N+离子注入对Aspergillus sp.产原果胶酶的诱变效应

原果胶酶是一种具有广泛应用前景的工业酶类,为获得高活性原果胶酶的菌株,用能量为15 keV、注量为20×2.6×1013-180×2.6×1013cm-2的N+注入原果胶酶产生菌黑曲霉Aspergillus sp.XZ-131的成熟孢子,其存活率曲线为典型的"马鞍型"剂量-效应曲线.经筛选确定高产诱变菌株Z-25,经传代培养,高产性状稳定遗传.发酵过程中比原始菌株提前24 h进入生长旺盛期,随后在稳定期期间大量产酶,发酵至72 h时酶活性达到最高,比原始菌株提高了179%,每克干细胞性比原始菌株提高了84%.     

低能氮离子注入对大豆幼苗脂质过氧化的影响

用N+注入丰豆101的种子,采收子叶伸展后24h和96h的幼苗做为试验材料,研究N+注入对其幼苗过氧化物酶(POD)、过氧化氢酶(CAT)和超氧化物歧化酶(SOD)活性以及氧化产物丙二醛(MDA)的含量、电解质外渗率的影响。结果表明,在25keV能量下,当N+注量在6.5×1016-7.8×1016N+/cm2时,幼苗的SOD和CAT活性最高。 而POD活性在小于5.2×1016N+/cm2低剂量下, 活性较恒定, 在大于5.2×1016N+/cm2中高剂量下,活性逐渐增大。此外,N+注入还可降低幼苗子叶中的MDA积累量和电解质外渗率,而且在6.5×1016N+/cm2剂量下,幼苗中的MDA含量和电解质外渗率最低。揭示了一定剂量N+注入大豆种子可削弱幼苗脂质过氧化作用以及提高其抗寒性的关系。     

离子注入过程中拟南芥愈伤组织冻害的防护研究

以拟南芥愈伤组织为对象,探讨了 DMSO(二甲亚砜)处理和玻璃化处理两种方法对愈伤组织在注入过程中冻害的防护。结果表明,玻璃化处理较 DMSO 处理能更有效地对冻害进行防护,N+注入量增至200×2.6×1013cm? 时,仍有 60%左右的愈伤组织可以正常分化。此工作对于以活体材料为注入对象的研究有一定的实际意义。     

氮离子注入油菜M1代的生物学效应

研究了氮离子(N+)注入油菜干种子引发的当代生物学效应.结果表明N+在3.2×1016-4.6×1016/cm2注量范围内处理不影响油菜种子发芽;以3.9×1016/cm2注量处理可提高种子出苗率和成苗率;适当注量处理可促进苗期株高、叶片数和单株鲜重的增加,对成株期叶片数、茎粗、最大叶片长和宽等生物性状以及一次有效分枝数、全株总角果数和单株产量等经济性状均具有明显的生长刺激效应.同时,离子束处理区表现出广泛的变异,变异株率达到3.2%.     

N+注入对甘草叶片腺体和腺体分泌多糖及叶片多糖的影响

甘草叶片上生长有能分泌多糖的腺体,腺体分泌的多糖液累积于腺体头部呈透明"球状",功能叶上所有的腺体均向腺体头部分泌多糖液,枯黄衰老叶上的腺体头部仍然具有完整的呈"球状"的多糖液.对甘草干种子注入总量为4.68×1016/cm2、能量为10-25keV的N 对甘草叶片腺体数、腺体分泌多糖、叶内多糖、叶片总多糖均有刺激效应.其中15 keV的N 注入叶片腺体分泌多糖比对照提高44.1%(P＜0.01);甘草叶面腺体数和腺体分泌多糖呈明显的正相关(r=0.4537,P＜0.1).20keV的N 注入甘草叶片总多糖含量比对照提高31.8%(P＜0.01).这些N 注入甘草干种子的能量、注量参数可供对甘草进行离子束育种时参考.     

空间实用GaAs/Ge太阳电池高能质子辐射效应研究

用能量为5—20MeV,注量为1×109—7×1013 cm-2的高能质子对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行辐照,得到了其性能随质子能量和注量的变化关系,并进行了微观机理的讨论。研究结果表明,注量低于1×109 cm-2的质子辐照不会引起太阳电池性能的变化; 注量高于1×109 cm-2辐照,会引起太阳电池性能的改变。当注量为3×1012 cm-2时,5、10、20 MeV质子辐照引起太阳电池性能参数Isc衰降变化分别是原值的80%、86%、90%;Voc衰降变化分别为原值的82%、85%、88%;Pmax衰降的变化分别为原值的60%、64%、67%。当辐照注量为5×1013 cm-2时,5、10、20 MeV质子辐照引起Pmax衰降的变化分别为原值的26%、30%、36%。即随着注量的增加,太阳电池性能衰降增大;且相同注量的辐照,质子能量愈高,太阳电池性能衰降愈小。这与质子在电池材料中的能量损失和辐照引入的深能级Ec-0.41eV有关。     

离子注入甜菜杂交种当代生物效应

以甜菜杂交种为处理材料 ,用N+作为诱变源 ,以 35keV的能量 ,分别以 4 0次、6 0次脉冲 ,注入剂量分别为 4× 10 16 N+/cm2 和 6× 10 16 N+/cm2 进行激发诱变。结果显示 ,甜菜杂交种的产量、含糖率均有明显的提高。     

