高温BaTiO3PTCR材料的研究

本文提出了一种新型的ＢａＴｉＯ３ＰＴＯＲ材料的制备方法。研究了它的导电机理，给出了材料的组分，工艺条件及主要参数，提出了改进性能的途径。     

高温BaTiO_3PTCR材料的研究

本文提出了一种新型的高温ＢａＴｉＯ３ＰＴＣＲ材料的制备方法。研究了它的导电机理，给出了材料的组分，工艺条件及主要参数，提出了改进性能的途径。     

低温BaTiO_3PTCR材料的研究

本文介绍了ＢａＴｉＯ＿３半导瓷材料ＰＴＣ效应的产生机理，给出了配方、工艺要点及主要特性多数，提出了改进性能的途径。     

低温BaTiO_3PTCR材料的研究

本文介绍了ＢａＴｉＯ＿３半导瓷ＰＴＣＲ材料的性能，给出了低温ＰＴＣＲ材料的配方、工艺要点及主要特性参数，提出了改进性能的途径。     

有机PTCR材料的辐射改性研究

介绍以高密度聚乙烯（ＨＤＰＥ） 为基材, 碳黑、二氧化钛（ＴｉＯ２） 为导电填料的有机ＰＴＣＲ材料的制备工艺, 采用γ－６０Ｃｏ 源与电子加速器两种辐射源, 对有机ＰＴＣＲ材料进行辐射改性, 对两种方法进行了初步的比较与研究     

双施主对受主补偿的BaTiO3系PTCR材料的影响

采用过剩施主二次掺杂法，研究双施主二次掺杂时两种施主相对比例不同对于BaTiO3材料性能的影响，发现过剩施主二次掺杂对受主杂质进行补偿比一次掺杂效果好，在相同掺杂量的情况下，可获得更大的PTC效应和更低的室温电阻率。采用Sb、Y过剩双施主对受主进行补偿，当双施主相对比例变化时，存在PTCR材料α30℃=0．4℃^-1的极大值。采用过剩双施主对受主进行补偿，可获得升阻比〉7，温度系数α30℃〉0．30℃^-1的PTCR材料，有效地降低原料成本。     

低电阻率高居里点PTCR材料的研究

为了获得适合低压特种变压器、手机等用过流过热保护作用的高居里点、低电阻率的PTCR材料,在采用传统的电子陶瓷制造工艺的基础上,通过液相施主掺杂及对改性剂配方优化的方法进行了研究。当液相掺杂Sb3+的添加量为0.1%时(摩尔分数),获得了居里点tC为150℃、ρv为4.7?.cm、升阻比lg(ρmax/ρmin)为3.3的PTC材料。通过电性能测试、SEM显微结构分析和复阻抗测试,探讨了作用机理。     

高性能BaTiO3基PTCR陶瓷的制备与研究

报道了在传统 Ba Ti O3基 PTCR陶瓷基料中间时加入一定配比的 Pb3O4 和 Ba CO3所产生的低阻现象。当 x=2 .5和 Pb/Ba=1.3时 ,陶瓷在 114 0°C保温 6 0 m in条件下获得了高性能的 PTCR瓷体 ,其室温电阻率与升阻比分别为 8Ω· cm和 4× 10 4 。结果表明 ,Pb3O4 和 Ba CO3的添加不仅能显著降低瓷体的室温电阻率 ,且还可以大幅度降低陶瓷的烧结温度。通过 XRD衍射谱分析并未在低阻瓷体中发现 Ba Pb O3相。根据所研究材料系统的一系列固态化学反应与缺陷反应提出了氧空位模型 ,并很好地解释了低阻化现象。     

片式BaTiO3基PTCR瓷片的制备及烧结工艺的研究

以轧膜成型工艺制备的BaTiO3基热敏电阻(PTCR)坯片为对象,研究了烧结工艺对其电性能的影响.结果表明,通过控制烧结温度的各参数,可优化成BaTiO3基热敏电阻的电性能.且获得室温电阻低于10 Ω、升阻比达5个数量级且耐电压高于50 V/mm的片式PTCR瓷片,尺寸为8 mm×5 m×0.22 mm.     

