MRAM:内存的新潮流(下)

Freescale所提供的MRAM替代性方案 在Freescale的器件中，自由的和固定的磁体层并不是单纯的铁磁板。相反，它们是合成的反铁磁体（synthetic antiferromagnet，SAF）三明治结构，由两个反向对准的铁磁材料层以及两层材料之间所夹的一层非磁性材料耦合隔层而组成。图2示出了一个SAF位单元。SAF三明治结构产生磁致电阻效应的能力并不会因为它的混合式结构而受到影响。对准和反对准只取决于MTJ结构两侧相对的两层材料。将两层板材组成SAF，就可以让每层板变成“磁矩平衡”-净外磁场为零。     

磁性随机存储器中的电流磁场分布模型

根据磁性随机存储器(MRAM)设计的实际需要,建立了MRAM中相互垂直的字线和位线电流所产生的磁场的解析分布模型。利用该模型讨论了存储单元与位线间距离(d1),字、位线宽度(w)及字、位线厚度(t)对存储单元自由层表面磁场分布的影响。结果表明,d1或w增大时,自由层表面磁场的强度及非均匀程度都减小。t增大时,自由层表面磁场的强度及非均匀程度都增大。其中d1对磁场分布的影响程序是最大的。该模型为MRAM更精确的器件模拟及器件结构的优化设计工作提供了必要的基础。     

东芝与海力士半导体合作研发MRAM内存技术

东芝近日宣布与韩国海力士半导体（Hynix）合作研发磁电阻式随机存取内存（MRAM）技术,今后将在韩国利川的海力士研究设施中集结双方技术人才,积极推动此合作计划。     

电子战武器装备发展现状(上)

<正> 现代战争电子战技术装备按用途大体可分为电子侦察、电子进攻和电子防御三大类。 一、电子侦察装备 电子侦察装备有太空侦察装备、空中侦察装备、地面侦察装备和海洋侦察装备。目前世界各国,特别是发达国家,已用这些装备在陆、海、空、天多维战场建成全方位、大纵深、立体化的电子侦察网系。 太空侦察装备 太空侦察装备主要是电子侦察卫星,用于侦察敌方雷达的位置、频率及军用电台和发信设施的位置、调制方式等参数,以便各军种进行     

电子墨水显示器(上)

科技的发展,不断改变着人们的日常生活习惯和方式。电子纸的问世,则在整合续者的传统阅读习惯与新式科技资讯传输方面又向前跃进了一大步。     

’95电子世界大事记(上)

<正> 信息社会·信息产业 美国提出全球信息基础设施合作议程 1995年2月15日,美国提出《全球信息基础设施合作议程》,呼吁各国加入全球信息基础设施建设。 日本公布信息通信基础建设方针 1995年1月6日,日本公布《1995年度日本信息通信基础建设基本方针》,把1995年定为“信息通信基础建设元年”。这一文件估计,现在的多媒体市场为16万亿日元,到2000年可达59万亿日元,且可创造199万个就业机会。 印度电信业发展迅速 印度电信业年均增长率达17％,已拥有800万条电话线路,而全世界拥有800万条以上线路的国家和地区仅有12个。据预计,到1997年,印度电话线路可增至1580万条。 欧盟百万人在家上班 欧洲联盟各国已有100～150万人在家上班,或在自己选择的地点上班,称为电子办公。美国已有600万人在家上班。这种方式可减少交通拥挤、减轻     

电子工业专用设备的可靠性(上)

本文着重对电子工业专用设备涉及到的有关可靠性方面的三个重要问题进行介绍,它们是:可靠性设计、可靠性试验和可靠性筛选。     

汽车电子组件:一个正在发展的市场(上)

汽车中出现的电子设备和系统越来越多,而它们也是汽车功能创新的驱动力. 汽车厂商正在越来越多地使用电子系统和半导体集成电路用于汽车的各种应用,包括驾驶员信息和通信、车内娱乐电子设备、传动系和身体控制电子设备以及汽车安全和舒适设备.     

纳电子学的发展(续)

<正>2.2电荷基CMOS新扩展器件电荷基CMOS新扩展器件的功能和场效应器件不同,包括利用带间隧穿效应的隧穿FET、利用冲击离化效应的IMOS、利用纳电子机械低功耗效应的NEMS开关、基于铁电电容具有的负栅电容FET、利用量子点中单电子库伦阻塞效应的单     

目录分销:金融危机折射出成长商机(上)

金融危机带来的全球经济衰退直接影响了半导体产业的发展,对于半导体厂商来说,稳定现有客户并寻求新的产品增长点已经成为决定生存还是毁灭的问题。在这个客户变得比自己更重要的时代,供应链发挥着日趋重要的作用,目录分销商反而逆势迎来了属于自己的增长机遇。电子元器件分销市场将会继续发展,占据越来越 这是因为生     

一种新型存储器件——磁电存储器

磁电存储器不仅存取速度快、功耗小，而且集动态RAM、磁盘存储和高速缓冲存储器功能于一身，因而已成为动态存储器研究领域的一个热点。文章总结了磁电存储器的工作原理和特性，分析了它们的发展现状及存在的问题，并对其应用前景进行了展望。     

