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1983年日本对高纯铝(99.99%)的需求量是8.6千吨,1984年又持续增长至约10千吨。由于高纯铝提高了传热性,抗腐性和可塑性,所以越来越广泛地应用于电容器、铝箔、铝导线等的制造业。住友铝业公司菊本铝厂采用三层精炼法生产高纯铝。高纯铝车间的产能已从3千吨/年扩大到3.6千吨/年,此外,还建设一个利用离析法精炼铝的1千吨/年的车间。虽然离析法 相似文献
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电解铝厂所面临的挑战之一是减少有害物的排放和保持良好的工作环境。即使是最现代化的铝厂也不时发生职业哮喘病例。挪威希德罗公司Karmoy铝厂的氟化物和粉尘排放都不超过政府所规定的标准。但在更换阳极时工作区的粉尘和氟化物浓度却总是超过标准。为了降低排放和改善环境,铝厂采取了一系列措施:在14台试验槽上实行强制抽风并准备在2005年1月份在整个预焙槽系列上推广;2004年春季对电解槽在更换阳极后进行自动定位; 相似文献
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卡尔莫铝厂投产于1967年(第一个电解槽系列),后来进行了两次扩建和现代化改造。头两个电解槽系列采用日本住友化学公司的工艺并安装了127千安的自焙阳极电解槽,年产能总计11万吨。1983年初,该厂 相似文献
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目前挪威奥达尔松达尔铝业公司正在对一个1956年建成的老电解系列的几台槽子进行改建,该电解系列产能为22kt/年,于今年春天停产,改造的目的是想使该系列的产能成倍增长,目前只是试验性质的。如果改造的 相似文献
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《轻金属》2016,(1)
正高纯铝主要应用于半导体工业,约占95%。铝的最低纯度为99.999%,每种杂质的最大含量0.4ppb(十亿分之)。阴极溅镀靶在工业生产中,尤其是芯片制造时,阴极溅镀是一种必不可少的工艺,是一项纯高精技术。计算机储存硬盘通常是用高纯铝或高纯铝合金制造的。日本生产的硬盘占世界市场的70%。阴极溅射镀是一种特殊工艺,蒸发的铝呈等离子体状态,沉积于阴极靶面,即在硅片(Silicon wafer)上形成一层薄而均匀的铝膜,随后于其上涂一层感光树脂,经暴光后除去无用的树脂,也就是把这些部位的树脂去掉(腐蚀掉),而保留的极窄铝条便是所需要的导电体。阴极溅射镀用的高纯铝的纯度越高,其导电性能也越强。 相似文献
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中国高纯铝的生产能力 总被引:1,自引:0,他引:1
截止2009年6月,中国可生产高纯铝的企业有8个,总生产能力100.5kt/a;还有一个在建的,生产能力20kt/a;一个拟建的(重庆綦江高纯铝项目),生产能力150kt/a(分期建成,一期投资20多亿元,见《中国铝业》2008年第10期第59页)。 相似文献
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伏尔加铝厂对三种洗滌装置进行了试验。试验结果表明,格子式洗滌器工作效率并不令人满意,因为废气净化指标低。由操作观点来看,喷水装置的喷嘴常被灰尘堵塞住,难以清除。泡沫洗滌器效果最好。它没有电除尘器,当废气进入泡沫洗滌器前就被除去了大量灰尘,因而,泡沫格子不会被灰尘堵塞。但泡 相似文献
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分步结晶法生产高纯铝 总被引:1,自引:1,他引:0
分步结晶法是利用合金凝固的偏析现象而进行的铝的精炼方法,其原理很久以前就知道,但作为工业化的应用约是10年前的事情。法国彼施涅公司首先采用该技术,目前又进行 相似文献
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利用背散射电子衍射花样(EBSD),分析了冷轧变形量、退火温度和保温时间对高纯铝晶界特征分布的影响,并探讨了纯铝的变形再结晶行为与低∑重位点阵晶界(Coincidence Site Lattice,简称CSL)大量形成之间的内在联系.结果表明,变形量20%的试样在360 ℃退火时低∑-CSL晶界比例达到了44.2%,与低层错能金属相比,铝的∑3^n晶界比例较低,其他低∑-CSL晶界比例较高.不同变形量试样的∑3^n晶界比例在再结晶温度退火取得最大值,升高退火温度或延长保温时间,晶粒都将发生长大,一般大角度晶界的迁移会吞并已有的低∑-CSL晶界,造成∑3^n晶界和低∑-CSL晶界比例都有所下降. 相似文献