C60与金属：界面相互作用和外延取向关系

本文介绍了Ｃ６０／Ａｌ，Ｃ６０／Ａｇ纳米体系的微结构和电荷转关系，以及Ｃ６０薄膜在不同金属衬底表面的生长和取向的关系。结果表明：（１）Ｃ６０／金属薄膜体积 的Ｒａｍａｎ光谱Ａｇ（２）模的罗化现象是由于Ｃ６０和Ａｌ间的界面电荷转移引起的；（２）Ｃ６０在金属表面的生长除了受晶格匹配的几何因素影响外，还决定际Ｃ６０与金属间相互作用的强弱。     

用ICB法制备C60薄膜

用ＩＣＢ法制备Ｃ＿（６０）薄膜１９９０年以来，对作为新材料的Ｃ＿（６０）展开了广泛的研究工作，特别是利用掺杂碱金属来控制电导率，制作临界温度Ｔ＿ｃ＝１８Ｋ（Ｋ＿３Ｃ＿（６０）），３３Ｋ（ＲｂＣｓ＿２Ｃ＿（６０））的超导体，用它制作新电子器件的希望很大...     

分子束外延CdTe（211）B／GaAs（211）B的特性研究

ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ是ＨｇＣｄＴｅ分子束外延的重要替代衬底材料。用Ｘ双晶衍射和光致发光测试研究了分子束外延生长的ＣｄＴｅ（２１１）Ｂ／ｇＡｓ（２１１）Ｂ的晶体结构质量，表明外延膜昌体结构完整，具有很高的质量。用高分辨率的透射电镜研究其界面特性，观察到ＣｄＴｅ（２１１）Ｂ相对于ＧａＡｓ（２１１）Ｂ向着（１１１）方向倾斜一个小角度，界面的四面体键网发生扭曲，由于晶格失配，在界面存在很高的失配位错密度。     

Hg系高温超导体的电子显微镜研究

Ｈｇ系高温超导体的电子显微镜研究邵贝玲，王晓华，刘安生，宿延京，曹国辉，赵忠贤（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）（北京科技大学，中科院物理所国家超导中心）具有高临界转变温度的Ｈｇ系列高温超导体ＨｇＢａ＿２Ｃａ＿（ｎ－１）Ｃｕ＿ｎＯ＿（２ｎ＋２...     

分子束外延CdTe（211）B／GaAs（211）B的特性研究

ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ是ＨｇＣｄＴｅ分子束外延的重要替代衬底材料。用Ｘ双晶衍射和光致发光测试研究了分子束外延生长的ＣｄＴｅ（２１１）Ｂ／ＧａＡｓ（２１１）Ｂ的晶体结构质量，表明外延膜晶体结构完整，具有很高的质量。用高分辨率的透射电镜研究其界面特性，观察到ＣｄＴｅ（２１１）Ｂ相对于ＧａＡｓ（２１１）Ｂ向着［１１１］方向倾斜一个小角度（约３°），界面的四面体键网发生扭曲，由于晶格失配，在界面存在很高的失配位错密度。用二次离子质谱分析仪分析了ＧａＡｓ衬底中的Ｇａ和Ａｓ向ＣｄＴｅ外扩散的情况。结果表明：如果要在ＧａＡｓ衬底上生长ＨｇＣｄＴｅ外延膜，必须先生长一层具有一定厚度的ＣｄＴｅ来阻止Ｇａ和Ａｓ向ＨｇＣｄＴｅ的外扩散和失配位错的延伸。     

掺杂C_(60)超导体的电子结构、物理性质及其超导机制

由足球型状的Ｃ６０分子构成的Ｃ６０固体是碳元素的一种新的存在形式,掺杂Ｃ６０固体是一种新型的有机超导体,其中ＲｂＣｓ２Ｃ６０的Ｔｃ创下了有机超导体超导转变温度的最高纪录。文中将就掺杂Ｃ６０超导体的电子结构、物理性质、超导机制作一概括的介绍。     

C60发光器件与异质结

Ｃ_（６０）发光器件与异质结杨国伟（湘潭大学物理系，湘潭４１１１０５）１引言富勒烯作为一种新型的功能材料，已经引起科技界的广泛关注，成为近年来材料研究的热点，尤其是富勒烯中碱金属掺杂的Ｃ５０表现出的高温超导性，以及Ｃ６０、Ｃ７０等表现出强烈的非线性光?..     

