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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
No.7信令中继线无法删除的处理陈雅聪田波块的逻辑地址(LCE)即第二组数据中2460,2500,1620,1740,18C0所对应的物理地址(NA)。〉:CEIDSL,2460→NA=H8002,对应TCESEQNBR=11〉:CEIDSL,25...  相似文献   

2.
自对准外延CoSi_2源漏接触CMOS器件技术   总被引:1,自引:0,他引:1  
CO/Ti/Si或TiN/Co/Ti/Si多层薄膜结构通过多步退火技术在Si单晶衬底上外延生长CoSi2薄膜,AES、RBS测试显示CoSi2薄膜具有良好均匀性和单晶性.这种硅化物新技术已用于CMOS器件工艺.采用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)技术淀积氮氧化硅薄膜,并用反应离子刻蚀(RIE)技术形成多晶硅栅边墙.固相外延CoSi2薄膜技术和边墙工艺相结合,经过选择腐蚀,可以分别在源漏区和栅区形成单晶CoSi2和多晶CoSi2薄膜,构成新型自对准硅化物(SALICIDE)器件结构.在N阱CMOS工艺  相似文献   

3.
自对准硅化物CMOS/SOI技术研究   总被引:2,自引:2,他引:0  
在CMOS/SIMOXSOI电路制作中引入了自对准钴(Co)硅化物(SALICIDE)技术,研究了SALICIDE工艺对SOIMOSFET单管特性和CMOS/SOI电路速度性能的影响.实验表明,采用SALICIDE技术能有效地减小MOSFET栅、源、漏电极的寄生接触电阻和方块电阻,改善单管的输出特性,降低CMOS/SOI环振电路门延迟时间,提高CMOS/SOI电路的速度特性.  相似文献   

4.
RADIANCE会议电视系统故障处理方法江苏省长途电信传输局冷安沈才良图1CODEC中视频子系统图3常见视频故障处理流程1输入无视频(INPUTVIDEOSYNC)告警编解码器(CODEC)中视频子系统分为:视频设备、图像路由器(ROUTER)和视频...  相似文献   

5.
1 磁带本录像机使用标准DVCAM或Mini-DVCAM磁带。2 菜单设置·按MENU(菜单)键,再按CURSOR(光标)的↑/↓键,选定SETUPMENU(菜单设置)后,按EX-ECUTE(执行)键,进入菜单设置:(1)L1INVIDEO(1路输入视频)·S当S端和复合端都接有信号时,若要选择S视频信号,则设置到S的位置。若只有复合端接有信号,则自动选择复合视频。·NORM当S端和复合端都接有信号时,若要用复合视频信号,则选择NORM项。(2)AUDIOMODE(音频模式)·16当设置到16时…  相似文献   

6.
《世界电信》2001,14(9):50-50
1.SunSetE20/E20c手持式测试仪表新增功能SunSetE20产品系列的新增功能 ,同时适用于彩色显示版(E20c)和单色显示版(E20) ,而且增强了E20的新业务校验能力 ,完善了对FrameRelay、ISDN、SS7、GSM及V5.1/V5.2的支持。SunsetE20将支持GPRSoverA -bis及GPRSoverFrameRelay。分析工具包括层的通过/失效侦测判定和与网络、BSSGP及上层统计相关的计算功能。SunsetE20具有X.25监视和分析功能 ,为2Mbit/sA/…  相似文献   

7.
NEAX61在No.7信号系统下呼叫接续的过程天津日电通信技术有限公司卢凤瑜NEAX61交换机为了实现No.7信号系统,在硬件方面,增加了信号处理机架(CCSP),包括信号处理机(CSP)和公共信道信号模块(CCSM)。同时在服务中继模块(SVTM)...  相似文献   

8.
ISDN和中继通信用的卫星通信系统DYANET—Ⅱ(下)TourOtsu等4DYANET—Ⅱ的系统结构4.1网络结构DYANET—Ⅱ由一颗通信卫星、用户站(UES)、基站(BES)、一座控制站(CES)、一个卫星信道控制单元(SCU)和一个卫星中转单...  相似文献   

9.
爱立信(ERICSSON) 输入(右*左*左*左*)后会显示: ABCDEF GHIJ PRGXXXXXXXXX ABCDEF为年、月、日(YY/MM/DD) 诺基亚(NOKIA) 输入*#000#显示: VXX·XX为软件版本, DD-MM-YY为生产日期(日-月-年), NXX-X为手机型号:如3310为NHM-5。 摩托罗拉( MOTOROLA) 查MSN(在手机标贴上)内容,MSN长度为十位: AAA-B-CC-DDDD AAA为型号代码(A74- Cd920/928, A84 2000); B为产地代码(2-…  相似文献   

