微量铍对高压阳极电容铝箔再结晶织构形成的影响

采用晶体取向分布函数方法（ODF）研究和分析了在高压阳极电容铝箔加入微量铍（Be)对形变织构和再结晶织构形成的影响。结果表明：在高纯铝中添加微量铍,变形组织组分的强弱发生变化,随铍含量的增加,S织构和C织构组分减弱,B5织构的铍含量为0．0020％时取向密度最小。成品退火时,添加0．0020％铍,再结晶立方织构最强,R取向较弱;在其它情况下,立方织构均减少,R织构增加。由于铍能与铁等微量杂质元素形成化合物,析出后可净化基体,降低基体中杂质铁的浓度,减少铁对位错和空位运动的阻力,从而影响变形组织的组成和降低高纯铝再结晶温度,促进再结晶立方取向核心的形成与长大。     

微量Zn对高压电解电容器阳极铝箔比电容的影响

采用X射线衍射仪定量检测立方织构,采用二次离子质谱仪分析铝箔表层Zn元素分布,采用扫描电子显微镜观察腐蚀结构,研究Zn含量对高压电解电容器阳极铝箔腐蚀结构及比电容的影响。结果表明:当Zn含量由1.9×10 6(质量分数,下同)提高至2.0×10 5时,铝箔立方织构的体积分数仍可达到95%,Zn更多地富集于铝箔表面,导致腐蚀结构均匀,进而使阳极在520 V时的比电容由0.666μF/cm2增加到0.689μF/cm2。     

中间退火对高纯铝箔立方织构的影响

:采用晶体取向分布函数 (ODF)研究和分析了中间退火对高纯铝箔立方织构的影响。研究结果表明 ,中间退火对高纯铝箔冷轧形变织构影响不大 ,但对成品退火箔材中立方织构和R织构含量产生重要影响 ,在 30 0℃× 2h中间退火条件下 ,成品箔材中再结晶立方织构取向密度最大 ,R织构比例较小。其作用机理是中间退火影响铁的存在状态 ,导致成品退火时影响原位再结晶和不连续再结晶过程     

提高高纯铝箔立方织构的工艺途径

介绍了各工艺因素对高铝箔立方织构的影响，以及一些生产电解电容器用高压阳极铝箔的工艺参数，探讨了提高高纯铝箔立方织构的方法和机制，认为提高高纯铝箔的纯并和进行大量、系统的工艺研究，是推进高纯铝箔国产化的关键所在。     

退火对高压电解电容器铝箔微量元素分布和腐蚀性能的影响

观察了经300℃和500℃附加退火并经电化学腐蚀的高压电解电容器用成品铝箔的表面结构。利用二次离子质谱仪检测了铝箔表面区Fe、Si、Cu、Mg、Mn、Zn等微量元素的分布。结果显示，Mg在铝箔外表面的富集多于Fe、Si、Zn元素，而Cu、Mn在表面富集则很少。在铝箔始终保持95％以上立方织构占有率的前提下，500℃附加退火会造成更多微量元素富集于铝箔表面，且较均匀地分布在其上，从而导致了均匀的腐蚀结构和更高的比电容。     

电解电容器用铝箔立方织构含量的分析方法

介绍电解电容器用铝箔立方织构含量的分析方法，即极图法、亮晶度法、金相显微法，侧重阐述用金相显微法定量分析高压铝箔立方织构的含量。     

晶界对低压电解电容器铝箔腐蚀结构的影响

采用扫描电子显微镜和背散射电子取向成像技术分析研究了低压电解电容器用阳极铝箔的腐蚀结构、晶粒尺寸和晶界分布对比电容的影响及相关机理.结果表明,在铝箔的晶界附近,尤其是大角度晶界附近容易出现尺寸较大的腐蚀孔坑或沟道,造成腐蚀结构的不均匀性并降低比电容.该晶界优先腐蚀的现象起因于晶界的高缺陷密度和与之相应的腐蚀电流密度的局部集中.增加晶界密度可以降低杂质原子偏聚程度和电流密度分布的不均匀性,因此在一些特定的电化学腐蚀条件下可以借助减小晶粒尺寸的方式提高比电容.     