Al—C60界面相互作用的Raman光谱研究

用真空气相沉积的方法在ＮａＣｌ（００１）基片上制备了Ａｌ－Ｃ６０共蒸膜。由于界面上Ａｌ和Ｃ６０间的相互作用，Ａｌ－Ｃ６０混蒸膜的Ｒａｍａｎ谱相比纯Ｃ６０薄膜４ 显著的改变。Ａｇ（２）模的软化可归因子界面上的Ａｌ和Ｃ６０之间的电荷转移。但是，要解释上述Ｒａｍａｎ谱中所有的特征，尚须建立一个更复杂的Ｃ６０－Ａｌ界面相互艇模型。     

脉冲激光淀积高电流密度的YBCO超导带材

采用脉冲激光加辅助离子源的方法在长为６．０ｃｍ的ＮｉＣｒ合金基带上制备０．１３μｍ厚的Ｙ－ＺｒＯ２（ＹＳＺ）隔离层，再用脉冲激光在ＹＳＺ／ＮｉＣｒ带上制备１．５μｍ厚的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ超导厚膜形成ＹＢＣＯ／ＹＳＺ／ＮｉＣｒ超导带材。实验测得在７７Ｋ，０Ｔｅｓｌａ下其临界电流密度为８．７５×１０４Ａ／ｃｍ２，超导转变温度为８８．６Ｋ。     

晶格失配对C／BN异质结价带偏移的影响

本文采用Ｌｏｗｄｉｎ微扰原理改进计算效率的局域密度泛函（ＬＤＦ）线性Ｍｕｆｆｉｎ－ｔｉｎ轨道原子球近似（ＬＭＴＯ－ＡＳＡ）能带从头计算方法，以平均键能Ｅｍ作参考能级，计算了以闪锌矿结构氯化硼为衬底外延生长金刚石（Ｃ／ＢＮ）、以Ｃ０．５（ＢＮ）０．５合金为衬底外延生长金刚石与闪锌矿结构氯化硼（ＣＩＢＮ）、以金刚石为衬底外延生长闪锌矿结构氯化硼（Ｃ＼ＢＮ）和金刚石与氮化硼以平均晶格常数匹配生长（Ｃ－ＢＮ）等四种不同情况下，宽禁带半导体异质结Ｃ／ＢＮ的价带偏移△Ｅｖ值，结果分别为１．５０５、１．４９４、１．３８     

硅上溅射BSCCO薄膜的微结构分析

重点研究了利用偏轴射频溅射的方法在Ｓｉ衬底上生长ＹＳＺ（Ｙ稳定的ＺｒＯ２）缓冲层及Ｂｉ－Ｓｒ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ超导薄膜的工艺，获得了８２Ｋ的超导转变温度（Ｔｏｎ）。利用扫描原子显微镜和原子力显微镜对不同条件下生长的ＹＳＺ和ＢＳＣＣＯ薄膜进行了观察，提出了ＹＳＺ晶粒填补Ｓｉ衬底上针孔的新功能，并验证了ＢＳＣＣＯ薄膜的螺旋柱状生长机理。     

光激发和碱金属掺杂C60中能量的变化

用电子－晶格耦合的紧束缚模型研究了光激发和碱金属掺导Ｃ６０的能量变化。发现在泊激发或碱金属掺杂引起的Ｊａｈｎ－Ｔｅｌｌｅｒ效应中，其能量的变化为弹性能减少，电子能量啬；且弹性能的减少量远大于基态二聚化相变时弹性能的增加量。     

