采用聚合物绝缘侧墙技术的三维（3D）存储器芯片叠层封装技术

最新设计的三维（3D）存储器芯片叠层封装,成功地使用机械芯片3D封装原型。3D封装的制造工艺包括：1）晶圆片切片;2）包含侧墙绝缘的芯片钝化;3）原始I／O焊盘上的通路开口;4）从中心焊盘到侧墙的I／O再分布;5）使用聚合物粘附的裸芯片叠层技术;6）例墙互连技术;7）焊球粘附。与当前3D封装技术相比较,此新3D封装设计有一些主要的改进。其独特特点是在芯片I／O再分布之前,芯片侧墙的绝缘。这样形成：1）芯片到晶圆的效率更高;2）重要工艺简易化。按照此设计,在传统晶圆设计上可获得100％的芯片效率,而没有在传统3D封装设计I／O再分布工艺期间通常发生的任何相邻芯片的损失。因此,新3D封装设计能够简化下列工艺：I／O再分布、侧墙绝缘、侧墙互连及封装成形。证明原型3D叠层封装的机械完整性满足JEDEC等级Ⅲ及85℃／85％试验的各项要求。     

叠层芯片应用的封装挑战与解决方法

叠层管芯封装的不断发展导致该技术能有效地在同一基底内增大电子器件的功能和容量,作为单个芯片。蜂窝电话及其它消费类产品中叠层芯片封装的应用增长促使能够在给定封装尺寸中封装多层芯片。介绍了叠层芯片封装技术中最主要是满足总封装高度的要求。用于叠层芯片封装的技术实现方法包括基片减薄、薄裸芯片贴装、小形貌引线键合、与无支撑的边缘键合以及小偏倒成形等。集中介绍了叠层管芯互连要求。介绍了倒装芯片应用中的正向球形键合、反向球形键合和焊凸凸焊技术,讨论了优点和不足。说明球形键合机的发展能够满足叠层芯片封装的挑战,即超低环形状、长引线跨距和悬空键合等。     

电子元器件封装技术发展趋势

晶圆级封装、多芯片封装、系统封装和三维叠层封装是近几年来迅速发展的新型封装方式,在推动更高性能、更低功耗、更低成本和更小形状因子的产品上,先进封装技术发挥着至关重要的作用。晶圆级芯片尺寸封装(WCSP)应用范围在不断扩展,无源器件、分立器件、RF和存储器的比例不断提高。随着芯片尺寸和引脚数目的增加,板级可靠性成为一大挑战。系统封装(SIP)已经开始集成MEMS器件、逻辑电路和特定应用电路。使用TSV的三维封装技术可以为MEMS器件与其他芯片的叠层提供解决方案。     

先进的叠层式3D封装技术及其应用前景

采用叠层3D封装技术将使芯片所包含晶体管数目成倍的增加,它不但具有体积小、性能高、功耗低等优点,而且拥有无可比拟的封装效率.对其叠层3D封装的发展趋势、技术特点、技术优势、散热问题以及应用前景等几个方面进行了探讨.     

用于先进PCB制造工艺的叠层封装

在20世纪90年代,球栅阵列封装(BGA)和芯片尺寸封装(CSP)在封装材料和加工工艺方面达到了极限。这2种技术如同20世纪80年代的表面安装器件(SMD)和70年代通孔安装器件(THD)一样,在电学、机械、热性能、尺寸、质量和可靠性方面达到最大值。目前,三维封装正在成为用于未来采用的先进印制板(PCB)制造工艺的下一个阶段。它们可以分为圆片级封装、芯片级封装、和封装面。叠层封装(PoP)是一种封装面叠层封装类型的三维封装技术[15]。     

叠层式3D封装技术发展现状

随着电子产品朝小型化、高密度化、高可靠性、低功耗方向发展,将多种芯片、器件集成于同一封装体的3D封装成为满足技术发展的新方向,其中叠层3D封装因具有集成度高、质量轻、封装尺寸小、制造成本低等特点而具有广阔的应用前景。综述了叠层式3D封装的主要类型、性能特点、技术优势以及应用现状。     

