功率GaAs MESFET小信号等效电路模型的参数求解

采用非本征元件的本征元件参数函数的自变量的方法,求解金属肖特基势垒场效应晶体管小信号等效电路模型,并采用相对误差来构建目标函数,以场应应晶体管在零偏置状态的非本征元件值作为初值,通过优化求得的了热场效应晶体管状态的本征元件值,该方法具有收剑快,精度高和效率高的优点,便于移植到微波器件计算机辅助设计和模拟软件中。     

用通用示波器图示晶体管输出特性曲线电路的设计与仿真

文章在研究了晶体管输出特性测试电路的原理和结构基础上,以通用运放为主要元件设计了一种可以借助通用示波器图示晶体管输出特性曲线的电路,同时借助于电路仿真分析软件Multisim对该电路进行了仿真分析。     

单片集成谐振式升压转换器设计

为了解决高频谐振功率转换器功率密度较低的问题,提出基于绝缘体上硅（SOI）工艺平台和氮化镓（GaN）功率晶体管的三维集成的单开关全谐振升压转换器,开关频率为500 MHz. 转换器主体采用传统Class-E放大器的衍生电路结构?并联式Class-E拓扑,栅极驱动器采用单管谐振式驱动拓扑. 转换器中的谐振电感元件采用SOI工艺中提供的平面螺旋电感实现,谐振电容元件采用GaN功率晶体管的米勒寄生电容实现,硅基芯片与GaN芯片通过三维倒装技术连接. 围绕电路参数设计、谐振元件的实现和版图结构设计进行详细分析. 实验结果显示,当输入电压为12 V时,片上转换器的最高功率密度为1.481 W/mm²,满载效率为60%,最高效率为89%. 本设计为实现高功率密度、高集成度的功率转换器提供了新思路.     

晶体管的非线性在变频电路中的作用分析

本文根据晶体管非线性元件的特点,利用数学推导方法，从基础上分析了变频工作啸叫的原因，并提出了消除方法。     

放大电路静态工作点的稳定性研究

放大电路的性能指标与电路的静态工作点相关,因此偏置电路应当在电路元件参数变化时保持静态工作点稳定。分立元件放大电路中最常用的电阻偏置电路,电阻RE就是用于静态电流IC的稳定。只要工作在放大区,晶体管的性能参数就与晶体管的静态电流IC有关,电路元件参数变化对静态电流IC的影响是研究的重点。     

压电陶瓷选针机构及其驱动电路的设计

介绍了压电陶瓷电子提花机的特点和设计制造中的难点。在阐明压电陶瓷特性的基础上,结合电子提花机的实际要求,设计了压电陶瓷片作制动元件的选针机构。通过对驱动电路的工作原理的论证,完成相适应的驱动电路设计。设计原理和结构的可靠性已通过样机试运行证实。     

压电陶瓷选针机构及其驱动电路的设计

介绍了压电陶瓷电子提花机的特点和设计制造中的难点。在阐明压电陶瓷特性的基础上．结合电子提花机的实际要求．设计了压电陶瓷片作制动元件的选针机构。通过对驱动电路的工作原理的论证，完成相适应的驱动电路设计。设计原理和结构的可靠性已通过样机试运行证实。     

纳米技术应用的五大难题

1 .分子电子整流器或分子电子晶体管。为了增加密度并把纳米电子器件的工作温度提高到低温范围以上 ,必须在单分子那么大的尺度上制造纳米电子器件。达到此目标的一个重要途径是设计与合成具有传导和控制电流或信号所必需的本征物理特征的单分子。然而 ,迄今为止 ,已能正常工作的纳米尺度分子电子交换器件和放大器件 (例如分子晶体管和分子量子点 )还没有做出来 ,也没有演示过。　　2 .把分子晶体管和导线组装成可运转的电子器件。即使知道如何制造分子晶体管和分子导线 ,但把这些元件组装成一个可以运转的逻辑结构仍是一个棘手的难题。普度…     

异步电机制动元器件的确定（英）

利用三相异步电机的稳态等效电路,建立了异步电机阻容制动时的计算机仿真模型.通过样机测试,证实了仿真结果的正确性.利用仿真程序可方便地确定满足制动要求的电容、电阻元器件,并达到最佳效果.通过仿真讨论了电容、电阻元件及转动惯量对制动过程的影响.     

斩波器设计与应用

本文以绝缘栅型晶体管IGBT作为开关元件,利用TL494进行脉宽调制,改变IGBT的开关时间,得到可调的直流电压电路做了比较深入的实验研究,并做了一定的调试。     

温敏聚合物研究现状与进展综述

温敏聚合物由于其溶解度对温度的敏感性而引起了极大的关注.综述了温敏聚合物的分类及其在不同领域的国内外研究现状,并提出了其今后的研究方向.     

