同轴锗(锂)探测器脉冲上升时间的测量

利用上升时间谱仪及γ束位置扫描技术,测量了双开端同轴Ge(Li)探测器的脉冲波形,并与理论值进行了比较,对理论曲线和实验曲线的差异作了初步分析。     

同轴锗(锂)γ射线探测器

本文主要介绍用锂漂移方法制备单开端同轴锗(锂)[Ge(Li)]探测器的工艺及其主要性能的测试结果。试制成的探测器的灵敏体积为26—43厘米~3,封装在真空度为3×10~(-6)毫米汞柱的低温装置中,在液氮温度(77°K)下使用。典型样品乙-4-5-1的灵敏体积为26厘米~3,其工作偏压为1千伏,对~(137)Cs662千电子伏γ射线能量分辨率为2.8千电子伏,峰康比为14,对~(60)Co1.33兆电子伏γ射线能量分辨率为5.1千电子伏,峰康比为7.7。在25厘米处测得相对于3×3时NaI(Tl)的效率分别为4.2%和3.4%,绝对效率分别为0.47×10~(-4)和0.2×10~(-4)。     

大体积同轴型锗(锂)探测器的半经验效率刻度法

本工作测定了136cm~3同轴型锗(锂)探测器在不同能量下的全能峰绝对效率。在引入有效作用深度后,用半经验参数法对实测的绝对效率值作了非线性最小二乘拟合。拟合值与实验值符合良好。     

半导体锗(锂)探测器低温装置的试制

近十几年来,半导体锗(锂)[Ge(Li)]探测器在核物理实验等各方面得到了广泛应用。而这种探测器必须在低温下工作和贮存,因此需要一种专门的能长期保持低温的装置。我们坚持独立自主,自力更生的方针,组成以工人为主体的工人、科技人员、干部三结合小组,实行设计、试制、使用单位三结合,经     

用脉冲形状甄别法改善锗(锂)探测器性能

本文介绍采用脉冲形状甄别法改善陷阱效应显著的锗(锂)探测器及中子损伤探测器性能的结果。对能量分辨率及峰康比的改善为50％,而峰高计数率降低很少     

n型同轴高纯锗探测器

本文介绍了研制n型同轴高纯锗探测器的方法及技术。探测器具有薄的(约0.3μm)离子注入p~+外接触,可探测0.005—10MeV的X和γ射线,并具有较高的耐辐射损伤性能,所研制成的探测器灵敏体积约120cm~3,对1.33MeVγ射线:相对效率为24.5％,能量分辨率为2.13keV,峰康比为48.3:1,电子学噪声为1.28keV。     

高纯锗N型同轴探测器研制

本文介绍高分辨率Ｎ型同轴纯锗探测器研制的工艺方法和技术，典型的探测器能量分辨率为ＦＷＨＭ＝１．８０ｋｅＶ；探测效率为２０％；工作偏压为４０００Ｖ。此探测器性能及技术指示达到了国际同类产品先进。我们的工艺方法和技术是很成功的。     

同轴型高纯锗探测器表征技术研究

高纯锗（High Purity Gemanium，HPGe）探测器表征技术是指采用实验测量与蒙特卡罗模拟计算探测器绝对探测效率相结合的方法，给出探测器几何参数的精确值，诸如晶体直径、厚度、死层厚度、冷指大小、与探头前表面的距离等。探测器表征的意义在于完成表征之后的探测器在不进行实验测量的条件下，可计算得到它的绝对探测效率，这样，可避免实验测量探测器绝对效率时的一系列误差。     

同轴型高纯锗探测器的温度循环性能

本文介绍了同轴高纯锗探测器的温度循环试验结果,所研制成的未钝化探测器有好的稳定性,可以多次回温到室温和在室温下较长时间贮存,其性能不变坏。     

高分辨高纯锗P型同轴探测器研制

深入地研究了P型同轴探测器的工艺方法和技术. 探测器工作偏压大大地超过全耗尽电压。通常可达4000V以上。在此偏压条件下有极低的漏电流,进而有很低的噪音。 最近,共研制出13个探测器,探测效率为15％～35％;其能量分辨率为FWIIM=1.72～1.9keV。这些探测器性能都达到了国际先进水平。证明其工艺方法和技术是很成功的。     

硅(锂)X射线探测器

介绍了10～80mm’的硅(锂)X射线探测器研制工艺,并讨论了工艺过程和测量中的一些问题;给出了探测器的指标,这些指标大都达到和接近国外同类产品水平。硅(理)X射线探测器是一种低能X射线探测器,它具有能量分辨率高、线性好,对低能区X射线探测效率高等特点,在核物理、医学、地矿、环保等领域有着广泛的应用。它也是扫描电镜X射线荧光分析等能谱分析的核心部件。     

