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分析研究了用注F工艺制作的CC4007 电路电子和X射线辐照响应结果。实验表明,把适量的F注入栅场介质,能明显抑制辐射所引起的PMOSFET 阈电压的负向漂移和NMOSFET阈电压的正向回漂及静态漏电流的增加。I-V特性表明,栅介质中的F能减小辐射感生氧化物电荷和界面态的增长积累。注F栅介质电子和X射线辐照敏感性的降低,是Si-F结键释放了Si/SiO2 界面应力,并部分替换在辐照场中易成为电荷陷阱的Si-H弱键的缘故。 相似文献
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介绍了利用^90Sr-^90Y源辐照装置对MOSFET进行低剂量率辐射条件下的电离辐射效应实验,着重研究了MOSFET的辐照敏感参数随辐照剂量的变化规律,并对实验结果进行了分析讨论。 相似文献
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两种注F层面的PMOSFET电离辐射响应特性 总被引:4,自引:1,他引:3
报道了栅氧化淀积多晶硅前后分别注入43keVF离子的Si栅P沟MOSFET电离辐射响应关系。结果发现,多晶硅面注F具有较强的抑制辐射感生阈电压漂移,控制氧化物电荷和界面态生长的能力。用多晶硅面注F带入栅介质较少注入缺陷和较多替代辐射敏感应力键的F离子模型对实验结果进行了讨论。 相似文献
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对具有侧向寄生晶体管的 NMOSFET的电离辐射效应进行二维数值模拟。通过在 Si O2内解泊松方程、电流连续性方程及总剂量引入的空穴陷阱的辅助方程 ,对 NMOSFET的电离辐射效应特性进行研究 ,得出辐射产生的泄漏电流 ,主要是由于鸟嘴区和场氧区侧向寄生晶体管阈值电压的漂移所引起的 相似文献
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研究了注F加固PMOSFET的总剂量辐照响应特性和辐照后由氧化物电荷、界面态变化引起的阈电压漂移与时间、温度、偏置等退火条件的关系,发现一定退火条件下注F加固PMOSFET由于界面态密度、特别是氧化物电荷密度继续增加,使得电路在电高辐照后继续损伤,探讨了加速MOS器件电离辐照感生界面态生长的方法。 相似文献
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^60Coγ射线低能散射对CMOS器件电离辐射效应的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
以^60Coγ射线辐射场中采用Pb/Al屏蔽和非屏蔽的方法,研究比较了低能散射对CMOS器件电离辐射效应的影响。在理论计算基础上,设计了Pb/Al屏蔽盒。实验结果表明,低能散射占总电离辐射吸引剂量的20%左右,采用Pb/Al屏蔽盒可以消除低能散射的影响,能更可靠地进行微电子器件抗辐射加固水平的精确评估与对比;低能散射对Kovar封装的器件产生剂量增强效应,剂量增强因子小于2.0. 相似文献
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不同剂量率LC54HC04RH电路的电离辐射效应 总被引:2,自引:0,他引:2
对 L C54HC0 4 RH电路在不同辐射剂量率进行了电离辐射实验。分析了该电路的阈值电压随辐射剂量率的变化关系。实验结果表明 :在辐射剂量率处于 3× 10 -4 Gy(Si) / s到 1.98×10 -1Gy(Si) / s范围内 ,辐射感生界面陷阱电荷随辐射剂量率的减少而增加。辐射感生界面陷阱电荷是导致该电路在空间辐射环境下失效的主要原因。 相似文献
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