注入逻辑四位运算功能发生器的设计与试制

在毛主席无产阶级教育路线指引下,我们小组于75年6月到兰字826部队开门办学,搞毕业实践,时间约半年。这期间,在研究室党支部的正确领导下,在广大工人师付、技术人员和教员的指导帮助下,进行了注入逻辑四位运算功能发生器的版图设计和工艺试制,取得了部分的结果。一、前言集成注入逻辑(I~2L)是近几年发展起来的一种新型双极逻辑电路。该电路用多集电极纵向NPN晶体管作开关元件,横向PNP晶体管作电流源,结构十分简单。它的优点在于:1)集成度高,可达100～200门/毫米~2;2)功耗——延迟时间乘积极低,可低至0.13PJ;3)工艺简单,易控,成品率高。因此,可以说集成注入逻辑为双极大规模集成电路开辟了     

开关磁阻电动机开关元件的选择与研究

本文讨论了开关磁阻电动机驱动装置中开关元件的选择、设计、及其额定值的计算。着重分析了ＩＧＢＴ在开关磁阻电动机中的应用，并且给出了一种典型的驱动电路，样机实验结果验证ＩＧＢＴ是开关磁阻电动机理想的开关元件。     

沈海电厂200MW机组励磁系统及自动化装置改造分析

沈海电厂1#、2#发电机组均为20世纪90年代初期哈尔滨电机厂制造的QFSN-200-2型机组,针对设备陈旧,发电机励磁系统及自动装置存在老化、运行不稳定等问题,经过多方调研、论证,近年来分别对2台机组的励磁调节器和自动准同期装置进行了设备更新改造.将2台分离元件的励磁调节器改为微机80C196励磁调节器;将晶体管集成电路ZZQ-3A型自动准同期装置改为80C196微机自动准同期装置.同时对改造后的微机励磁调节器、微机自动准同期装置及两者之间在自动控制上的联系作以简要分析.     

葡萄糖离子敏场效应晶体管

由固体技术和酶固定化方法制造葡萄糖酶微型传感元件。这些元件是固化酶膜的场效应晶体管和化学薄膜电极。通过测定，给出微型传感元件的某些特性。实验指出，在36℃、pH为7的0．01M磷酸盐缓冲液中，对葡萄糖的测定范围是100－750mg/L,灵敏度为8mv／pk。     

共发射极放大器的静态稳定性

具有最佳电路及合理工作点的放大器,其性能在工作过程中会受环境温度、电源电压及元件参数变化等因素的影响。由于晶体管对温度十分敏感,当温度变化时,晶体管的集—基反向电流 I_(CBO)、发射结电压 V_(BE)、电流放大倍数β都会随之变化,这些参数     

新型压电步进旋转驱动器

在对驱动器机械结构进行设计分析的基础上,建立了以压电叠堆为驱动元件的精密旋转驱动的数学模型,并对所设计的驱动器样机从旋转运动分辨率、运动稳定性、旋转速度及承载等方面进行了实验测试。测试结果表明,所开发的驱动器样机旋转速度可达2990.6μrad/s、输出扭矩0.147 N.m、最小旋转步距(旋转分辨率)小于0.32μrad,运动行程为连续360°,驱动器性能稳定可靠。     

挖掘机机液耦合复杂系统仿真分析及试验验证

为全面分析某型挖掘机机液耦合复杂系统,提出了基于数字化虚拟样机的评估方法。利用Amesim软件中的HCD(液压元件设计)库,从元件设计的角度建立挖掘机的液压系统模型,使得模型与实际系统更加贴近。借助三维造型软件Pro/E建立挖掘机装配模型,利用Adams软件建立挖掘机动力学模型。通过软件接口技术使得液压系统模型与动力学模型相互关联,建立了挖掘机机液耦合仿真模型。通过挖掘机样机试验测试,结果表明仿真数据与试验数据基本一致,验证了联合仿真模型的准确性。联合仿真模型可用于挖掘机系统方案设计、挖掘机样机性能评估,也可用于挖掘机系统优化的研究,为产品开发提供一种周期短、成本低的新方法。     

油浸式变压器在线监测与保护装置

提出了一种新型油浸式变压器油箱内故障在线监测与保护装置.该装置以PIC18FXX系列单片机作为测量和控制核心，利用其自带的CCP功能模块和A/D转换功能模块及CAN总线模块，扩展了少量的外围电路，实现了对变压器油箱内绝缘油的高度和温度的在线监测与故障保护.测量结果通过CAN总线传送给上位机.本设计采用电容法间接测量油箱内的油面高度，采用温敏元件测量变压器绝缘油的温度，具有成本低、可靠性高、结构简单等特点，特别适用于普通的中、小型变压器中.     

高纯氧化铝陶瓷元器件

在高纯氧化铝陶瓷片上,用薄膜或厚膜技术制成膜式元件,它和互连导件,外贴微型晶体管或单片集成电路组成,就是薄膜或厚膜集成电路.薄厚膜集成电路,元件参数范围广,精度和稳定性高、电路设计灵活性大,研制、生产周期短、种类多,对电子设备的微型化起了重要的推动作用.广泛应用于通信设备,电子计算机和数据微型处理机,测量和控制系统,航空和航天.以及民用电子产品等.经过我们多年对陶瓷器件的科研实践,摸索、掌握了在薄膜技术中的关键工艺条件(如制版、光刻、镀膜、电镀等),解决了同行业中难解决的质量问题,提高了工艺水平.我们