a－Si∶H中第二类亚稳缺陷的观察

我们用光电导谱技术和光电流相移分析技术研究了氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）带隙态密度及其分布的亚稳变化效应．实验发现光致亚稳缺陷分布在整个光学带隙中，它们的退火行为与它们在带隙中的位置相联系．首次从实验上直接观察到第二类亚稳缺陷在带隙中的能量位置，这类缺陷具有易产生和难退火的特点．定性地确定出了亚稳缺陷的退火激活能与其在带隙中能量位置的关系．     

带隙态对辉光放电a—SiNx：H光电导的作用

研究了a-SiN_x:H中带隙态和带尾态对光电导的影响。实验结果表明:退火引起光电导响应增加,光电流谱中的肩峰在200℃退火时消失,光生载流子的复合随退火温度的变化由双分子型变为单、双分子混合型,取决于光电导的带隙随退火温度的提高而略有增加。并从光电导测量定量地给出了悬键态密度。     

a—Si：H中第二类亚稳缺陷的观察

我们用光电导谱技术和光电流相移分析技术研究了氢化非晶硅带隙态密度及其分布的亚稳变化效应，实验发现光致亚稳缺陷分布在整个光学带隙中，它们的退火行为与它们在带隙中的位置相联系。首次从实验上直接观察到第二类亚稳缺陷在带隙中的能量位置，这类缺陷具有易产生和难退火的特点，定性地确定出了亚稳缺陷的退火激活能与其在带隙中能量位置的关系。     

氢化非晶硅带隙态密度光诱导变化的研究

报导了与Ｓｔａｅｂｌｅｒ－Ｗｒｏｎｓｋｉ效应相关的氢化非晶硅（α－Ｓｉ：Ｈ）带隙态密度的光诱导变化，结果表明光照将使α－Ｓｉ：Ｈ带隙上半部分态密度的分布发生变化，采用ＡＭ１太阳光谱＊光照两小时使得导带迁移率边以下０．７ｅＶ处的带隙态密度从４×１０１６ｃｍ－３ｅＶ－１，增大到１×１０１７ｃｍ－３ｅＶ－１。     

用光热偏转光谱技术测量a-Si:H/a-SiN_x:H多层膜的能隙态密度

用光热偏转光谱技术测量了不同a-Si:H层厚度的a-Si:H/a-SiN_x:H多层膜(超品格)材料的吸收光谱,求出多层膜材料的隙态密度及其随a-Si:H层厚度的变化,估算出界面态密度为～5×10~(11)cm~(-2)eV~(-1),最后估算了隙态密度的计算误差。     

空间电荷限制电流法对a—Si：H隙态密度的测量

本文介绍了用于测量ａ－Ｓｉ：Ｈ隙态密度的空间电荷限制电流（ＳＣＬＣ）法，并报道了采用此方法对ＰＥＣＶＤ方法制备的ａ—Ｓｉ：Ｈ材料隙态密度的测量结果。对ｎ＋ａ—Ｓｉ：Ｈ／ａ—Ｓｉ１Ｈ／ｎ＋ａ—Ｓｉ：Ｈ结构的样品，测量得到费米能级上０．１６ｅＶ间的欧态密度分布为１０１５～１０１８（ｃｍ－３ｅＶ－１）。     

~（60）CO－γ辐照感生Si／SiO_2慢界面态及其对高频C－V测试的影响

研究了γ辐照感生Ｓｉ／ＳｉＯ２慢界面态的特性及其对高频Ｃ－Ｖ测试的影响．结果表明，辐照产生的慢界面态为界面态的０．３—０．８，分布在Ｓｉ禁带中央以上的能级或呈现受主型．分析认为慢界面态对应的的微观缺陷很可能是Ｓｉ—Ｏ断键或弱键．慢界面态的产生还引起Ｃ－Ｖ曲线同测试速率、方向和扫描前保持时间有关．文中提出了如何通过高频Ｃ－Ｖ测量比较准确地计算辐照感生氧化物正电荷、界面态和慢界面态密度的方法．     