硅(锂)X射线探测器

本文扼要地叙述了近年来硅(锂)X射线荧光谱仪的进展,X射线荧光谱仪对半导体探测器的要求,和对探测器几何形状的选择。文章详细地介绍了硅(锂)X射线探测器的制备工艺,及用该工艺流程制备的灵敏面积为12毫米~2、厚度3.5毫米的探测器,在温度～77°k时给出电容<1微微法,而反向电流,一直到1000伏的反向偏压下仍～10~(-13)安。配上脉冲光反馈前置放大器后,电子学系统的噪声FWHM(简称半宽度)为249电子伏的情况下,对~(55)Fe的5.9千电子伏的谱线得到半宽度为291电子伏。最后对上述结果简单地给予讨论。     

硅(锂)X射线探测器

介绍了10～80mm~2的硅(锂)X射线探测器研制工艺,并讨论了工艺过程和测量中的一些问题;给出了探测器的指标,这些指标大都达到和接近国外同类产品水平。硅(锂)X射线探测器是一种低能X射线探测器,它具有能量分辨率高、线性好,对低能区X射线探测效率高等特点,在核物理、医学、地矿、环保等领域有着广泛的应用。它也是扫描电镜,X射线荧光分析等能谱分析的核心部件。     

全国锗(锂)γ谱测量技术座谈会在杭州召开

中国计量测试学会电离辐射专业委员会和中国核电子学与核探测技术学会联合主办的全国锗(锂)γ谱测量技术座谈会于1983年3月29日—4月2日在杭州召开。参加座谈会的有来自全国3个单位的60名代表。 座谈会就探测器的发展、核数据及其编评、锗(锂)谱仪的校准与使用,以及应用于测量矿样、     

高分辨率同轴Ge(Li)探测器的研制

本文描述采用国产锗单晶制备高分辨率同轴Ge(Li)器的方法。由于某些工艺不断改革和完善,制得了灵敏体积为78cm~3的Ge(Li)探测器,它对~(60)Co 1.332MeV γ射线的能量分辨率FWHM为2.0keV,峰/康比为33.6:1。器件制备工艺具有重复性好和成品率高等特点。     

同轴高纯锗探测器探测效率的MCNP模拟与电荷收集时间的计算

高纯锗探测器具有很好的能量分辨率,被认为是核素分析的黄金标准,在很多检测领域成为规定的标准检测设备。在高纯锗探测器的制备过程中,可以采用蒙特卡罗方法对探测器进行模拟,用于确定探测器制备过程中的参数。采用MCNP4软件对同轴高纯锗探测器探测效率进行模拟,研究了不同材质入射窗、不同能量γ射线对高纯锗探测器探测效率的影响,并根据模拟结果选择合适的入射窗材料并确定死层厚度,进而为高纯锗探测器研制提供指导。还对高纯锗探测器晶体的内部电场进行模拟,计算得到能量沉积点的电荷收集时间,通过改变能量沉积点位置,更直观地反映晶体内部不同位置的电荷收集时间。     

SiPM耦合LYSO晶体探测器的能量分辨和时间分辨

本文采用符合测量的方法研究了SENLE公司生产的型号为Micro FC-30035-SMT的Si PM光电转换器件耦合尺寸为3×3×10 mm的LYSO晶体组成的闪烁探测器的能量分辨率和时间分辨。该探测器测得22Na放射源能量为511 ke V光子的能量分辨率(FWHM)为16%,时间分辨达135 ps。     

BaF2探测器测量α粒子的时间分辨随温度变化研究

本工作对用于测量α粒子的BaF2探测器的时间分辨随温度变化情况进行了实验研究.实验选用退激Y射线能量较高的237Npα源,利用α粒子与退激Y射线的时间关联性得到时间谱,在不改变任何条件的情况下对BaF:晶体加热,加热到设定温度后保持恒温,在BaF:晶体达到热平衡后开始测量时间谱,由该时间谱上读出的半高宽与标准偏差的线性关系得出α粒子的时间分辨随温度变化的情况.测量结果显示,时间分辨随温度变化在目前实验条件下较为明显,这为未来快时间分辨α粒子探测器的选择和优化使用提供了依据.     

高分辨率硅(锂)X射线探测器

本文介绍了GL1221型硅(锂)X射线探测器管芯的制造工艺及与之相配合的脉冲光反馈低温前置放大器。探测器系统的能量分辨率为165eV(对~(55)Fe 5.89keV Mn-KaX射线),计数率为1020cps,电子学噪声104eV。该指标已达到国外同类产品的商品水平。