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BF2^+注入多晶硅栅的SIMS分析 总被引:1,自引:0,他引:1
文本采用SIMS技术,分析了BF2^+注入多晶硅栅退火前后F原子在多晶硅和SiO2中的迁移特性,结果表明,80keV,2×10^15和5×10^15cm^-2BF2^+注入多晶硅栅经过900℃,min退火后,部分F原子已扩散到SiO2中,F在多晶硅和SiO2中的迁移行为呈现不规则的特性,这归因于损伤缺陷和键缺陷对F原子的富集作用。 相似文献
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本文用透射电镜(XTEM)和二次离子质谱(SIMS)分析了由超高真空化学气相淀积法(UHVCVD)生长的n-Si/i-p+-iSiGe/n-Si结构,发现在硅上外延生长i-p+-iSiGe时,在靠近Si的i/p+SiGe界面处存在一个很薄的层,但在i-p+-iSiGe上外延生长Si时,无此现象产生.此薄层是由在硅上外延生长i-p+-iSiGe时硼原子聚集在靠近Si的i/p+SiGe界面处形成的高掺杂薄层.高掺杂的薄层影响由此结构制备的异质结双极晶体管(HBT)的BC结的正向导通电压. 相似文献
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周继承 《固体电子学研究与进展》1999,19(4):423-427
用四探针法、扩展电阻法、背散射沟道谱和二次离子质谱等测试分析手段研究了Si+ /B+ 双注入单晶硅的快速热退火行为。结果表明:Si+ 预非晶化注入能有效地抑制注入硼原子的沟道效应;快速热退火Si+ /B+ 注入样品,其注入损伤基本消除,残留二次缺陷少,硼原子电激活率高;优化与控制快速热退火条件和Si+ /B+ 注入参数,制备出了电学特性优良的浅p+ n 结,其二极管反偏漏电流仅为1.9 nA·cm - 2(- 1.4V)。 相似文献
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针对Si-SiO2过渡区对于离子注入较为敏感的特点,用1.2MeV,剂量1×1010cm-2的Fe+和H+先后注入SiO2-Si样品,并用XPS技术重点分析了Si-SiO2界面附近硅的化学结构、组分的变化。结果表明,在界面附近,除了Si4+,Si0价态,还存在明显的Si2+价态。这和注入H+产生的高温退火以及Si—Si键或Si—H键的形成有关。 相似文献
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本文对30kev Si^+和分子离子SiF^+注入半绝缘GaAs的行为进行了研究对比。注入Si^2+样品的Si原子纵向分布与相同条件下用SICT模拟程序理论计算出的分布相一致。经灯光900℃10″RTA,电激活率可达60%,电化学C-V测得的载流子纵向分布与注入态SIMS结果相同,可以获得近0.2μm的GaAs有源层。而注入分子离子SiF^+样品,虽注入层较浅,但灯光退火后,电激活率很低。因此,用 相似文献
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利用常规的LEED和高分辨率的SPA-LEED技术研究了标称(337)的Si表面原子结构.经过反复的离子轰击(700eVAr+)和1300K退火之后的这种表面形成稳定的(5,5,12)晶面,即结构周期为(337)+(225)+(337)的有序的原子排列.这一事实说明:Si(5,5,12)是比Si(337)更为稳定的晶面.LEED和SPA-LEED图像证实,稳定的Si(5,5,12)表面为(2×1)原子再构,即沿[110]方向的周期是体内结构周期的两倍,而沿[665]方向的周期与体内结构周期相同. 相似文献
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采用低温生长缓冲层,高温生长GeSi外延层的方法在n型Si衬底上外延生长(i)Ge0.85Si0.15-(p)Si层,以此材料作为吸收区制备成GeSi/Si异质结pin台面光电二极管。其波长范围为0.7-1.55μm,峰值波长位于1.06μm,暗电流密度低达0.033μA/mm^2(-2V),在1.06μm和1.3μm处的响应度分别为1.8A/W(-2V)和0.066A/W(-V)。 相似文献
