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本文对在InSb及GaAs衬底上用分子束外延生长的InSb分别以Be和Si作p型和n型的掺杂作了研究。当衬底温度超过340℃时,利用二次离子质谱技术,在InSb衬底上生长时,发现Be向表面有反常迁移现象。而在GaAs衬底上生长的掺Be的InSb薄膜中未发现这种迁移。在掺Si的InSb膜中也未发现掺杂剂的再分布现象。InSb中Be的掺杂效率约是GaAs中的一半,若想使Si在InSb中的掺杂效率达到其在GaAs中的掺杂效率,在整个生长过程中,需将衬底温度维持在<340℃。利用低温生长技术,可生长出呈现二维电子气体特性的Si△-掺杂结构。 相似文献
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借助SIMS、AES、RBS和TEM对Be注入InSb的快速热退火特性进行了深入的研究.Be注入能量为100keV,注人剂量为5×1014cm-2.快速热退火温度范围为300—500℃,退火时间为30—60秒.结果表明,快速退火后,Be注入分布剖面的内侧不存在再分布,但峰值浓度有不同程度的降低,表面存在Be的外扩散.350℃退火,Be注入InSb的晶体损伤基本消除,InSb表层不存在化学配比的偏离.退火温度超过350℃,InSb表层发生热分解,产生Sb的耗尽,形成由In、Sb及其氧化物组成的复杂结构. 相似文献
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本文报道了采用含有InSb非晶过渡层的两步MBE生长技术,在GaAs(100)衬底上异质外延生长的InSb外延层材料特性及初步的器件性能。5μm厚的n型本征InSb外延层77K时的电子浓度和迁移率分别为:n~2.4×10 ̄(15)cm ̄(-3),μ~5.12×10 ̄4cm ̄2V ̄9-1)s ̄(-1),高质量InSb外延层的X射线双晶衍射半峰宽(FWHM)<150″。InSb表面的相衬显微形貌,InSb/GaAs界面的TEM形貌相和InSb外延层的红外透射谱等测试结果都肯定了MBEInSb外延层的质量。研究结果已基本达到目前国外同类研究水平。用MBE生长的n型InSb外延层薄膜首次制作了中波(3~5μm)多元光导线列器件,终测表明,器件的光导响应率较高R(V)~7800V/W,均匀性很好ΔR(V)/R(V)<7%,MBEInSb外延薄膜展示了良好的红外探测器应用前景。 相似文献
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在(100)取向半绝缘GaAs衬底上,采用独特的含有InSb非晶过渡层的两步分子束外延(MBE)生长了异质外延InSb薄膜。InSb外延层表面为平滑镜面,外延层厚度约为6μm,导电类型为n型,室温(300K)和液氮(77K)霍尔载流子浓度分别为n_(300K):2.0×10 ̄(16)cm ̄(-3)和n_(77K):2.4×10 ̄(15)cm ̄(-3);电子迁移率分别为μ_(300K):41000cm ̄2V ̄(-1)S_(-1)和μ_(77K):51200cm ̄2V ̄(-1)S ̄(-1)。InSb外延层双晶衍射半峰宽为198arcs,最好的InSb外延层的半峰宽小于150arcs。采用InSb非晶过渡层有效地降低了外延层中的位错密度,改善了InSb外延层的质量。 相似文献
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采用双源分层蒸镀的方法制作InSb薄膜,将区域熔融技术用于InSb薄膜的热处理,提高了薄膜的纯度和择优定向程度,室温下电子迁移率达到30000cm2/(V·s)。在此基础上,分析了影响InSb薄膜性能的几个主要因素。 相似文献
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通过理论计算和实际测试,给出了PVInSb红外探测器的低频阻抗-频率特性曲线,结合检测阻抗/动态电阻的方法和阻抗-频率特性曲线的变化规律,分析讨论了PVInSb红外探测器的阻抗与动态电阻的异同,从而说明在涉及PVInSb红外探测器的阻抗/动态电阻时,即使在低频范围也要具体考虑频率因素的影响。 相似文献
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本文介绍了InAsSb应变层超晶格用于红外探测器的基本特点,简述了国外InsSb应变层超晶格研究现状及我们研究所的研究成果,并指出存在的差距及发展前景。 相似文献
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本文系统描述了用PCVD(光化学汽相淀积)技术在InSb衬底上沉积SiOxNy介质膜的工艺过程。对SiOxNy膜进行测试分析,并用它作介质膜,钝化膜,作出了性能较好的InSb CID焦平面器件。 相似文献
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基于定量原子像图像分析的InSb/GaAs半导体界面原子结构模型王绍青,孟祥敏,谢天生,褚一鸣(中科院金属所固体原子像实验室,沈阳110015)(中科院北京电子显微镜实验室,北京100080)由于InSb/GaAs半导体材料在半导体器件研制与生产中的... 相似文献
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InSb磁敏传感器的设计与应用徐向东(航天工业总公司第三研究院八三五八所天津300192)本文对InSb磁敏传感器的应用、设计等方面作了介绍,并给出了器件的电阻率、磁阻灵敏度的要求,对磁敏传感器的短路及尺寸设计给出依据,并对如何提高器件的性能、产量提... 相似文献
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在-196℃到-96℃范围测量了PVInSb红外探测器的信号,噪声和阻抗数据。给出了信号,噪声,信-噪比和阻抗随温度变化的曲线族。分析讨论了器件结构设计时,选择PV-InSb红外探测器工作温度的有关问题。 相似文献
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光伏InSb硅信号处理技术研究韩建忠,赵建中(电子工业部第十一研究所北京100015)本文介绍了光伏InSb阵列信号处理电路的设计考虑,以焦平面方式工作的原理及信号读出技术。对电荷放电模式(CDM)理论进行了全面测试分析,并提出了进一步改进性能,信号... 相似文献
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用分子束外延方法在GaAs上生长InSb薄膜。方法是先在温度380℃生长InSb有源层。然后低温(300℃)生长一层约0.03μm厚的InSb缓冲层。Sb_4与In的束流等效压强比为4:1时,可获得温度77K最大霍尔迁移率的材料。在2~5μm厚度的薄膜中,温度77K的霍尔迁移率大于35000cm ̄2V ̄(-1)·s ̄(-1)和X射线半峰宽小于250(″)。温度77K的霍尔迁移率比最近报导的结果大3倍。X射线半峰宽也相对小。对可改进薄膜性能的几种可能性作了探讨。 相似文献
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续竞存 《固体电子学研究与进展》1996,16(3):254-258
用电荷控制及热电子弹道运动模型计算InAs/InP0.7Sb0.3热电子晶体管的截止频率fT及最高振荡频率fmax。结果表明,fT、fmax分别达到280GHz及600GHz。并指出,通过生长GaSb中间层,InAs/InP0.7Sb0.3HET可在GaAs衬底上实现单片集成。 相似文献
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不同方法生长的InSbMIS结构的退火效应研究张钢(电子工业部第十一研究所北京100015)本文介绍了采用等离子体CVD和光致CVD两种方法进行介质膜生长。在预处理好的新鲜N型InSb材料上生长一层厚度约为0.12μm的氮氧化硅层,生长温度为180℃... 相似文献