MOSFET衬底电流模型在深亚微米尺寸下的修正

建立精确的衬底电流模型是分析ＭＯＳＦＥＴ器件及电路可靠性和进行ＭＯＳＦＥＴ电路设计所必需的．在分析载流子输运的基础上建立了一个常规结构深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的解析模型,模型公式简单．对模型进行了验证,研究了衬底掺杂浓度与栅氧化层厚度对拟合因子的影响,并分析了模型中拟合因子的物理意义．     

极薄SOI MOSFET的2维解析模型

极薄ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的２维解析模型＝Ｔｗｏ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌａｎａｌｙｔｉｃｍｏｄｅｌｉｎｇｏｆｖｅｒｙｔｈｉｎＳＯＩＭＯＳＦＥＴ＇ｓ／［刊，英］／Ｊａｓｏｎ，Ｃ．Ｓ…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ－１９９０．３７（９）．－１９...     

NMOS低温热载流子晶体管的解析研究

利用低温（７７－２９５Ｋ）短沟ＮＭＯＳＦＥＴ准二维解析模型，研究了７７－２９５Ｋ温区ＮＭＯＳＦＥＴ衬底电流相关的物理机制。发现沟道电子平均自由程不随温度而改变，其值约为７．６ｎｍ；低温下虽然沟道电子在漏端获得较高的能量，但由于碰撞电离减弱，使ＮＭＯＳＦＥＴ的衬底电流不随温度降低而显著增长。实验结果证明，提出的衬底电流机制和模型适用于７７－２９５Ｋ宽温区范围。     

深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析

利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效的道长度，栅氧厚度，源漏结深，衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的影响，发现电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流有着强烈的影响，热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小，当电源电压降低到一定程度时，热载流子效应不再成为影响深亚微米ＭＯＳ电路可靠性的主要问题。     

在1．8GHz频率下功率密度为2．8W／mm的4H－SiCMESFET

本文论述了使用４Ｈ－ＳｉＣ衬底及外延层制作ＭＥＳＦＥＴ的方法，测得了栅长为０．７μｍ、栅宽为３３２μｍ的ＭＥＳＦＥＴ的直流、Ｓ参数和输出功率特性。当Ｖｄｓ＝２５Ｖ时，电流密度约为３００ｍＡ／ｍｍ，最大跨导在３８～４２ｍＳ／ｍｍ之间；当频率为５ＧＨｚ时，该器件的增益为９．３ｄＢ，ｆｍａｘ＝１２．９ＧＨｚ。当Ｖｄｓ＝５４Ｖ时，功率密度为２．８Ｗ／ｍｍ，功率附加效率为１２．７％。     

MOSFET衬底电流模型及参数提取

在短沟道ＭＯＳＦＥＴ器件物理的基础上,导出了其衬底电流解析模型,并通过实验进行了模型参数提取。模型输出与短沟ＭＯＳＦＥＴ实测结果比较接近,可应用于ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ可靠性模拟与监测研究和亚微米ＣＭＯＳ电路设计。     

深亚微米PESD MOSFET特性研究及优化设计

本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导较大，且对热载流子效应的抑制能力较强，因此具有比较好的性能．给出了ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ的优化设计方法．当ＭＯＳＦＥＴ尺寸缩小到深亚微米范围时，ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ将成为一种较为理想的器件结构     

在Si衬底上生长高跨导p型Ge沟MODFET

在Ｓｉ衬底上生长高跨导ｐ型Ｇｅ沟ＭＯＤＦＥＴ＝ｐ－ＴｙｐｅＧｅ－ｃｈａｎｎｅｌＭＯＤＦＥＴ’ｓｗｉｔｈｈｉｇｈｔｒａｎｓｃｏｎｄｕｃｔａｎｃｅｇｒｏｗｎｏｎＳｉｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ［刊，英］／Ｋｏｎｉｇ，Ｕ．…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅ...     

深亚微米PESD MOSFET特性研究及优化设计

本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导较大，且对热载流子效应的抑制能力较强，因此具有比较好的性能．给出了ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ的优化设计方法．当ＭＯＳＦＥＴ尺寸缩小到深亚微米范围时，ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ将成为一种较为理想的器件结构     

超薄SOI MOSFET漏击穿机理的分析

超薄ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ漏击穿机理的分析＝Ａｎａｌｙｓｉｓｏｆｔｈｅｄｒａｉｎｂｒｅａｋｄｏｗｎｍｅｃｈａｎｉｓｍｉｎｕｌｔｒａ－ｔｈｉｎ－ｆｉｌｍＳＯＩＭＯＳＦＥＴ，ｓ［刊，英１］／Ｙｏｓｈｉｍｉ．Ｍａｋｏｔｏ∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤ...     

