偏心Bridgman－Hg_（1－x）Cd_xTe晶体生长S－L界面形状的数值模拟

用三维数值模拟方法研究了偏心Ｂｒｉｄｇｍａｎ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体生长系统Ｓ－Ｌ界面附近的温度分布．考察了偏心程度、安瓿与炉膛直径相对大小以及炉膛温度分布等对倾斜Ｓ－Ｌ界面的影响情况．结果表明，偏心温度场可提高晶片上一较大区域内的横向组分均匀性．ψ＝０、π面上的等温线分布可作为确定切片倾角的依据     

椭圆柱Bridgman炉生长Hg_(1-x)Cd_xTe晶体时固/液界面形状的数值模拟

用三维数值模拟方法研究了椭圆柱Ｂｒｉｄｇｍａｎ炉生长Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体时固／液界面附近的温度分布，考察了安瓿位置、安瓿与炉膛直径相对大小以及炉膛温度分布等对固／液界面的影响情况．结果表明，椭圆柱Ｂｒｉｄｇｍａｎ炉内的特殊温度场分布有可能提高晶片上横向组分均匀性．     

西安交通大学星源新技术公司

西安交通大学星源新技术公司ＬＳＬ－Ｚ系列高温立式炉我公司研制生产的ＬＳＬ－Ｚ系列自动连续式高温立式炉，造价低、性能优、操作和维修简便、传动准确稳定且调整方便，经多家工厂和科研单位使用，深受欢迎。ＬＳＬ－Ｚ１５０Ⅰ型加大型立式炉，有较大的炉膛１５０ｍｍ...     

西安交通大学电气技术工程公司陶瓷设备厂

西安交通大学电气技术工程公司陶瓷设备厂ＬＳＬ－Ｚ系列高温立式炉我厂研制生产的ＬＳＬ－Ｚ系列自动连续式高温立式炉，造价低、性能优、操作和维修简便、传动准确稳定且调整方便，经多家工厂和科研单位使用，深受欢迎。ＬＳＬ－Ｚ１５０Ⅰ型加大型立式炉，有较大的炉膛...     

西安交通大学星源新技术公司

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西安交通大学星源新技术公司

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西安交通大学星源新技术公司

西安交通大学星源新技术公司ＬＳＬ－Ｚ系列高温立式炉我公司研制生产的ＬＳＬ－Ｚ系列自动连续式高温立式炉，造价低、性能优、操作和维修简便、传动准确稳定且调整方便，经多家工厂和科研单位使用，深受欢迎。ＬＳＬ－Ｚ１５０Ｉ型加大型立式炉，有较大的炉膛１５０ｍ...     

^6—Co—γ辐照感生Si／SiO2慢界面态及其对高频C—V测试的影响

研究了γ辐照感生Ｓｉ／ＳｉＯ２慢界面态的特性及其对高频Ｃ－Ｖ测试的影响。结果表明，辐照产生的慢界面态为界面态的０．３－０．８，分布在Ｓｉ禁带中央以上的能级或呈现受主型。分析认为慢界面态对应的微观缺陷很可能是Ｓｉ－Ｏ断键或弱键。慢界面态的产生还引起Ｃ－Ｖ曲线同测试速率、方向和扫描前保持时间有关。文中提出了如何通过高频Ｃ－Ｖ测量比较准确地计算辐照感生氧化物正电荷、界面态和慢界面态密度的方法。     

通过温度控制LEC—GaAs单晶化学配比的实验研究

通过温度压力改变，使整个ＬＥＣ－ＧａＡｓ单晶生长过程Ａｓ损失最小。获得了化学配比较好的ＳＩ－ＧａＡｓ单晶。单昌表面离和，特别是单晶尾部结构缺陷也少。分析了ＬＥ－ＣＳＩ－ＧａＡｓ单晶生长过程Ａｓ的挥发和生长环境压力对生长的单昌位错密度的影响。     

Si／SiO_2界面态的俘获截面及态密度的能量分布

本文用最近发展起来的准确测量绝缘体与半导体界面态俘获截面的方法［１］，测量了ＭＯＳ结构Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态的俘获截面，并利用这些结果将界面态的ＤＬＴＳ谱反演成界面态的能量分布．结果表明：界面态的电子俘获截面强烈地依赖于能量和温度，空穴俘获截面依赖于温度而与能量无明显相关，Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态在Ｓｉ禁带下半部的是施主态，而在上半部的是受主态，用ＤＬＴＳ测量的界面态不呈Ｕ型分布，它与准静态Ｃ－Ｖ测量的结果完全不同．     

MLS结构的物理与电性能分析

本文从器件物理角度出发，深入研究了ＭＬＳ结构的Ｃ－Ｖ、Ｉ－Ｖ、界面、体内电荷、击穿等电学性能，并研制成功了一种新型的具有优良电性能的ＭＬＳ结构场效应晶体管，所得实验结果与理论相吻合。     

熔体旋淬非晶态Fe—Sm—B合金的磁性研究

研究采用了熔体旋淬技术制备的非晶态Ｆｅ８０－ｘＳｍｘＢ２０合金在温度范围４－３００Ｋ，磁场Ｈ〈１６ＫＯｅ情况下的磁化现象和磁性能，这里Ｏ≤Ｘ≤１６。随着Ｓｍ含量增大，４Ｋ时的磁矩和居里温度降低。Ｓｎ的有效磁矩约为０．３μＢ。我们根据不规则磁各向异性模型分析了４Ｋ时的结果，并由矫顶力的分析得到局部不规则各向异性常数ＫＬ。     

