基于能陷理论的石英力敏谐振器集群的设计

石英谐振器可以作为传感器的敏感元件。为了减小温度等因素的干扰,提高石英晶体谐振器力敏特性,通过能陷理论及其厚度剪切石英晶体谐振能量分布曲线的计算,在同一圆形晶片上设计了多电极力敏谐振器集群。根据共模抑制原理,将谐振器集群输出频率信号作差频处理,以此抑制温度等因素的干扰,再将差频信号叠加以提高石英晶体谐振器集群整体力敏特性。实验结果表明,石英谐振器集群差频输出的温频特性明显优于传统的单电极谐振器,石英晶体谐振器集群整体力灵敏度系数提高到9 992 Hz/N。     

基模抑制的三次泛音石英谐振器

基模抑制的石英谐振器是能陷理论的新应用，是一种新型的石英谐振器。本文简要论述了低次谐波抑制的概念及原理，给出了ＡＴ切基模抑制的三次泛音石英谐振器试验数据，并与一般的泛音晶体作了比较。试验数据表明，６７ＭＨｚ三次泛音的等效电阻约为３５Ω，而基频的等效电阻约为２８０Ω，是三次泛音等效电阻的８倍，从而使基模得到了抑制。     

专利

二次谐波发生器由非线性双折射晶体器件谐振器和温控单元组成。用基波的偏振光照射到非线性双折射晶体器件产生二次谐波。规定谐振器的环境温度达到适当的温度使谐振器达到热稳定。通过调节器件的温度,使双折射晶体器件温度上升。(美国专利号:5495489)     

表面结构对集成式石英谐振器性能的影响

在研究石英晶体谐振器力敏特性与加力方位角关系及晶体薄片内波的传播特性的基础上,设计制作了基于同一晶体基片上的集成式四电极谐振器.研究了这种结构的谐振器的力敏特性与加力方位、谐振频率稳定性与基片表面和边沿结构的关系.实验结果表明,谐振器的力敏特性与加力方位密切相关;对晶体基片表面进行抛光处理,能有效地消除表面缺陷对谐振器振动状态的影响,提高谐振频率的稳定性;对晶体基片边沿进行倒边处理,能缩短谐振波波幅在边沿区衰减的空间距离,抑制了谐振器振动能量沿晶片边沿的散失,使谐振器频率稳定性得到进一步提高.经表面抛光及边沿倒边处理后,谐振器频率波动的平均值分别下降到处理前的42%和30%.     

能陷理论与体波晶体谐振器寄生抑制

从高频声体波晶体振子厚度切变机械振动的波动方程入手。分析了寄生现象产生的主要原因，介绍了能陷理论及其在抑制寄生上的应用。最后指出了实际中减小晶体谐振器寄生的主要措施     

高频宽带晶体滤波器的研制

在目前获得高频钽酸锂晶体谐振器较难的情况下,该文以石英晶体为材料,通过化学腐蚀法,将谐振器的基波频率从45 MHz提高到63 MHz,并采用在传统差接桥型电路中插入LC调谐回路的电路展宽方式,将石英晶体滤波器的相对带宽从0.3%拓展到1%。基于该法研制出相对带宽约1%的63 MHz晶体滤波器,其带宽大于600 kHz,损耗为4 dB。     

单基三电极石英晶体谐振器频率-温度特性研究

设计了一种新型的单基三电极石英晶体谐振器，并在大气环境条件下测试分析了这种谐振器的频率-温度特性，验证了其频率-温度特性与已有的单基单电极谐振器的频率-温度特性基本一致，曲线为三次曲线。在相同激励及环境条件下，在同一基片上设置多对电极时，各对电极构成的谐振器的频率-温度特性基本相同。根据这种相似特点，将同一基片上不同电极对应的谐振器的振动频率进行差频补偿，可有效地抑制温度对谐振器振动频率的影响。这种谐振器所采用的差频补偿方法可为石英谐振器相关特性的进一步开发利用提供依据。研究了这种结构的石英晶体谐振器的晶片表面处理（是否抛光）及边沿形状（是否倒边）对其频率-温度特性的影响。实验结果表明，对单基多电极石英晶体谐振器的晶片表面进行抛光并对边沿进行倒边处理后，谐振器的稳定性得到了有效的改善，性能得到了优化。     