10.
NEC、日立在ISSCC上发表1GDRAM据ISSCC’95的发表内容,NEC、日立已经在世界上率先开发了1GDRAM。NEC开发的1GDRAM的特点是,采用0.2μm电子束曝光技术和钽氧化膜低温(500℃)工艺技术以0.25μmCMOS工艺,存贮单...  相似文献   

11.
宁波GSM系统LAC状况 目前宁波GSM系统共有LAC区22个,每个BSC分配一个LAC(除市区BSC23,BSC24外),这样,某些BSC的Location-Update占OK-ACC-PROC的比例(后称LU-RATE)相当高,如余姚BSC8,其LU-RATE高达79.42%,其SDCCH负荷相当重,且已导致SDCCH拥塞,具体每个BSC的LU次数,LU-RATEPAGE-REQUESTS/PAGE-RESPONSE,PAGES-PER-SECOND,SD-CONGESTION-RATE,…  相似文献   

12.
OpticalFiberPyrometerAppliedinICEngine①②JIANGXianyang,SHIDinghe(HuazhongUniversityofScienceandTechnology,Wuhan430074,CHN)Abst...  相似文献   

13.
CoSi_2超薄外延膜的生长研究   总被引:2,自引:2,他引:0  
用质量分离的离子束外延(MALE-IBE或简作IBE)法在n-Si(111)上生长了CoSi2超薄外延膜.厚度为10~20nm的CoSi2薄膜的结构特性已由AES、RHEED及RBS作了研究.实验结果表明Co的淀积率对CoSi2单晶生长来说是一个关键因素  相似文献   

14.
半导体制造设备市场的历史与未来(一)历史百万美元。来源:VLSIRESEARCH!NC.乏E16CttolliCN6WS>1996.丑.1.p30(二)未来来原:VLSIRESEARCHINC.’ElectronicNews,1996.1.1.P30...  相似文献   

15.
在SOI/CMOS电路制作中引入了自对准钴硅化物(SALICIDE)技术,研究了SALICIDE工艺对SOI/MOSFET单管特性和SOI/CMOS电路速度性能的影响。实验表明,SALICIDE技术能有效地减小MOSFET栅、源、漏电极的寄生接触电阻和薄层电阻,改善单管的输出特性,降低SOI/CMOS环振电路门延迟时间,提高SOI/CMOS电路的速度特性。  相似文献   

16.
8月中旬,Agere System 、华 为、武汉邮科院、北邮电信在京联合举办了无源光网络(PON)研讨会。PON分为APON(ATM-PON)、GPON(Global PON)和EPON(Ethernet PON)等,由于国内主要以APON研发与应用为主,因此会上也着重介绍了APON在宽带接入网中的应用。目前,电信运营公司在最后一公里宽带接入的解决方案中,有基于铜线xDSL(HDSL、ADSL、VDSL)、Cable Modem 和LAN接入、基于光纤的APON、以及高速固定无线接入LMDS等…  相似文献   

17.
陆玮 《数据通信》1995,(1):2-10
本文探讨了CCITT.31规程所规定ISDN接入PSPDN的两种方式,即CASEA和CASEB,以及针对这两种方式的具体设备:AU(Access Unit)和PH(Pacdet Handling)。重点介绍了在“八五”国家攻关项目中实现AU的总体方案,其中包括AU的呼叫接续描述、AU硬件结构和AU软件框图。本文还对PH的实现进行了初步探讨。  相似文献   

18.
1999年5月10日,信息产业部向天津NEC的NEAX61∑/E交换机颁发了进网许可证(许可证号:8-1742·991735)。此前,包含计算机与通信技术领域中的最新技术以满足现在及未来多方面通信网要求的NEAX61∑/E交换机已通过了原邮电部电信总局组织的测试验收并获得相应合格证书。测试范围包括:·七号信令技术规范MTP、TUP、ISUP、SCCP、TCAP、INAP的有效性(或一致性)测试以及DSSI测试。·V5.1/V5.2接口协议一致性测试。·2000年时钟过渡问题的检验测试。·YDN0…  相似文献   

19.
王坦 《现代通信》2002,(1):38-38
故障现象 长虹NS728型,开机后数码显示正常,但无声音输出。 分析检修 ①功放电路中N1(TA7240AP)损坏;②解码电路中D1(USP3410)不良;③解码电路中N2(NE5532P)不良;④解码电路中N3(NE5532P)不良。 故障现象 长虹APS-2000型,开机后图像出现细横条干扰。 分析检修 ①调谐路的晶振不良;②调谐电路的C143漏电;③调谐电路的C136漏电;④调谐供电电压滤波电容器不良。 故障现象 长虹WS5231A型,无图无声,频道显示正常。 分析检修 LNB +18V降为2.5V,…  相似文献   

20.
CYPRESS双端口静态存贮器CYPRESS型号IDT对应型号最大存取时间tAA(ns)最大工作电流(mA)最大维持电流(mA)存贮容量Bit封装形式CY7C130713025/30/35/45/55170/120/120/90/90a170/120...  相似文献   

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