伏谱测量和分析

用液结光伏谱方法首次在ＰＮ４３５０光伏谱仪上对用国产ＭＯＣＶＤ设备生长的九个ｐ－ＧａＡｓ／ｎ－ＧａＡｓ外延样品ｐ型外延层的少于扩散长度Ｌｎ和掺杂浓度ＮＡ的关系作了测量和分析．结果表明，Ｌｎ－ＮＡ关系对反应管的清洁度非常敏感．如果反应管经严格清洗，并仅生长ＧａＡｓ材料，那么Ｌｎ－ＮＡ关系同前人报道的无沾污生长的样品基本一致；否则Ｌｎ值就明显偏小．用本方法测定ＧａＡｓ外延层的Ｌｎ值具有简便、准确的优点，可作为检测ＧａＡｓ外延层质量的重要手段．     

超高速GaAs微波PIN二极管的研制及其性能分析

论述了超高速ＧａＡｓ微波ＰＩＮ二极管的研制情况。从ＧａＡｓ高阻外延生长着手，采用垂直台面结构，控制Ｉ层浓度为１０１３～１０１４／ｃｍ３，厚度为２．５～１０μｍ。通过闭管Ｚｎ扩散形成Ｐ—Ｎ结，用Ｔｉ－Ａｕ及Ａｕ－Ｇｅ－Ｎｉ作上、下欧姆接触，研制出ＧａＡｓ微波ＰＩＮ二极管。通过测量其正向特性、容压特性、开关特性以及在典型开关电路中的应用，可以看出该器件在开关速度方面的性能尤其优越。     

MOCVD生长的高质量掺碳GaAs/AlGaAs材料的特性研究

利用低压金属有机化合物汽相淀积方法,以液态ＣＣｌ４为掺杂源生长了高质量的碳掺杂ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ外延材料,研究了ＣＣｌ４流量、生长温度和Ⅴ／Ⅲ比等因素对外延材料中的碳掺杂水平的影响．采用电化学ＣＶ方法、范德堡霍耳方法、低温光致发光谱和Ｘ射线双晶衍射回摆曲线测量等方法对碳掺杂外延材料的电学、光学特性进行了研究．实验制备了空穴浓度高达１．９×１０２０ｃｍ－３的碳掺杂ＧａＡｓ外延材料和低温光致发光谱半宽小于５ｎｍ的高质量碳掺杂Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ外延层．在材料研究的基础上,我们以碳为Ｐ型掺杂剂生长了Ｇａ     

ZnSe多量子阱横向磁阻的无接触测量

用微波无接触法测量了ＺｎＳｅ外延层和两种ＺｎＳｅ多量子阱样品的横向磁阻,在低磁场时,这三种样品都表现为负磁阻,并且也可以用Ｋｈｏｓｌａ和Ｆｉｓｃｈｅｒ的半经验表示式进行拟合,实验还发现了在两层ＺｎＳｅ超晶格之间的Ｚｎ＋Ｇａ单原子层也呈现为较大的负磁阻     

无GaAs缓冲层MBE生长InSb材料的工艺及其特性

采用无ＧａＡｓ缓冲层，低温＋常规的方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上进行了ＩｎＳｂ薄膜的分析束外延（ＭＢＥ）生长，测试了样品的双晶Ｘ射线衍射半峰宽（ＦＷＨＭ），电学霍尔（Ｈａｌｌ）特性及红外透射谱。通过大量的实验发现：不生长０．５μｍＧａＡｓ缓冲层，同样可生长出电学性能及红外透过率都较理想的样品，这可缩短材料的生长周期，降低生产成本，对将来器件的批量制作有一定的意义。     