磁存储器驱动电路界面平坦化研究

利用原子力显微镜（AFM）和扫描电镜（SEM）对磁存储器(MRAM)驱动电路与存储单元--磁性隧道结(MTJ)的连接界面的表面平坦化进行了研究. 原子力显微镜照片表明：磁控溅射沉积的金属铝膜的表面由尺寸约为300nm的颗粒组成，其表面粗糙度约为几十纳米的量级，用统计平均值（均方根值root mean square,RMS）描述约为10nm；在铝膜的表面沉积一层难溶金属Ti或Ta膜以后，可很好地改善过渡层金属表面的平坦化效果. 通过用化学机械平坦化设备(chemical mechanical planarization,CMP) 在小压力和低转速的条件下，可使过渡层金属表面的RMS值达到小于1nm的平坦化效果. 扫描电镜照片的结果也显示：利用光刻胶平坦化，然后通过调节反应离子刻蚀的条件，使刻蚀的过程中对氧化硅和光刻胶的刻蚀速率相等，去掉光刻胶，达到平坦化整个芯片表面的效果.     

MTJ MRAM的特性分析与设计

对 MTJ(磁隧道结 )的 GMR(巨磁阻 )效应进行了分析。 MTJ的结构、形态和工作条件会对 GMR效应产生不同的影响。提出了一种 4× 1位 MTJMRAM(磁存储器 )的电路结构 ,每个 MRAM的存储单元由一个MTJ和一个 MOSFET构成 ,用 MTJ两磁极磁化方向的相对取向表示所存储的数据 ,数字线和位线电流产生磁场的共同作用可完成 MRAM数据的写入。     

A 180 Kbit Embeddable MRAM Memory Module

A 180 Kbit magnetoresistive random access memory (MRAM) organized as 22 bits by 8 Kwords has been developed for embedding in a 0.28 micron CMOS process. The memory cell is based on a 1-transistor 1-magnetic tunnel junction (1T1MTJ) bit cell with a toggle MTJ. For reads, the memory is architected with word lines connecting a row of bits to bit lines with a pass transistor and two stages of columns selection transistors connecting bit lines to dual sense amplifiers. For writes, a read is first performed to determine the state of bits to be written followed by a toggle decision to enable bit line toggle drivers. Overlapping bit and word line currents toggle the selected bits. The new dual sense amplifier architecture separates the amplifier reference bits from the bias bits thereby improving sensitivity and reducing offset. The write driver uses a switched capacitor and charge sharing to improve ground bounce immunity and reduce area. Embedded test registers control internal memory timing, reference voltages, reference currents and access features enabling detailed characterization of the memory and optimization of the design. An example describing optimization of the write parameters is presented.      

几种新型非易失性存储器

本文简单介绍了铁电存储器、磁性随机存储器和相变存储器这三种比较有发展潜力存储器的原理、研究进展及存在的问题等.     

SDDR存储器: 新型存储架构设计

迄今为止, SDRAM存储器的扩容完全依赖于半导体工艺水平的升级, 而提速取决于对时钟的利用方式。DDR3 SDRAM已达8倍速率, 再提速已很困难。提出一种新型串行访问的SDDR存储器结构和片内串行只写总线, 将DDR存储器封装成消息连接的构件, 将访问存储器的命令、地址和数据等信息打成消息报包, 经片内串行只写总线与构件化的DDR存储器交换信息。SDDR存储器减少了引脚, 连接简单并且抗干扰能力强、可靠性高, 易于扩容和进一步提升时钟速率, 具有明显的实用前景。     

A New Spin On Architecture

It?s your LegoLand building-block fantasy come to life. When the twisted tower in this rendering is completed in Dubai in 2010, each of its 80 floors will rotate independently around a central column that will house its elevator shafts, stairwells, and utilities. Sections of each floor, complete with cabinets, electrical wiring, and bathroom fixtures, will be preassembled off-site, hoisted up, and hung, intact, on the central column. In the gaps between each floor, wind turbines will spin; these and solar panels on the edges of each floor?s partially exposed roof will generate enough power to make the 420-meter-high rotating skyscraper independent of the energy grid. The curvy, statuesque beauty will house offices, a luxury hotel, apartments, and a few full-floor villas with space enough for residents to park their cars safely inside.     

自旋晶体管的最新研究进展

自旋晶体管是指利用电子自旋自由度构建的在结构上类似于传统半导体晶体管的三端自旋器件。对基于自旋劈裂的磁双极型自旋晶体管、基于热电子输运的自旋晶体管和基于Rashba效应的自旋晶体管的最新研究动态进行了评述,并对其发展前景做了展望。     

一种新型的有安全保护的存贮器

介绍了一种适用于保密通信的密钥存贮和其他需要安全保护的信息存贮等多种场合的新型加密存贮器(E~2PROM)。接着简述了这种E~2PROM的特点、操作规则、器件的协议以及配置情况。