MOSFET电离辐射感生跨导退化的简单模型

本文提出了一个能有效反映辐射感生氧化物电荷积累和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态密度增加分别对ＭＯＳＦＥＴ跨导退化影响的简单模型．通过模型与实验结果比较，讨论了不同沟道类型ＭＯＳＦＥＴ（ＮＭＯＳＦＥＴ和ＰＭＯＳＦＥＴ）跨导退化的机制．     

适合于PSPICE的一种精确的功率MOSFET等效电路

建立了一种新的功率ＭＯＳＦＥＴ等效电路，以便利用先进的电路模拟软件ＰＳＰＩＣＥ对功率ＭＯＳＦＥＴ所有特性进行模拟和分析．对ＩＲ公司的各类ＨＥＸＦＥＴ进行的模拟结果与其数据手册中的实验曲线十分吻合，表明该模型具有较高的精确性．     

BMHMT－Bi－MOS混合模式晶体管

本文提出了一种Ｂｉ－ＭＯＳ混合模式晶体管──ＢＭＨＭＴ，其本质上为表面ＭＯＳ与ＬＢＪＴ共同工作的四端ＭＯＳＦＥＴ，工艺上与ＭＯＳＦＥＴ全兼容。ＢＭＨＭＴ具有比单一ＭＯＳ、单一ＬＢＪＴ及他们的简单叠加更高的电流驱动能力，ＢＭＨＭＴ作为一种发射结具有赝异质结特性的器件，在输出电流为每单位宽度０．５ｍＡ时电流放大倍数可高达２５００（Ｖ＿（ＢＳ）＝０．６２Ｖ），在小的基区电流下，ＢＭＨＭＴ的短沟效应明显小于ＭＯＳＦＥＴ。ＰＩＳＣＥＳ模拟结果与实验结果成功地证明了ＢＭＨＭＴ的以上特点。     

微波MESFET小信号噪声等效电路模型分析

本文将噪声源引入ＭＥＳＦＥＴ小信号等放电路模型，推导了由ＭＥＳＦＥＴ内部参数计算其参数的计算公式及由噪声源引起的各端口噪声电流表达式和噪声参数的计算公式，编制了相应的计算程序和绘图程序，经验证得到了令人满意的结果，说明ＭＥＳＦＥＴ小信号噪声等效电路模型对研究和应用ＭＥＳＦＥＴ是有效的和新颖的。     

深亚微米MOSFET模型研究进展

文中对在深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的器件模型研究基础上，提出了研究ＭＯＳＦＥＴ模型值得注意的问题，并对如何建立深亚微米ＭＯＳＦＥＴ模型作出了有益的探讨。     

薄膜n沟SOIFET断路期间异常电压的过冲

薄膜ｎ沟ＳＯＩＦＥＴ断路期间异常电压的过冲＝Ａｎｏｍａｌｏｕｓｖｏｌｔａｇｅｏｖｅｒｓｈｏｏｔｄｕｒｉｎｇｔｕｒｎ－ｏｆｆｏｆｔｈｉｎ－ｆｉｌｍｎ－ｃｈａｎｎｅｌＳＯＩＭＯＳＦＥＴ’ｓ［刊，英］／Ｓｈａｈｉｄｉ，Ｇ．Ｇ．…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃｔｒｏｎ...     

SOI MOSFET的跨导

ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的跨导＝Ｔｒａｎｔｃｏｎｄｕｃ－ｔａｎｃｅｏｆｓｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－ｉｎｓｕｌａｔｏｒＭＯＳＦＥＴ＇ｓ［刊，英］／Ｃｏｌｉｎｇｅ，Ｊ．Ｐ∥ＩＥＥＥＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ．Ｌｅｔｔ．－１９８５．６（１１）．－５７３～５７４用背栅偏压作...     

短沟道MOSFET渡越时间物理模型

叙述了一个考虑包括速度过冲等短沟道效应的ＭＯＳＦＥＴ渡越时间解析模型，计算结果与二维数值模拟符合较好。基于该模型，探讨了在线性工作区和饱和工作区渡越时间对栅偏压依赖关系的不同，并作了物理解释。模型还表明由速度过冲带来渡越时间的缩短对沟道长度大于０．２５μｍ的ＭＯＳＦＥＴ不超过１０％     

包含自加热效应的短沟道SOIMOSFET直流模型

ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ中存在着严重的自加热效应,对其直流特性有较大的影响。给出准确的自加热效应模型是精确模拟ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ直流特性的基础。文中通过对自加热效应的分析,建立了ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的自加热效应模型,在此基础上给出了一个包含自加热效应的短沟道ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ直流模型,并对该模型进行了验证。     

低通滤波器结构的改进分析及模拟

在高频域，ＭＯＳＦＥＴ的分布参数对全集成ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ滤波器的特性有很大影响，本文应用ＳＰＩＣＥ（Ⅱ）通用模拟电路程序，采用非理想运算放大器单极点电路模型，考虑到ＭＯＳＦＥＴ的寄生电容，对一个六阶切比雪夫低通滤波器全ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ平衡结构应用传输线模型进行了仿真分析。