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GaInNAs/GaAs量子阱激光器的发展与未来 总被引:1,自引:0,他引:1
GsInNAs是一种直接带隙半导体材料,在长波长(1.30和1.55μm)光通信系统中具有广阔的应用前景。通过调节In和N的组分,既可获得应变GaInNAs外延材料,也可制备GaInNAs与GaAs匹配的异质结构,其波长覆盖范围为0.9 ̄2.0μm.GaInNAs/GaAs量子阱激光器的特征温度为200K,远大于现行GaInNAsP/InP激光器的特征温度(T0=50K)。GaInNAs光电子器件 相似文献
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本文报道GaAs/AlGaAs多量子阱长波长红外探测器材料的制备及其性能.这种材料由GaAs阱和AlGaAs势垒组成,除内n型掺杂,具有50个周期.利用分子束外延技术成功地生长出了大面积(2英寸)均匀(厚度△t_max/≤3%,组分△ x_max/x≤3.4%,掺杂浓度△nmax/n≤3%,椭圆缺陷≤300cm-2)的外延材料.分析了暗电流的成因,通过加厚势垒(Lb≥300)、控制掺杂(n≤1×10 ̄18cm ̄3)、精确设计子带结构,将暗电流降低了几个数量级,同时使电子的输运得到了改善.由此得到了高质量的 相似文献
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运用光调制光谱方法测量了GaAs/AlxGa1-xAs多量子阱红外探测器材料的调制反射谱,结果表明光调制光谱可以精确确定阱宽、Al组分、子带跃迁能量和探测峰值波长等许多重要参数。结合实验结果,采用Kronig-Penny模型对材料能带结构进行了理论计算,与实验结果相符。 相似文献
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对MOCVD生长的GaAs(40A)/AlxGa1-xAs(300A)多量子阱结构观察到阱内电子从基态到第一激态跃迁引起的红外吸收。用Bruker红外光谱仪测量,发现了一个峰值在986cm^-1(10.1μm)带宽为237cm^-1(9~11.5μm)的强吸收峰,该峰位置与阱内电子从基态到第一激发态跃迁所计算的吸收峰位置基本一致。 相似文献
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本文较为详细的评述了GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器在国内外的发展动态,内容涉及单元探测器的国内外最新水平和研究焦点;新型器件如双色型、光伏型等的国内外最新发展动态,此外还评述了大面积焦平面列阵器件的进展。 相似文献
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本文介绍了用分子束外延法制作的梯度折射率分别限制式单量子阱GaAs/AlGaAs半导体激光器。该器件具有较低的阈值电流密度和单模运转特性,连续输出功率可达55mw。 相似文献
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本文研究了低迁移率GaAs/AlGaAs量子阱的散射机制。由电导测量和Shubnikov de-Haas振荡曲线分别得到输运散射时间τ_0和弛豫时间τ_q(量子散射时间)。在GaAs/AlGaAs量子阱中,τ_0≈τ_q;而在调制掺杂的异质结中,τ_0》τ_q。用量子阱、异质结中起支配作用的散射机构不同很好地解释了实验结果。本文还研究了弱磁场下量子阱的负磁阻效应,这是磁场抑制了电子局域态的结果。 相似文献
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研制了InGaAs/AlGaAs SQW激光器,对其工作特性如阈值电流密度、激射波长、特征温度、远场分布等进行了研究.
用MOCVD方法生长制备了InGaAs/AlGaAs分别限制单量子阱结构材料,得出其各层组分和能带分布.首先在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层和AlGaAs波导层,然后生长窄能带的AlGaAs量子阱势垒层,再继续生长InGaAs量子阱有源区.其后继续生长AlGaAs势垒层、高Al组分AlGaAs波导层和GaAs高掺杂欧姆接触层.我们发现在低温范围里(160 K~220 K)阈值电流密度随温度升高而减小,与普通量子阱激光器正相反,表现出负的特征温度.随着温度进一步提高,阈值电流密度表现出指数式增大.300 K下腔长2000 μm的激光器最低的阈值电流密度约为200 A/cm2.(OD7) 相似文献
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报道具有宽带响应的130元线列GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的研究进展.通过表面光栅耦合,采用垂直入射的工作模式,在T=80K时测得器件探测率的光谱响应曲线的半峰宽为4.3μm.在λ_p=9.5μm时的峰值探测率为4.89×10~9cmHz~(1/2)/W,电压响应率为2.89×10~4V/W. 相似文献
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GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的光荧光表征 总被引:2,自引:0,他引:2
对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器器件进行显微荧光光谱(μ-PL)测量,光谱中表征势垒、势阱基态间光跃迁能量位置的荧光峰值接与势垒中Al含量相关,通过光谱实验上对势垒和量子阱带间跃迁能量的确定并结合有效质量理论的计算,获得了Al组分和阱宽值,并由此推算出相应的红外探测响应波长,与光电流谱的结果相比吻合良好,这种材料的测量结果有利于器件制备的材料筛选。 相似文献