基于双枝节“U”型谐振器的双频段微带带通滤波器

利用一种新型的双枝节"U"型谐振器结构,设计了一款双通带微带带通滤波器。该谐振器是在"U"型谐振器的中间和侧臂上各引入了一个枝节得到的,调节侧臂上枝节的特性导纳能够在不改变一次谐波与基波频率比f_1/f_0的情况下自由改变二次谐波与基波频率比f_2/f_0的值,该特性能在实现指定的双通带的同时获得较好的带外抑制性能。对中心频率分别为0.9GHz和1.36GHz,相对带宽分别为12%和4%的双频段的微带带通滤波器进行了仿真和测试,测试结果与仿真结果吻合良好,证实了该双枝节谐振器的有效性。     

双频输出介质振荡器设计

利用负阻振荡的工作原理,使用ADS和HFSS仿真软件对K波段介质振荡器进行了仿真设计,加工并进行了测试,同时设计了一个双工器,使基波和谐波分别从两个端口输出。通过实测结果可以看出,双工器很好地起到了隔离作用。介绍了介质振荡器设计的重点,阐述了双工器的工作原理,分析了介质谐振器和微带线耦合的等效电路,最后给出了介质振荡器(DRO)的实测结果:在基波输出端口,输出功率为6.75 dBm,二次谐波抑制度为23 dBc,相位噪声为-96.28 dBc/Hz@100 kHz;在谐波输出端口,输出功率为1.86 dBm,基波抑制度为23 dBc,相位噪声为-87.65 dBc/Hz@100 kHz,达到很好的分离作用,达到预期效果。     

石英单基多谐振器力敏特性与加力方位的关系

根据石英晶体振动理论及力敏特性，在同一圆形晶体基片上设计制作了多个石英晶体谐振器。采用对径加力的方式，研究了这种石英单基多谐振器的力敏特性与加力方位的关系，并与传统的单基单电极谐振器的力敏特性进行了比较。实验结果表明，同一晶体基片上不同位置的谐振器的力敏特性与加力方位密切相关；选择适当的加力方位，可使多电极结构的谐振器的力-频转换系数优于单电极谐振器的力-频转换系数。     

石英晶体谐振器生产工艺流程综述

本文主要介绍石英晶体谐振器生产线生产工艺，并对Ｕｍ－５微小型石英晶体谐振器的应用情况作了简要说明。     

单基三电极石英晶体谐振器频率-温度特性研究

设计了一种新型的单基三电极石英晶体谐振器,并在大气环境条件下测试分析了这种谐振器的频率-温度特性,验证了其频率-温度特性与已有的单基单电极谐振器的频率-温度特性基本一致,曲线为三次曲线。在相同激励及环境条件下,在同一基片上设置多对电极时,各对电极构成的谐振器的频率-温度特性基本相同。根据这种相似特点,将同一基片上不同电极对应的谐振器的振动频率进行差频补偿,可有效地抑制温度对谐振器振动频率的影响。这种谐振器所采用的差频补偿方法可为石英谐振器相关特性的进一步开发利用提供依据。研究了这种结构的石英晶体谐振器的晶片表面处理(是否抛光)及边沿形状(是否倒边)对其频率-温度特性的影响。实验结果表明,对单基多电极石英晶体谐振器的晶片表面进行抛光并对边沿进行倒边处理后,谐振器的稳定性得到了有效的改善,性能得到了优化。     

