小型俄歇电子能谱仪在定量分析中的应用

本文介绍用一种参考样品简易定量分析方法,并阐述在使用此方法时仪器参量的选择。本文还对表面污染的银样品的表面原子相对浓度进行了分析。     

俄歇电子能谱仪在材料科学中的应用

材料科学是三大前沿学科之一。它的发展不仅直接影响国民经济的发展,而且也影响着其他学科的发展。所以,它一直得到人们的垂青。在材料研究中,人们用光学显微镜,继而用电子显微镜来研究材料的显微结构,在冶金和陶瓷行业中都已取得了显著进展。应用这些技术,可以确定相变、晶粒大小及形状;加上电子显微探针,在成分分析中又取得一大进步。但这些手段主要的不足之处在于缺乏深度分辨率,因此不能直接得到结构和组分在深度分布上的信息。而如回火脆性、腐蚀性、摩擦、     

俄歇电子能谱仪高能量分辨率的获得

一、引言 俄歇电子能谱仪(以下简称俄歇谱仪)是本世纪六十年代末出现的表面分析仪器。主要用于表面几个原子层内组成元素的定性、定量、价态和能级密度分析。它利用一束低能电子辐照固体,使其表面发射背散射 电子,随后分析其中的俄歇电子和等离子损失电子的能量和数量,获得上述信息。 由于有些元素俄歇电子能量相差很小, 浓度、价态和能级密度变化引起上述两种电子能量和数量的变化一般也较小,因此要求俄歇谱仪有较高的能量分辨率(以下简称分 辨率)。 俄歇谱仪的分辨率以试样表面发射的某一能量电子在N(E)～B(电子数量～能量)曲线上形成的…     

俄歇电子能谱定量分析的进展

本文扼要地评述了俄歇电子能谱定量分析的最新进展及其存在问题。首先评述了第一原理模型的俄歇电子能谱的物理基础,并分别对其中各种参数进行估算。同时,对以下专题进行了讨论。 1.利用俄歇电子能谱进行表面定量分析的方法;样品均匀性;强度的确定;带电效应;束流对样品的损伤。 2.对限制深度分布定量计算的各种现象进行了讨论。例如,溅射速率;表面原生粗糙度和束流引起的粗糙度;撞击和原子混合效应;择优溅射;离子束激发的俄歇电子能谱等。对于这些现象对深度分辨率的影响及其对溅射深度的依赖关系进行了讨论。     

俄歇电子能谱定量分析方法及其在Ni3Al中的应用

基于相对灵敏度因子，提出了一个无需直接借助于标样的含基体效应修正的俄歇定量计算方法，为保证该方法的实用有效性，两个必要性条件是测量数据的统计重复性好以及对合金电化学状态敏感的修正因子的恰当选择，作者用此法成功地进行了Ｎｉ７６Ａｌ２４和Ｎｉ７６Ａｌ２４－Ｂ两种合金的定量分析。     

俄歇电子谱仪

自七十年代起,俄歇电子谱仪(Auger Electron SPectroscoPy)已逐渐成为十分广泛使用的表面组分分析手段。在基础科学研究和在应用领域,尤以微电子、能源、材料科学等方面应用最为广泛。它的优点为: ①对近表面5-20埃厚度范围内的元素有很高的灵敏度,分析速度快。②分析元素范围广,能分析氦以上的所有元素。③除了元素组分鉴定外,尚能获得一些化学环境的信息(Chemical Enviroment Information),如键合状况、电子态密度等等。     

用俄歇电子能谱仪研究钡钨阴极的表面状况

在实验室条件下,AES研究阴极表面,应用小束流以减少表面损伤。利用自制AES系统地分析了钡钨阴极在分解、激活、老炼过程中表面组分和状态的变化。对于铝酸钡钙扩散型阴极表面,当温度高于1100℃时,钡的覆盖度明显下降。经较长时间老炼后钡在钨上平均只有不到一个单原子层的覆盖量。激活良好的处于正常工作状态时,阴极表面上主要是钨、氧、钡,而且钡可能以金属钡和氧化钡共存。阴极中的主要杂质碳和阴极材料、处理工艺、贮放条件和历史以及工作条件有密切关系。激活后的阴极表面含碳量和发射性能有一定的关系。较大量的硫可能来自组成多孔钨体的钨粒内部,高温时有可能消除掉。     

俄歇能谱仪用峰峰值保持电路

本文提出用普通的峰峰值保持电路检出俄歇峰的峰峰值时,由于各种元素俄歇峰本底值不同而产生很大的测量误差。提出一种改进的峰峰值保持电路,能正确地检出俄歇峰峰值,误差在1.0%左右。     