电沉积弥散锡晶核对高压阳极铝箔电解腐蚀特性的影响

采用碱洗除去铝箔表面的富铅层,在其表面沉积出高度弥散的锡晶核,通过扫描电镜观察铝箔表面沉积锡晶核的分布,并对铝箔腐蚀后的表面形貌以及对腐蚀孔孔径大小进行统计。结合极化曲线测量铝箔的腐蚀电位,研究电沉积弥散锡晶核对高压阳极铝箔电解腐蚀特性的影响。结果表明:沉积锡晶核的电流密度越大,铝箔表面得到的锡晶核面密度越高,晶核越细小;弥散的锡晶核能够和铝基体组成腐蚀微电池,有效地引导铝箔腐蚀发孔,提高铝箔发孔的均匀性,从而提高铝箔的比电容;相对于表面富铅的铝箔,电沉积弥散锡晶核的铝箔表面微电池数量显著下降,使得腐蚀电位提高,铝箔表面未沉积锡晶核处表面活性低,从而导致铝箔的腐蚀减薄减少。     

酸碱预处理对高压电子铝箔腐蚀扩面的影响

目的研究高压电子铝箔在Na OH和HCl溶液中的电化学行为,分析酸、碱预处理对铝箔电化学腐蚀扩面效果的影响。方法比较铝箔在不同浓度Na OH,HCl溶液中的预处理效果。采用极化曲线获得铝箔在各预处理溶液中的电化学参数,研究其腐蚀行为。利用扫描电子显微镜观察预处理后铝箔的表面形貌,分析预处理对铝箔表面形貌的影响。观察铝箔腐蚀扩面后的蚀孔形貌及蚀孔分布,分析预处理对蚀孔的影响。结果预处理减弱了铝箔制造过程中形成的表面不均匀,提高了表面活性,使得铝箔在电化学腐蚀处理中蚀孔密度增加,分布均匀。对未预处理铝箔及经HCl和Na OH预处理的铝箔进行电化学扩面处理,发现相对于未预处理的铝箔(比电容为0.56μF/cm2),经HCl溶液预处理的铝箔比电容提高了4%~8%,Na OH溶液预处理的铝箔比电容提高更为明显,约为13%~16%。铝箔在HCl溶液中的自腐蚀电位约为-820 m V,在Na OH溶液中的自腐蚀电位约为-1720 m V,并且经计算得知,铝箔在Na OH溶液中比在HCl溶液中自腐蚀速率快。结论铝箔在Na OH溶液中腐蚀均匀,用Na OH溶液对铝箔进行预处理,可以消除铝箔轧制缺陷,提高铝箔的比电容。     

Effect of trace Sn on corrosion behaviors of high voltage anode aluminum foil

The cube texture and the surface corrosion structure of aluminum anode foil for high voltage electrolytic capacitor containing trace Sn were investigated based on quantitative texture analysis and microstructure observation under SEM. High volume fraction of cube texture over 95% and obviously higher specific capacity are obtained in the foils with less than 0.002% Sn. It is indicated that the corrosion behavior of trace Sn on aluminum surface is similar with that of Pb. Higher content of Sn over 0.002% reduces the cube texture component and therefore the specific capacity. Sn, as an eco-ffiendly microelement, can be applied to replace Pb in improving the homogenous pitting behaviors of high voltage aluminum foils.     

缓蚀剂对高压铝箔电蚀特征的影响

利用扫描电镜分析了盐酸+硫酸混合酸电解液中添加适量缓蚀剂聚乙二醇或聚丙烯酸对高压铝箔电解腐蚀后表面形貌与横截面形貌的影响,利用LCR仪与电子天平测试了铝箔比电容与质量失重率。结果表明:缓蚀剂可以改善电解腐蚀后铝箔表面隧道孔孔径的分布,使隧道孔由圆锥状转变为圆柱状,降低隧道孔的并孔团簇现象,这有利于提高铝箔电解腐蚀扩面后的实际表面积;同时铝箔的实际质量失重率明显降低,铝箔的比电容显著增加。     

微观结构和微量元素对铝箔腐蚀结构的影响

观察了经300℃退火并分别快冷和慢冷的铝箔表面的电化学腐蚀结构.利用二次离子质谱仪检测了铝箔表面区域Fe、Si、Cu、Mg等微量元素的分布.结果显示:Mg在铝箔外表面的富集高于铝箔内部4个数量级,Fe、Si的富集程度约高2个数量级,而Cu则不足1个数量级.退火后慢速冷却会造成富集于表面的微量元素偏聚于晶界和位错周围,从而会加重腐蚀结构的不均匀性并降低铝箔的比电容.     