单基三电极石英晶体谐振器频率-温度特性研究

设计了一种新型的单基三电极石英晶体谐振器,并在大气环境条件下测试分析了这种谐振器的频率-度特性,验证了其频率-度特性与已有的单基单电极谐振器的频率-温度特性基本一致,曲线为三次曲线.在相同激励及环境条件下,在同一基片上设置多对电极时,各对电极构成的谐振器的频率-温度特性基本相同.根据这种相似特点,将同一基片上不同电极对应的谐振器的振动频率进行差频补偿,可有效地抑制温度对谐振器振动频率的影响.这种谐振器所采用的差频补偿方法可为石英谐振器相关特性的进一步开发利用提供依据.研究了这种结构的石英晶体谐振器的晶片表面处理(是否抛光)及边沿形状(是否倒边)对其频率-温度特性的影响.实验结果表明,对单基多电极石英晶体谐振器的晶片表面进行抛光并对边沿进行倒边处理后,谐振器的稳定性得到了有效的改善,性能得到了优化.     

福浪电子：为汽车电子提供全系列压电元件产品

福浪电子的总部在深圳，它是一家专门从事压电元件生产的公司。主要产品有石英晶体谐振器、单片晶体滤波器、钟控振荡器、声表面波谐振器、声表面波滤波器、陶瓷谐振器、陶瓷滤波器。其中单片晶体滤波器的产量占全国首位，月产量约2007万只，是中国最大的石英晶体滤波器生产厂家之一。产品广泛应用于通信(卫     

石英谐振器

<正> §2.1概述石英谐振器,有时简称为晶体,是晶体振荡器的核心元件。由石英晶体片、电极、支架及其它辅助装置组成。它是利用石英晶体的压电效应、逆压电效应原理制成的电——机械振荡系统。其质量好坏直接影响晶体振荡器的技术指标。用石英晶体稳频已有60多年的历史。由于石英晶体具有稳定物理和化学性能,因而其谐振频率也极为稳定。用石英晶体制成石英谐振器的品质因数,可达数百万,这是石英谐振器在稳频技术中广泛应用的重要原因。     

压控晶体振荡器的设计

简要介绍了压控晶体振荡器的工作原理,说明了晶体谐振器与变容二极管在压控晶振中起的关键作用,以及如何根据实际情况选择合适的晶体谐振器和变容二极管以实现相应的压控频偏和压控线性。介绍了几种可以实现负斜率压控特性和改善压控对称性的压控电路。     

低温晶体失效故障分析

在计算机的实验中,晶体在温度试验条件下,性能不稳定,导致计算机无法正常工作。通过对晶体的失效分析,确定了晶体失效的原因。结果表明：由于晶体谐振器内部晶片的形成结构异常造成晶体谐振器与振荡电路不能相互匹配,因而在低温条件下表现出来,这种晶体谐振器内部晶片结构异常是导致计算机无法正常工作的原因。通过对晶体谐振器进行温度频差测试,发现晶体谐振器早期失效问题,可解决这一问题,验证试验表明这一措施有效、可行。     

晶振跳频原因初探

本文对晶振研制生产中出现跳频现象，从电路，晶体谐振器两部分可能引起频率跳动的种种因素进行了分析，特别是对选用的晶体谐振器发生的跳频原因，从设计和制造工艺两方面作了较详细的探讨。     

石英单基多谐振器力敏特性与加力方位的关系

根据石英晶体振动理论及力敏特性,在同一圆形晶体基片上设计制作了多个石英晶体谐振器.采用对径加力的方式,研究了这种石英单基多谐振器的力敏特性与加力方位的关系,并与传统的单基单电极谐振器的力敏特性进行了比较.实验结果表明,同一晶体基片上不同位置的谐振器的力敏特性与加力方位密切相关;选择适当的加力方位,可使多电极结构的谐振器的力-频转换系数优于单电极谐振器的力-频转换系数.     

石英单基多谐振器力敏特性与加力方位的关系

根据石英晶体振动理论及力敏特性,在同一圆形晶体基片上设计制作了多个石英晶体谐振器。采用对径加力的方式,研究了这种石英单基多谐振器的力敏特性与加力方位的关系,并与传统的单基单电极谐振器的力敏特性进行了比较。实验结果表明,同一晶体基片上不同位置的谐振器的力敏特性与加力方位密切相关;选择适当的加力方位,可使多电极结构的谐振器的力-频转换系数优于单电极谐振器的力-频转换系数。