用回熔再生长LPE工艺制备高效AlGaAs／GaAs太阳电池

报道了采用欠饱和溶液的回熔—再生长液相外延（ＬＰＥ）方法制备高效ＡＩｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结构太阳电池的工艺。研究表明，与传统的过冷生长技术相比，回熔工艺对衬底质量的要求不严格，且能形成有利于光生少子被收集的带隙结构。在工艺优化的情况下，获得大阳电池的全面积转换效率在ＡＭ０，１ｓｕｎ的测试条件下为１８．７８％（０．７２ｃｍ２），在ＡＭ１．５，１ｓｕｎ下为２３．１７％。     

激光作用下多量子阱混迭的热动力学分析

对ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ多量子阱材料,根据温度场方程计算了两种激光作用下多量子阱混迭技术（ＰＡＩＤ及ＰＬＤ）的横向空间选择性,得到ＰＡＩＤ在一般情况下的横向空间选择性为１００μｍ量级,而ＰＬＤ的理论极限为１００μｍ。同时分析了混迭多量子阱材料的能带结构与组分扩散长度的关系,从理论上提出了低温量子阱材料与扩散长度之间的关系曲线。     

GaAs／GaxAl1—xAs异质结的调制反射光谱研究

用光调制光谱方法研究了逐层腐蚀的ＧａＡＳ／Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ异质结，发现不同工的ＧａＡｓ复盖层对异质结表面层电子能带有很大影响。由ＧａＡｓ带间跃迁的Ｆｒａｎｚ－Ｋｅｌｅｙｓｈ效应计算出表面层表面电场随外延层的变薄而增大，并计算出表面费密以级与导带底的距离ｆ＝０．２７（０．０３）ｅＶ，通过对Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ调制光谱分析，发现表面复盖层对Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ层的调制光谱线形有调节作用，不同厚度的     

无GaAs缓冲层MBE生长InSb材料的工艺及其特性

采用无ＧａＡｓ缓冲层，低温＋常规的方法在Ｇ８Ａｓ（１００）衬底上进行了ＩｎＳｂ薄膜的分子束外延（ＭＢＥ）生长，测试了样品的双晶Ｘ射线衍射半峰宽（ＦＷＨＭ），电学霍尔（Ｈａｌｌ）特性及红外透射谱。通过大量的实验发现。不生长０．５μｍＧａＡｓ缓冲层，同样可生长出电学性能及红外透过率都较理想的样品，这可缩短材料的生长周期，降低生产成本，对将来器件的批量制作有一定的意义。     

2英寸高均匀性GaAs多层外延材料

用法国进口的ＧａＡｓＶＰＥ设备，采用ＡｓＣｌ）３／Ｈ＿２／Ｇａ体系，以ＳｎＣｌ＿４ｌ／ＡｓＣｌ＿３为掺杂液，生长了２英寸多层ＧａＡｓ外延材料，自行设计了反应器的热场分布，在反应器中增加了合适的搅拌器，用以改变反应器中气体流动情况。ＧａＡｓ外延层的浓度均匀性与厚度均匀性均小于５％。浓度均匀性的最佳值为３．７％，厚度均匀性的最佳值为１．５％，当外延层载流子浓度为１．９×１０￣（１７）ｃｍ￣（－３）时，室温迁移率达到４３９０ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ。     

B离子在n（Si）－GaAs层中的化学补偿效应

Ｂ＋注入ｎ（Ｓｉ）－ＧａＡｓ层，经高温退火在ＧａＡｓ晶格恢复过程中，Ｂ将占据ＧａＡｓ晶格中一定位置成为替位Ｂ，当Ｂ取代Ａｓ位，则形成双受主ＢＡｓ．当Ｂ取代Ｇａ位，并形成络合物ＢＧａＶＡｓ，将促使Ｓｉ占Ａｓ位，形成受主ＳｉＡｓ和受主络合物ＢＧａＳｉＡｓ．由于所产生的受主与ｎ型层中施主ＳｉＧａ的补偿，减少了ｎ型层的载流子浓度，即Ｂ的化学补偿效应．本文采用霍耳测量及光致发光测量对Ｂ的补偿行为进行分析．     