3D叠层封装集成电路的芯片分离技术

3D叠层封装是高性能器件的一种重要的封装形式,其鲜明的特点为器件的物理分析带来了新的挑战.介绍了一种以微米级区域研磨法为主、化学腐蚀法为辅的芯片分离技术,包括制样方法及技术流程,并给出了实际的应用案例.该技术实现了3D叠层芯片封装器件内部多层芯片的逐层暴露及非顶层芯片中缺陷的物理观察分析,有助于确定最终的失效原因,防止失效的重复出现,对于提高集成度高、容量大的器件的可靠性具有重要的意义.     

叠层芯片封装技术与工艺探讨

论述了在叠层芯片封装的市场需求和挑战。首先采用在LQFP一个标准封装尺寸内,贴装2个或更多的芯片,这就要求封装体内每一个部分的尺寸都需要减小,例如芯片厚度、银胶厚度,金丝弧度,塑封体厚度等,要求在叠层封装过程中开发相应的技术来解决上述问题。重点就芯片减薄,银胶控制,无损化装片,立体键合,可靠性等进行了详细的介绍。     

后摩尔时代的封装技术

综述了进入后摩尔时代半导体业界面临制造技术极限的挑战所进行的各种应对措施的现状,着重介绍了叠层封装、系统级封装、晶圆级封装、硅通孔技术等一些新型的三维垂直封装技术在电子电路集成方面的进展及高密度3D芯片封装的前景。     

多个叠层芯片封装技术

叠层芯片封装在与单芯片具有的相同的轨迹范围之内,有效地增大了电子器件的功能性, 提高了电子器件的性能。这一技术已成为很多半导体公司所采用的最流行的封装技术。文章简要叙述了叠层芯片封装技术的趋势、圆片减薄技术、丝焊技术及模塑技术。     

高密度三维封装技术

简要介绍为满足日益增长的低功耗、轻重量、小体积系统的应用需求而涌现出的多种裸芯片封装与多芯片叠层封装技术。详细讨论三维封装的垂直互连工艺。主要分析三维封装技术的硅效率、复杂程度、热处理、互连密度、系统功率与速度等问题。     

叠层芯片引线键合技术在陶瓷封装中的应用

随着集成电路封装技术朝着高密度封装方向发展,同时基于系统产品不断多功能化的需求,出现了叠层封装技术。介绍了芯片叠层封装的传统引线封装结构,详细阐述了一种新型的芯片十字交叉型叠层封装结构,并结合这种封装结构在陶瓷封装工艺中的应用进行了具体实施与探讨,并进行了引线键合可靠性考核试验。通过试验研究表明叠层芯片引线键合技术也可广泛应用于陶瓷封装产品中。     

高密度三维封装技术

简要介绍为满足日益增长的低功耗、轻重量、小体积系统的应用需求而涌现出的多种裸芯片封装一多芯片叠层封装技术。详细讨论三维封装的垂直互连工艺。主要分析三维封装技术的硅效率、复杂程度、热处理、互连密度、系统功率与速度等问题。     

3D封装最新论文摘录

三维(3D)叠层封装技术及关键工艺【作者】郑建勇【机构】东南大学机械工程学院【摘要】三维(3D)叠层封装技术是一种可实现电子产品小尺寸、轻重量、低功耗、高性能和低成本的先进封装技术,该技术已广泛用于手机、数码相机、MP4及其他的便携式无线产品。文中对3D叠层封装技术进行了简要介绍,重点分析了三维     

未来微处理器的封装技术—8新型无凸点叠层封装

无凸点叠层（BBUL）封装技术是Intel公司研制出的1种新型封装技术，用以满足未来微处理器封装技术的要求，这种BBUL封装技术具有巨大的优越性，它免除了大多数高性能的倒装芯片所用的大量焊料凸点互连，使环路电感量小，热机械应力小，不但减小芯片连接的寄生效应，而且提高了微处理器芯片的效率，此外，该封装的体积比传统封装更小，更轻，使多芯片之间的互连更为紧密，特别适合于高引出端的电子类及光电子产品，如逻辑单元，存储器，射频器件以及微型机电一体化系统。本主要从其发展背景，工艺及特性方面阐述这种新型BBUL封装技术，最后提出一些建议。     