正交试验在能谱仪定量分析中的应用

采用正交试验方法,使用扫描电镜X射线能谱仪对304L不锈钢标样的硅、锰、铬、镍4种元素含量进行了定量测定,研究了加速电压、活时间、束斑直径以及工作距离4个因素对测定结果影响的显著性,并通过极差分析和方差分析的方法得出了最佳试验条件。结果表明:加速电压对测定结果的影响最为显著,活时间和工作距离两者对测定结果的影响相当,束斑直径对测定结果的影响不大;该试验较佳的测试条件为加速电压20 kV,活时间80 s,束斑直径5.6μm,工作距离9.5 mm;在该条件下测得的各元素含量均与标准值非常接近。     

卷积和退卷积在俄歇电子谱中的应用

从固体价带中发射出来的俄歇电子携带着表面范围中价带定域态密度的信息。本文给出在俄歇XVV跃迁中谱线形状与价带占有态能态密度之间的定量关系,提出卷积和退卷积的数值运算方法及两种扣除背景的方法,运用fdLM算法在719机上对俄歇电子谱进行了退卷积,得到固体价带中电子定域能态密度。将这些方法运用到Si、Al、GaAs、Mg谱,且与理论及其它实验曲线进行了比较,得到满意的结果。     

因子分析法及其在俄歇电子谱研究中的应用

详述了因子分析法的基本原理和发展状况，并介绍了这种方法在俄歇电子谱研究领域中的应用现状。包括元素化学态的分析、ＡＥＳ深度剖析、ＡＥＳ定量研究等领域。实践证明因子分析法作为一种强有力的谱分解、技术，在表面分析的研究中具有广泛的应用前景。     

俄歇电子谱术

介绍了俄歇电子谱术的某些基本问题，内容包括：俄歇电子发射、表面灵敏性，俄歇电子谱的测量，定性和定量分析，深度剖析等，最后介绍了三种俄歇谱仪的功能扩展，功函数测量，材料结构性能量和电子态密度测量。     

俄歇电子能谱的奠基人—皮埃尔·俄歇

1978年11月28日,美国真空技术学会为表彰在真空科学与技术领域内取得杰出成果的科学工作者,在旧金山首次颁发为此而设的盖德——朗谬尔奖金。获奖者是法国科学院院士、巴黎大学教授皮埃尔·俄歇(Pierre Auger)。他由于奠定了俄歇电子能谱的基础理论,并使其成为真空科学与技术各学科广泛应用的重要的表面分析技术,而成为世界上第一个荣     

薄膜成分俄歇深度定量分析中的若干问题

深度分辨率和定量分析精度是薄膜组份深度剖面分析中两个基本物理量。首先从实际应用的角度出发.讨论了薄膜成分的俄歇深度剖面定量分析中的几个主要问题。其中包括溅射离子能量、入射角度和样品的化学组成对深度分辨率的影响及其优化。给出了组份溅射深度剖面定量分析方法。提出了定量分析中进行离子溅射修正、基本效应修正和深度定标的具体方法和措施。     

俄歇电子谱仪和光电子谱仪及其在材料科学中的应用

在现代表面分析技术中,俄歇电子谱仪和光电子谱仪发挥很大的作用。本文将介绍俄歇电子谱仪和光电子谱仪的基本原理和组成,并通过在冶金、腐蚀、催化和半导体材料等方面的应用举例,说明俄歇电子谱仪和光电子仪谱仪的应用和分析方法。     

俄歇定量分析基体效应校正因子的获得

本文探试了一种俄歇定量分析基体效应校正因子获取的新方法。通过测量淀积过程中的俄歇强度——时间曲线,并对此进行拟合,得到定量分析所需的相对背散射因子和相对非弹性碰撞平均自由程。将它们用于合金样品的定量分析,得到了较好的结果。实验表明,非弹性碰撞平均自由程效应的校正和背散射因子的校正对定量分析是同样重要的。     

利用微机提取俄歇电子信号

用四极栅能量分析器对样品进行表面分析,既可以得到表面的低能电子衍射图,又可以得到表面俄歇电子信息。但是由于四极栅能量分析器本身结构所限,其灵敏度和信噪比较之筒镜能量分析器为低。为弥补其不足,我们用微机及A/D、D/A技术对表面电     

俄歇电子能谱数据采集和处理

本文介绍了微型计算机与俄歇电子能谱仪的接口软硬件及在微机控制下得到的铜样品的俄歇电子能谱,讨论了一次束流、调制电压等实验参数对谱图质量的影响,并总结出最佳实验条件。文中还着重研究了平均法、光滑样条法、积分、微分、卷积及去卷积等数值方法在谱线平滑化、本底扣除和峰形恢复等方面的作用,并建立了一整套俄歇谱线数据处理的算法及程序。作为一个实例,文中还介绍了实测铜峰的峰形恢复过程及结果。     

俄歇电子能谱的自动分析

本文介绍一种简便的自动测试系统。它是利用IEEE-488标准,由自制俄歇电子能谱仪,数台可编程仪器和一台微型计算机组成的。在微机控制下,经由IEEE-488接口总线,系统完成一系列功能:程控命令的传送与执行、数字化扫描电压的控制,数据的采集、传送、存贮、处理,以及对谱图的定性和定量分