硒化温度对Cu(In, Al)Se2薄膜结构和光学性质的影响

采用了磁控溅射制备Cu-In-Al金属前驱体薄膜,后硒化快速退火得到铜铟铝硒(Cu(In,Al)Se2,CIAS)薄膜.研究了硒化温度对CIAS薄膜晶体结构和光学性质的影响.研究发现CIAS薄膜的晶体结构依赖于硒化温度,其禁带宽度随硒化温度升高发生红移.研究结果表明,CIAS薄膜的最佳硒化温度为540℃,其晶体结构为纯黄铜矿结构,禁带宽度为.34 eV,对应太阳电池理论最大效率的吸收层材料禁带宽度     

MBE生长Zn1—xCdxSe／ZnSe超晶格的SIMS和AES谱

本简要叙述了运用ＭＢＥ技术成功生长出Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格的一些工艺和渗数，并对不同的样品进行了ＳＩＭＳ和ＡＥＳ的测试，首次测得了这种材料的元素分布，结果显示ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格有良好的纵向元素分布。     

基于Zn(Meq)_2为发光和主体材料OLEDs性能的研究

以2-甲基-8-羟基喹啉配体和ZnSO_4·7H_2O合成了有机金属配合物Zn(Meq)_2,并开展了材料的光电特性研究。当双层器件结构为ITO/NPB/Zn(Meq)_2/LiF/Al时,实现了绿光发射,EL峰位位于542 nm,最大亮度和效率分别为7 429 cd/m~2和1.80 cd/A。而当掺杂器件结构为ITO/NPB/Zn(Meq)_2:DCJTB/Alq_3/Li F/Al时,实现了红橙光发射,EL峰位位于580 nm,最大亮度和效率分别为6 075 cd/m~2和1.02 cd/A。结合器件结构和性能,讨论了相关工作机制。