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用深能级瞬态谱(DLTS)研究了分子束外延生长的Ge0.4Si0.6/Si多量子阱与Ge/Si为超晶格样品中深能级中心的性质,在种样品中都观测到两个多数载流子中心和一个少数载流子中心,在Ge0.4Si0.6/Si多量子阱样品深中心E2的能级位置为EC-0.30eV,E3的能级位置为Ec-0.22eV,并且在正向注入下随着E2峰的消失到一个少数载流子峰SH1,其能级位置为EV+0.68eV,在Ge/ 相似文献
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用二次离子质谱对As+注入Si1-xGex的快速退火行为进行了研究,Si1-xGex样品中Ge组分分别为x=0.09,0.27和0.43,As注入剂量为2×10^16cm^-2,注放能量为100keV,快速退火温度分别为950℃和1050℃,时间均为18秒,实验结果表明,Si2-xGex样品,As浓度分布呈组分密切相关,Ge组分越大,As扩散越快,对于Ge组分较大的Si1-xGex样吕,Asdispla 相似文献
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衬底温度对VUV光直接光CVD SiO2/Si界面缺陷的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了VUV(真空紫外)光直接光CVD(化学汽相淀积)SiO2/Si界面微结构缺陷与衬底温度(Ts)的关系。实验结果表明:在32℃ ̄180℃的温度范围内,与Si-O-Si伸缩模相对应的IR峰位随Ts的降低从1060cm^-1增加到1080cm^-1。固定氧化物电荷密度(ΔNot)在Ts〉120℃后,呈正电性,与位于3.10eV的氧空位缺陷相关;在Ts〈100℃一侧,呈负电性,与2.84eV能级位置 相似文献
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将具有能量92ke V、剂量1×1015/cm 2 的 B F+ 注入由 P E C V D 方法制备的a Si∶ H 薄膜中,然后用功率为 60 W 、束斑直径 02cm 的 C W C O2 激光器进行 10s 快速退火。再用扫描电子显微镜( S E M)进行显微形貌观察。分析结果指出:由于 B F+ 的注入,使a Si∶ H 薄膜中产生了多重结构缺陷,其表面轮廓是类似矩形和方形的图形;发现退火中的晶化是从这些缺陷的棱边开始。最后对晶化过程和机理进行了讨论。 相似文献
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本文用椭圆偏振光谱法研究了低温(77K)、中等能量(147keV)、剂量分别为3×1013及4×1013ions/cm2的BF2+分子离子注人Si的损伤及退火效应.根据样品椭圆偏振参数与C-Si的比较确定退火后晶格恢复的程度.结果表明,椭偏测量是研究分子离子注入Si的有用工具;BF注入硅样品的退火转变温度在500℃以下;并获得在某些实验条件下的最佳退火温度和最佳退火时间。 相似文献
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Mo/Si多层膜界面离子束处理及TEM观察薛钰芝R.Schlatmann,林纪宁A.Keppel,J.Verhoeven(大连铁道学院,大连116022)(荷兰FOM原子分子物理研究所)软X射线多层膜(MultilayersforSoftX-rayO... 相似文献
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用二次离子质谱对As+注入Si(1-x)Gex的快速退火行为进行了研究.Si(1-x)Gex样品中Ge组分分别为x=0.09,0.27和0.43.As+注入剂量为2×10(16)cm(-2),注入能量为100keV.快速退火温度分别为950℃和1050℃,时间均为18秒.实验结果表明,Si(1-x)Gex中As的扩散与Ge组分密切相关,Ge组分越大,As扩散越快.对于Ge组分较大的Si1-xGex样品,As浓度分布呈现“盒形”(box-shaped),表明扩散与As浓度有关.Si1-xGex样品中As的快 相似文献
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利用卢瑟福背散射(RBS)、X光电子谱和俄歇电子能谱分析,研究了Si0.5Ge0.5合金在1000℃下湿氧化所生成的氧化物的特征。结果表明:这种氧化物为双层结构。靠近表面的一层为(Si,Fe)Ox混合层,在其下面是纯的SiOx层,Ge被排斥并积在SiOx/Si0.5Ge0.5界面附近。 相似文献