PTCR材料生产智能管理系统

ＰＴＣＲ材料生产智能管理系统由常规生产管理模块和工艺过程智能控制模块组成。讨论了实现智能控制的方法，包括知识表示方法、数据库的设计、知识的获取、常温电阻及居里点的控制、最佳烧成工艺的选择等。     

钛酸钡系PTCR半导体陶瓷界面态分析

对形成钛酸钡系半导瓷PTCR效应的界面态进行了探讨,分析了在居里点以上由于界面态和介电常数的共同作用引起的材料电阻率猛增几个数量级的原因;同时对钛酸钡系PTCR半导瓷界面态的组成进行了研究,并提出一种直接测量界面态密度的方法。     

低温BaTiO3PTCR材料的研究

本文介绍了ＢａＴｉＯ３半导瓷材料ＰＴＣ效应的产生机理，给出了配方、工艺要点及主要特性参数提出了改进性能的途径。     

喷雾造粒粉体对BaTiO3系PTCR半导体陶瓷性能的研究

研究了通过喷雾造粒制得的BaTiO3系PTCR热敏陶瓷粉体性能对生坯成型及瓷体物理、PTC效应、电学等性能的影响,与手工造粒粉体比较,由于喷雾造粒的粉体流动性好,表面活性大,粒度均匀,其成型性及烧结后瓷体PTCR效应、电学性能均有明显提高。     

Sm2O3掺杂的BaTiO3陶瓷的PTCR效应

施主深度为PTCR效应的关系,一方面受各种杂质乃至助烧剂影响而变得复杂化;另一方面也被很多作者所忽视。然而,这一关系可以在定程度上映射出PTCR效应的本质。海望曾指出,在BaTiO3材料中,晶界上过剩施主的堆集,能够形成晶界层中高深度的表面受主态,从而使材料PTCR效应迅速提高。尽管海望的表面受主态模型被广为接受,然而,我们研究了Sm2O3掺杂的BaTiO陶瓷中掺杂浓度与PTCR效应的关系,结果表明：随着稀土掺杂量的提高,材料的升阻比隆低。采用其他稀土元素,也得到相同的结果。因此,PTCR效应应当来源于在铁电相变点,晶界层中电子陷阱中性钡缺位被激活俘获自由电子;过剩施主的增加只能增加材料的室温电阻率,而不能提高PTCR效应。     

高T_C低电阻率PTCR陶瓷材料

研究了在制备高ＴＣ低电阻率ＰＴＣＲ陶瓷材料过程中，原材料、少量添加物以及主要生产工艺对电性能的影响规律。经反复试产表明，在隧道窑可以大规模生产出居里点ＴＣ＝１８０～２７０℃、室温电阻率ρ２５＜８０Ω·ｃｍ、电阻温度系数α４０≈１４％℃－１、升阻比Ｒｍａｘ／Ｒｍｉｎ为１０４的高性能ＰＴＣＲ陶瓷材料。此种材料制成高温发热元件能在６～２４Ｖ电压下使用，开拓了ＰＴＣＲ材料新的应用领域。     

混合烧成法制取低温PTCR陶瓷材料的研究

本文提出了用混合烧成制取低温ＰＴＣＲ陶瓷材料的工艺方法，该方法和普通工艺相比，不仅降低ＢａＴｉＯ３陶瓷的工作温区，而且室温电阻率比普通工艺下的要小，即半导化程度比普通工艺要好。     

化学沉积电极与BaTiO3系PTCR半导瓷的欧姆接触

研究了在BaTiO3系PTCR半导体陶瓷上化学沉积镍和铜电极的接触电阻及稳定性，并与烧渗Ag-Zn、烧渗Al电极进行了比较。根据实验结果，用量子力学从理论上讨论了欧姆接触的可能模型，提出场发射是金属－半导体陶瓷形成欧姆接触的机理之一。陶瓷表面经过处理后，元件的电性能要发生一些变化，但不会恶化陶瓷的体性能。     

轧膜成型对BaTiO_3片式PTCR性能的影响

为制备片式BaTiO3陶瓷PTCR元件,采用轧膜成型的方法。通过研究材料性能与成型因素的关系,并通过与干压成型工艺对比,研究了轧膜成型工艺对陶瓷PTCR性能的影响。 通过调整影响轧膜成型的条件,可以制得具有良好可塑性、均匀度、致密度、光洁度的薄膜。