高压电子铝箔阳极电解扩孔行为

研究发孔铝箔在盐酸和硝酸溶液中的阳极极化行为与扩孔特性的关系。阳极扩孔的基本条件是将发孔箔的内、外表面都控制在钝化状态下。在盐酸溶液中,阳极极化时存在点蚀电位和一个较小的钝化电位区,当扩孔施加的电流密度大于临界点蚀电流密度时,铝箔表面发生二次发孔,导致形成孔蚀族与并孔,腐蚀箔厚度减薄,比电容显著降低。在硝酸溶液中,阳极极化时存在一个宽阔的钝化电位区,因此硝酸扩孔比盐酸扩孔容易控制,不会发生二次发孔。提高盐酸或硝酸浓度与温度均可以增大最大维钝电流密度,即增大扩孔的最大电流密度,提高扩孔的生产效率。     

电解工艺条件对铝箔腐蚀形貌与比电容的影响

利用扫面电镜(SEM)、数字电桥研究了铝电解电容器用高压电子铝箔在硫酸+盐酸体系中进行电化学腐蚀扩面时,工艺条件对铝箔腐蚀形貌与比电容的影响规律:电解腐蚀时间对铝箔腐蚀后形貌与比电容影响较大,发孔时间延长、扩孔时间缩短,隧道孔密度增加、孔直径减小;发孔电流密度对铝箔腐蚀形貌与比电容影响较小,只要高于点蚀电流密度,小电流长时间发孔与大电流短时间发孔都可以在铝箔表面形成足够密度的蚀孔结构;电解液温度对铝箔腐蚀形貌和比电容影响较大,随着发孔液温度的提高,蚀孔密度增加、蚀孔孔径减小,隧道孔长度减小.     

退火加热过程对高压电解电容器阳极铝箔立方织构的影响

采用织构定量检测、 EBSD微取向分析、晶粒尺寸分析等手段研究了退火加热过程对高压电解电容器阳极铝箔立方织构的影响. 结果表明 铝箔在最终退火加热中分别经历了初次再结晶和晶粒长大两个主要过程, 两过程互有重叠, 其中在300℃适当完成初次再结晶并在500℃促使立方取向晶粒长大有利于提高最终的立方织构量; 在500℃长时间加热有可能诱发晶粒异常长大, 并降低立方织构量.     

易燃易爆流体运储抑爆铝箔

介绍了易燃易爆流体抑爆材料的种类、抑爆效果、存在的问题、抑爆的原理。重点介绍了铝合金抑爆材料的各种性能及影响因素,铝合金抑爆材料的应用情况及市场前景。并详细介绍了带有抑爆铝合金网(球)的液化气瓶制作。建议建设专业抑爆铝箔厂。     

Controlling limiting length of tunnels on Al foil electroetched in HCl-H2SO4 solution

The limiting length of tunnels, llim, of Al foil electro-etched in HCl-H2SO4 solution and the corresponding anodic polarization curves in the same solution were measured. It is found that there is a dependence of llim on the potential difference, △φ, between the pitting potential, φpit, and the corrosion potential, φcorr, of Al foil, when the temperature and H2SO4 concentration of HCl-H2SO4 electrolyte are changed. The dynamic equation on the tunnel growing and the linear equation between llim and △φ were deduced by analyzing the relationship among the over-potential on Al foil surface, the transport over-potential in tunnel solution and the over-potential at tunnel tip during the electro-etching. The results show that the growing velocity of tunnels decreases with their extending in length and the changing trend of llim can be judged by measuring △φ, which supplies a convenient access to explore new kinds of etchants.