二维正方形复式晶胞光子晶体的光子特性研究

用FDTD方法计算了二维正方形复式晶胞光子晶体的光子特性．通过光子能带结构、光子态密度的分布以及沿ГX方向透射谱的计算,发现透射谱光子带隙的位置与能带结构符合得很好．光子态密度的分布也表明存在全带隙的光子频率范围,进一步研究给出这种结构光子晶体全带隙存在的物理起源．     

^6—Co—γ辐照感生Si／SiO2慢界面态及其对高频C—V测试的影响

研究了γ辐照感生Ｓｉ／ＳｉＯ２慢界面态的特性及其对高频Ｃ－Ｖ测试的影响。结果表明，辐照产生的慢界面态为界面态的０．３－０．８，分布在Ｓｉ禁带中央以上的能级或呈现受主型。分析认为慢界面态对应的微观缺陷很可能是Ｓｉ－Ｏ断键或弱键。慢界面态的产生还引起Ｃ－Ｖ曲线同测试速率、方向和扫描前保持时间有关。文中提出了如何通过高频Ｃ－Ｖ测量比较准确地计算辐照感生氧化物正电荷、界面态和慢界面态密度的方法。     

太赫兹波在二维光子晶体中的传播特性

为了得到太赫兹波在二维三角晶格光子晶体中的传播特性,利用平面波展开法数值模拟了三角晶格能带结构和态密度分布,得出E偏振当填充率f=0.9069和H偏振f=0.7346时出现最大光子带隙,在f=0.8358出现最大完全光子带隙.计算表明,增加介电常数的差值,太赫兹波在三角晶格光子晶体中传播的带隙增加了,光子晶体态密度的分布验证了存在光子带隙的范围.研究结果为太赫兹波器件的开发提供了理论依据.     

氦氖激光器混沌反馈相位周期控制方法研究

通过分析氦氖激光器在光反馈下的混沌动力学特征,提出了氦氖激光器混沌反馈相位控制方法,并建立了激光混沌反馈相位周期控制下的动力学方程和物理模型。选取适当的反馈系数,加入相位控制器控制反馈光的相移,通过对反馈系数和反馈光相移的控制,可以将激光混沌控制到稳定态、周期态及混沌态。结果表明:在不同强度的反馈光下,通过1/8波长周期相移调制控制、1/4波长周期相移调制控制、半波长周期相移调制控制以及波长周期相移调制控制,氦氖激光器的混沌经过一定的弛豫时间可以被控制到单周期态、双周期态、三周期态以及多周期态等。     

n~+-i-n~+结构的电极附近结区电场对SCLC法确定薄a—Si:H膜隙态密度的影响──计算机模拟分析

将描述电极性质的结区电场选作n~+-i-n~+或(n~+-n-n~+)结构a—Si:H器件电流流动微分方程组的另一对边界条件,应用Runge-Kutta法由初值问题技术解微分方程组得到该器件J-V特性数值解。在此基础上,空间电荷限制电流(SCLC)法推导出不同厚度薄a—Si:H样品隙态密度,证实了其费米能级附近隙态密度G(E_F)随厚度减少而增加是电极附近结区电场引起的。     

太赫兹波在光子晶体中的传输特性

为了研究太赫兹波在2维正方晶格光子晶体中的传播特性,利用平面波展开法数值模拟了光子晶体能带结构和态密度分布。计算表明,E偏振当填充率f=0.6362和H偏振当填充率f=0.7845时出现最大光子带隙,在f=0.7791出现最大完全光子带隙;增加介电常数的差值,也增加了太赫兹波在正方晶格光子晶体中传输的带隙;光子晶体态密度的分布验证了存在光子带隙的范围。研究结果为太赫兹波器件的开发提供了理论依据。     

驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作

a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同，利用PECVD制作了不同N／Si比（0．87～1．68）的氮化硅绝缘材料，对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱（EDS）测试。制作了不同的MIS结构电容，对其进行老化实验和C-V测试分析，结果表明稍富氮（N／Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1．33）的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显，表明其缺陷态密度相对较小，能够有效减小半导体／绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si：H TFT像素电路及其阵列版图，优化了电路中的几个关键参数，即T1的W／L=2．5、T2的W／L=25和存储电容Cs=0．8pF。运用7PEP生产工艺，制作了13cm（5．2in）的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试，其开态电流为10μA，开关比为10^6；对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试，其最高亮度为341cd／m^2。     

用深能级瞬态电容谱测定掺磷-Si:H的隙态密度

正 非晶硅的隙态密度在很大程度上决定了材料的电学和光学性质,因而对非晶硅隙态密度的研究具有重要的理论和实际意义。目前,对非晶硅隙态密度分布的认识,仍存在着争议。W.E.Spear.等人首先用场效应方法测定了非晶硅的隙态密度分布,并在相当一段时间为人们所接受。但由于场效应方法在实验数据处理上存在着很大误差。另外该方法的测量结果受界面态的影响很大。J.D.Cohen等人用深能级瞬态谱(DLTS)测     

非晶硅隙态密度的场效应测量分析方法

本文通过引入一个“电场函数”使非晶硅隙态密度的场效应测量的分析大大简化,并确立了从实验测得的电流-电压曲线极小值来确定电子电导与空穴电导的比值的方法,使对场效应测量结果的分析更加方便和可靠.还从Goodman等所采用的四条隙态密度分布曲线出发,计算出各有关参量,证明了不同态密度分布并不能与同一条电流-电压曲线拟合.这说明,如果采用合理的分析方法,是可以根据场效应测量结果来确定隙态密度分布的.     

太赫兹波在二维三角晶格光子晶体中的传播特性

用平面波展开法研究了太赫兹波在二维三角晶格光子晶体中的传播特性。数值计算了以硅为背景的空气圆柱构成的二维三角晶格光子晶体的能带结构和态密度,计算表明r=0.50a和r=0.46a时,E偏振和H偏振分别出现最大光子带隙,带隙宽度分别0.1097THz和0.1935THz,在r=0.48a出现最大完全光子带隙,带隙宽度为0.0759THz,光子晶体态密度的分布也表明了存在光子带隙的范围,研究结果为太赫兹器件的开发提供了理论依据。     

硅中层错带中空位的电子态

计算了硅中带状层错中的空位电子态，所使用的Ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法是建立在原子轨道线性组合法的基础上，考虑了ｓ－ｐ－，ｄ－型十个原子轨道．用Ｌａｎｃｚｏｓ法得到了带隙及带连续态中的电子态，局域态密度是用连续连分数来表示的．硅中理想空位的三重简并态分裂为三个能级．从价态顶算起，它们的能量分别为－０．３，０．３，１．７ｅＶ．价带顶之上０．３ｅＶ的带隙态同纯层错中发现的电子态相似，但局域态密度要高一些．价带顶之上１．７ｅＶ的在导带中的电子态是一个强共振态．价带顶之下０．３ｅＶ的价带中的电子态则是一个弱共振态     

相干控制光电流的物理研究及进展

从产生相干控制光电流的基础理论，即直接带隙半导体的Kane能带模型及其基于黄金跃迁定则的跃迁矩阵元入手，给出了光生载流子在激发路径不同相对相位差下的动量空间分布图，提示了相干控制光电流的物理实质，即产生动量空间不对称分布、某一方向分布占优的载流子而产生电流，通过激发光场的相位对电流的大小和方向进行控制.最后介绍了相干控...     

载波相移技术在H桥级联多电平STATCOM中的应用

本文介绍了载波相移技术包括载波相移正弦脉宽调制（CPS-8PWM）和错时采样空间矢量调制（STS—SVM）的基本原理,提出了载波相移正弦脉宽调制和错时采样空间矢量调制在H桥级联多电平STATCOM中的实现方法,并进行了仿真验证。仿真结果表明,基于载波相移正弦脉宽调制和错时采样空间矢量调制的H桥级联多电平STATCOM能...