AlxGa1—xAs／GaAs太阳电池的结构观察和器件性能

运用不同的液相外延生长工艺，制备了两种结构的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ太阳电池，并结合透射电子显微镜等技术分析了外延工艺对器件性能的影响。结果表明，与过冷生长技术相比，回溶工艺对衬底质量的要求不严格，且能形成有利于光生少子被收集的带隙结构。     

无接触法测量多晶硅材料的少子扩散长度

用微波光电导谱仪无接触、非破坏性地测量了多晶硅的微波光电导谱,推导了由光电导谱计算多晶硅样品的少子扩散长度和表面复合速度的计算方法,并由此算得了样品的少子扩散长度和表面复合速度。测试区域是一个直径为3mm的圆斑。这是一种简便而又准确的测试方法。这样的方法还适用于GaAs薄片材料少子扩散长度的测量和计算。     

AlGaAs／InGaAs／GaAs异质结构中扩散噪声和扩散系数的蒙特卡罗研究

本文用蒙特卡罗法研究了ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结构中二维电子气的扩散噪声和扩散系数．同ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结构的情况一样，平行速度相关函数呈现振荡，但不同的是振幅随电子密度变化很小．另外，振幅在ＩｎＧａＡｓ层厚度增加时下降．用单个电子的相关函数和一组电子的位移方差两种不同方法计算了扩散系数．     

GaAs／GaAsAl阴极粘结X射线双晶衍射测量

分析了ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ阴极粘结工艺中应力产生的根源和晶体中应力对Ｘ射线双晶衍射峰的宽度和强度的影响，用Ｘ射线双晶衍射仪测量阴极和玻璃热粘结工艺过程中的阴极材料外延层和衬底的双晶回摆曲线，实验结果表明，ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ阴极粘结工艺没有带来明显的附加应力，外延层衍射角的展宽是由于ＧａＡｓ阴极组件窗玻璃的非晶态性所致。     

Ka波段AlGaAs/InGaAs低噪声PHEMT异质材料结构的计算机优化与实验结果

讨论了毫米波低噪声ＰＨＥＭＴ的设计要点，藕助Ｓｃｈｒｏｅｄｉｎｇｅｒ／Ｐｏｉｓｓｏｎ方程及器件方程，进行了Ｋａ波段ＡｌＧａ／ＩｎＧａＡｓ低噪声ＰＨＥＭＴ用异质层数值计算及ＣＡＤ优化，确定出分子束外延ＭＢＥ时诸层的最佳组分、浓度、与厚度、上述优化分析的结果用于器件的实验研制，取得了３４．４ＧＨｚ下噪声系数（ＮＦ）１．９２ｄＢ、相关增益Ｇａ６．５ｄＢ的国内最好结果。     

气态源分子束外延（AlGa）InP和GaInP／AlInP多量子阱材料

我们用国产第一台化学束外延（ＣＢＥ）系统，采用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）技术研制了与ＧａＡｓ匹配的，性能良好的（ＡｌＧａ）ＩｎＰ材料和ＧａｌｎＰ／ＡｌＩｎＰ多量子阱材料．对这些材料进行了霍耳，光致发光（ＰＬ），阴极荧光（ＣＬ）以及Ｘ射线双晶衍射（ＸＲＤ）等测量分析．     

A1_xGa_（1－x）As／GaAs太阳电池的结构观察和器件性能

运用不同的液相外延（ＬＰＥ）生长工艺，制备了两种结构的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ太阳电池，并结合透射电子显微镜（ＴＥＭ）等技术分析了外延工艺对器件性能的影响。结果表明，与过冷生长技术相比，回熔工艺对衬底质量的要求不严格，且能形成有利于光生少子被收集的带隙结构。在工艺优化的情况下，我们所获得太阳电池的全面积转换效率在ＡＭ０，１ｓｕｎ条件下为１８．７８％（０．７２ｃｍ２），在ＡＭ１．５，ｌｓｕｎ条件下为２３．１７％。