Hg1-xMnxTe晶体的垂直Bridgman法生长系统温度场分析

利用ANSYS有限元软件,以实际炉膛内的温度分布为边界条件,分析了包括生长中的Hg0.9Mn0.1Te晶体和晶体生长炉在内的生长系统的温度场.结果表明,晶体、熔体、高压Hg蒸气和石英的存在,使炉膛内的温度分布趋于平缓.在气液(气固)界面、液固界面、石英坩埚顶部和底部,轴向温度出现转折.随着晶体的生长,固液界面的轴向温度梯度逐渐减小.当石英坩埚完全处于高温区或低温区时,所在位置的温度分布更均匀,但远离坩埚区域的温度场受到的影响很小.     

聚酰亚胺,四甲基氢氧化胺对Si—SiO2界面的影响

通过几组对比实验，揭示了聚酰亚胺、四甲基氢氧化胺对Ｓｉ－ＳｉＯ２界面的影响：聚酰亚胺在Ｓｉ－ＳｉＯ２界面上引入正电荷，四甲基氢氧化胺则在Ｓｉ－ＳｉＯ２界面上引入负电荷。     

Fowler—Nordheim高电场应力引起的MOS结构损伤研究

本文研究了Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ高电场应力引起的ＭＯＳ结构损伤及其室温退火。结果表明有四种损伤产生，氧化物正电荷建立，Ｓｉ／ＳｉＯ２快界面态增长，慢界面态产生和栅介质电容下降，当终止应力后，前三种损伤在室温下有所恢复，但最后一种损伤没有变化，实验还表明：产生的慢界面态分布在禁带上半部；高电场下栅介电容呈现无规阶梯型下降，对四种损伤及其室温退火机理进行了讨论，还给出产生的慢界面态对高频电容－     

Cr/蓝宝石界面的二次离子质谱研究

采用电子束蒸发的方法在２００℃抛光的取向的蓝宝石衬底上淀积２００ｎｍ的Ｃｒ,并在高真空中退火。利用ＭＣｓ＾＋－ＳＩＭＳ技术对样品进行了深度剖析,给出了界面组分分布随退火温度与时间的变化关系。并在８５０退火样品观测一种新的界面结构。     

工艺参数对真空紫外光直接光CVDSiO2—Si界面特性的影响

采用高频（１ＭＨｚ）Ｃ－Ｖ测试和红外谱，研究了工艺参数对ＸＣ激发真空紫外光直接光ＣＶＤＳｉＯ２的ＳｉＯ２／Ｓｉ界面特性的影响。结果表明，衬底温度Ｔｓ对固定氧化物电荷密度△Ｎｏｔ、慢界面态密度△Ｎ的影响比反应室总气压ＰＣ和ＳｉＨ４／Ｏ分压比显著。△Ｎｏｔ和△Ｎｓｔ在１１０℃附近有极小值。约为１０＾１０ｃｍ＾－１２量级。Ｔｓ〉１２０℃，△Ｎｏｔ呈正电荷性，Ｔｓ〈１１０℃，△Ｎｏｔ呈负电荷性，Ｓｉ－Ｏ－     

高性能a-Si:H TFT开关器件的研制

介绍了ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ开关器件的有源层、栅绝缘层、欧接触层以及界面特性的研究工作。研制了ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ单管器件,其开关电流达到６个数量级,为最终研制ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴＡＭＬＣＤ在奠定了坚实的基础。     

热载流子应力感应n-MOSFETsGIDL特性退化的机理

对不同栅氧化物ｎ－ＭＯＳＦＥＴｓ的ＧＩＤＬ（Ｇａｔｅ－ＩｎｄｕｃｅｄＤｒａｉｎＬｅａｋａｇｅ）特性在不同热载流子应力下的退化行为进行了研究．发现ＧＩＤＬ的漂移对栅电压十分敏感,在ＶＧ＝０．５ＶＤ的应力条件下呈现最大．通过对漏极附近二维电场及载流子分布的模拟,引入“亚界面陷阱”概念,对所涉及的机理提出了新见解,认为：在应力期间,亚界面和体氧化物空穴陷阱的解陷分别相应于ＶＧ＝０．５ＶＤ和ＶＧ＝ＶＤ两种典型应力下ＧＩＤＬ的漂移．实验还观察到Ｎ２Ｏ氮化,特别是Ｎ２Ｏ退火ＮＨ３氮化的ｎ－ＭＯＳＦＥＴｓ比常规热氧化ｎ     

Pd／W／Si（111）双层膜形成硅化物的XRD研究

对Ｐｄ／Ｗ／Ｓｉ（１１１）双层膜系统在稳定退火条件下形成硅化物作了研究，实验结果表明：Ｐｄ／Ｗ／Ｓｉ（１１１）双层膜中Ｗ单层膜起了阻挡Ｐｄ－Ｓｉ原子互扩散的作用，随着退火温度的升高，Ｐｄ，Ｗ，Ｓｉ原子的互扩散不断进行，硅化物首先在Ｗ／Ｓｉ界面处生成。由于ＰｄＳｉｘ晶粒不断地长大，将Ｗ原子推到薄膜的外层，形成了Ｐｄ－Ｗ原子的分布反转。这样在Ｓｉ衬底的界面处形成了硅化物的浅接触，而薄膜的外层形成了...