YBCO／Y－ZrO＿2／（1120）蓝宝石多层膜超导材料的分析电镜研究

我们在具有Ｙ稳定的ＺｒＯ＿２（ＹＳＺ）层的蓝宝石上获得高质量的ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７（ＹＢＣＯ）高温超导薄膜。在零磁场下，７７ｋ时，其临界电流密度达到１．６×１０￣６Ａ／ｃｍ￣２。本文确定了多层膜超导材料的取向关系。ＹＢＣＯ膜的（００１）面平行于ＹＳＺ过渡层的（１００）表面。ＹＳＺ层厚为２０ｎｍ。并且，由于Ｂａ自ＹＢＣＯ层的外扩散，ＹＳＺ层含有Ｂａ。尽管蓝宝石与ＹＳＺ层间的晶格铅配很大，由于ＹＳＺ层具有［１００］择优取向，仍能获得准单晶的ＹＢＣＯ薄膜。在ＹＢＣＯ薄膜中，观察到均匀分布的、微小尺寸的Ｙ＿２ＢａＣｕＯ＿５（２１１相）沉淀粒子，它们也有利于提高临界电流密度。     

InGaAs／InP超晶格材料的GSMBE生长研究

在国产第一台ＣＢＥ（Ｃｈｅｍｉｃａｌｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）设备上，用ＧＳＭＢＥ（Ｇａｓｓｏｕｒｃｅｍｏｌｅｃｕｌａｒｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）技术在国内首次研究了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ匹配和应变多量子阱超晶格材料的生长，用不对称切换方法成功地生长了高质量的匹配和正负应变超晶格材料，并用双晶Ｘ－射线衍射技术对样品进行了测试和分析．结果表明，我们在国产第一台ＣＢＥ设备上用ＧＳＭＢＥ技术采用非对称切换方法生长的超晶格材料质量很好．     

用低温磁力显微镜观察YBa2Cu3O7—x超导薄膜中的涡旋

用低温磁力显微镜观察ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－ｘ）超导薄膜中的涡旋＠郑兆佳＠袁彩文￥武汉工业大学材料研究与测试中心￥美国德克萨斯大学（奥斯汀）物理系用低温磁力显微镜观察ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ超导薄膜中的涡旋郑兆佳袁彩文ＡｌｅｘｄｅＬｏｚａｎｎｅ（武汉工业...     

C60与金属：界面相互作用和取向关系

Ｃ６０与金属：界面相互作用和取向关系侯建国１，２王兵２张庶元１李永庆２王衍２徐文涛２曾建林２（中国科学技术大学，１．中国科学院成分与结构分析开放实验室，２．基础物理中心，合肥２３００２６）Ｃ６０与金属间的相互作用始终是科学家的关注焦点。在Ｃ６０－碱金...     

C60 LB单分子膜的电光Pockels效应

用电光调制衰减全反射光谱技术研究了Ｃ６０与花生酸混合的ＬＢ单分子膜的Ｐｏｃｋｅｌｓ（普克尔）效应。测量得到Ｃ６０ＬＢ膜的二阶非线性光学系数χ（２）（－ω;ω,０）＝０．５×１０－１２ｍ／Ｖ（１．３×１０－９ｅｓｕ）。这一结果与用光学二次产生测量Ｃ６０热蒸发膜的χ（２）（－２ω;ω,ω）同一数量级。并利用单分子层模型计算了Ｃ６０分子的超极化率为β＝１．１×１０－３０ｅｓｕ。     

C60薄膜的制备

本文首先简要叙述了Ｃ＿（６０）分子的结构以及Ｃ＿（６０）固体的结构和物性，然后较详细地讨论了目前采用的几种气相生长Ｃ＿（６０）。薄膜的方法，以及不同的衬底上Ｃ＿（６０）薄膜的生长特性，最后提出了目前Ｃ＿（６０）薄膜生长研究中存在的几个问题。     

超导／半导兼容材料的制作及性能分析

介绍了几种结构合理的超导／半导兼容材料的制作技术及其测试结果，重点讨论了超导体（ＹＢＣＯ）与半导体（Ｓｉ，ＣａＡｓ）间缓冲层的选取，并对这几种复合材料的性能作了较详细的分析。     

BEAB对已获认可产品的制造商在“测试和质量保证程序”方面的原则要求

ＢＥＡＢ对已获认可产品的制造商在“测试和质量保证程序”方面的原则要求电气安全性试验：控制器（ｔｅＩＥＣ７３０、ＥＮ６０—７３０、ＣＥＥ２４或ＢＳ３９５５标准认证的产品）简介１．对控制器而言，如果能满意地向ＢＥＡＢ检查员表明，在产品设计、生产技术和功能...