一种新型的BBUL封装技术

无凸点叠层封装（BBUL）技术是Intel公司研制出的一种新型封装技术，用以满足未来微处理器封装技术的要求。这种BBUL封装技术具有巨大的优越性，它免除了大多数高性能的倒装芯片所用的大量焊料凸点和互连，使环路电感量小、热机械应力小，不但减小芯片连接的寄生效应，而且提高了微处理器芯片的效率。此外，该封装比传统封装更小、更轻，使多芯片之间的互连更为紧密，特别适合于高引出端的电子类及光电子产品，如逻辑单元、存储器、射频器件以及微型机电一体化系统。本文主要从其发展背景、工艺及特性方面来阐述这种新型的BBUL封装技术，最后提出一些建议。     

夹层式叠层芯片引线键合技术及其可靠性

随着电子封装技术的快速发展,叠层封装成为一种广泛应用的三维封装技术,该技术能够满足电子产品高性能、轻重量、低功耗、小尺寸等日益增长的需求。针对陶瓷封装腔体中的夹层式叠层芯片结构,键合点与键合引线处于陶瓷外壳空腔中,未有塑封料填充固定,区别于塑封叠层芯片封装器件,优化其引线键合技术,并做了相应可靠性评估试验。键合引线偏移长度最大为0.119 mm,未出现键合引线间隙小于设计值、碰丝短路等情况,为高可靠叠层芯片封装研究提供了参考。     

芯片叠层封装工艺技术研究

随着大量电子产品朝着小型化、高密度化、高可靠性、低功耗方向发展,将多种芯片封装于同一腔体内的芯片叠层封装工艺技术将得到更为广泛的应用,其封装产品的特点就是更小、更轻盈、更可靠、低功耗。芯片叠层封装是把多个芯片在垂直方向上堆叠起来,利用传统的引线封装结构,然后再进行封装。芯片叠层封装是一种三维封装技术,叠层封装不但提高了封装密度,降低了封装成本,同时也提高了器件的运行速度,且可以实现器件的多功能化。随着叠层封装工艺技术的进步及成本的降低,多芯片封装的产品将更为广泛地应用于各个领域,覆盖尖端科技产品和应用广大的消费类产品。     

未来微处理器的封装技术--新型无凸点叠层封装

无凸点叠层(BBUL)封装技术是Intel公司研制出的1种新型封装技术,用以满足未来微处理器封装技术的要求.这种BBUL封装技术具有巨大的优越性,它免除了大多数高性能的倒装芯片所用的大量焊料凸点和互连,使环路电感量小、热机械应力小,不但减小芯片连接的寄生效应,而且提高了微处理器芯片的效率.此外,该封装的体积比传统封装更小、更轻,使多芯片之间的互连更为紧密.特别适合于高引出端的电子类及光电子产品,如逻辑单元、存储器、射频器件以及微型机电一体化系统.本文主要从其发展背景、工艺及特性方面阐述这种新型BBUL封装技术,最后提出一些建议.     

一种新型的BBUL封装技术

无凸点叠层封装（BBUL）技术是Intel公司研制出的一种新型封装技术，用以满足未来微处理器封装技术的要求，这种BBUL封装技术具有很大的优越性，它免除了大多数高性能的倒装芯片所用的大量焊料凸点和互连，使环路电感量小，热机械应力小，不但减小芯片连接的寄生效应，而且提高了微处理器芯片的效率，此外，该封装的何种比传统封装更小，更轻，使多芯片之间的互连更为紧密，特别适合于高引出端的电子类及光电子产品，如逻辑单元，存储器，射频器以及微型机电一体化系统，本文主要从其发展背景，工艺及特性方面，来阐述这种新型的BBUL封装技术，最后提出一些建议。