Ar+离子辐照对锆4合金耐腐蚀性能的影响

为了研究辐照损伤对锆4合金电化学耐腐蚀性能的影响,使用直线加速器产生单电荷载能Ar+,在液氮温度下辐照样品表面,产生缺陷.然后,测量辐照后锆4合金的电化学极化曲线,使用钝化电流密度作为评定腐蚀性能的指标,分析不同注量Ar+离子辐照对锆4合金钝化电流密度的影响.同时使用透射电子显微镜分析不同注量Ar+辐照下锆4合金损伤层的微观结构.实验结果表明在低离子注量范围内(＜3×1014/cm2),随着辐照量的增加钝化电流密度升高,耐腐蚀性能降低;在中等离子注量范围内(3×1014-1×1016/cm2),随着辐照量的增加钝化电流密度急速下降,耐腐蚀性能显著提高;在高离子注量范围内(1×1016-1×1017/cm2),随着辐照量的增加钝化电流密度又开始增加,耐腐蚀性能再次降低.最后,根据原子碰撞理论对实验结果进行了理论分析.     

1.55 MeV 3He离子辐照单晶Si引起的损伤效应研究

室温下使用1.55 MeV、5×1013-5×1016/cm2注量的3He离子注入单晶Si,采用透射电子显微镜(TEM)观测分析了高温退火后单晶Si中由注入引起的损伤形貌,同时使用核反应分析(NRA)技术研究了3He气体原子的热解吸.结果显示,低注量3He离子注入在Si中产生的缺陷主要为一些小尺寸的位错或位错环;在中等照射剂量,退火导致了气泡和气泡团簇的形成并伴随着高密度的位错环从这些气泡团簇中发射出来;而对于较高的照射剂量,3He离子注入加上随后的高温退火则在离子射程附近产生了一个具有确定边界的空腔带.结合NRA结果对实验现象进行了分析.     

中子对氟聚合物力学性能的影响

对中子辐照前后氟聚合物 F2311和 F2314的静态力学性能、动态力学性能以及分子量进行了考察。结果表明,经注量为 1.5×1013/ cm2的中子辐照后,F2311和 F2314的静态力学性能稍有增强,分子量变化不大;F2311的动态力学性能基本不变,F2314的储存模量和损耗模量却有所降低,经注量为 2.5×1013/ cm2的中子辐照后,F2311的静态力学性能和 F2314的拉伸性能明显增强,F2314的压缩性能反而降低;F2311的动态力学性能基本不变,F2314的储存模量和损耗模量却明显减小。     

纸张的电子束辐照效应研究

为确证电子束辐照邮件的可行性,寻找辐照纸张时可保证品种等级的剂量范围,用不同剂量电子束照射新闻纸、复印纸、牛皮纸、书写纸、照片等几种常用的纸张,测定了纸张的定量、白度、撕裂度、抗张强度、耐折度、色差等物理性能发生的变化,并对辐照效应的机理进行了研究.结果分析表明,20-30 kGy的邮件辐照灭菌剂量对上述性能影响小于25%.     

水流速度对锶迁移影响的实验研究

分别采用不饱水和饱水黄土土柱对稳定元素锶的迁移进行了示踪实验，结果发现，锶在两类未扰动土柱中的延迟系数可以很好地衔接。对锶的延迟系数进行研究的结果表明：无论在不饱水土柱还是饱水土柱，锶在黄土中的延迟系数Rd不是常数，而随水流速度的增加而增大；无论按峰位还是按质心位置计算，单位喷淋强度下锶的迁移速度随水的喷淋强度的增加而减小。这表明，为了描述锶在黄土中的迁移，使用平衡吸附模式是不合适的。     

钙-铀-碳酸络合物对红土吸附铀性能的影响

采用静态实验法研究了钙-铀-碳酸络合物对红土吸附铀性能的影响。结果表明:溶液的pH值、总碳酸和钙离子浓度增大会抑制红土对铀的吸附,当pH=7.0,红土投加量为1g/L,钙离子、总碳酸根和初始铀浓度分别为0.4mmol/L、3.8mmol/L和50mg/L时,红土对铀的最大吸附容量约为4.20mg/g。铀在红土上的吸附形态为UO2(CO3)2-2、UO2(CO3)4-3和UO2CO3(aq)。利用铀-碳酸络合物总量c(UCO3)T可预测红土吸附铀的容量qe,c(U-CO3)T与qe呈非线性关系,其方程为qe=18.2(c(UO2+2)·c(CO2-3)(K1+K2c(CO2-3)+K3c2(CO2-3)))0.36。该研究成果可为铀污染土壤的修复和治理提供技术和理论参考。     

蒙脱石含量对膨润土膨胀行为影响的试验研究

高放废物深地质处置中,作为缓冲回填材料的膨润土应具有良好的膨胀性能。为了解蒙脱石含量对膨润土膨胀行为的影响,采用自行设计的试验装置对不同蒙脱石含量膨润土的膨胀行为进行了试验研究。结果表明,在试验条件下,成型膨润土膨胀行为的各项指标(轴向最大膨胀力和径向最大膨胀力)均随着蒙脱石含量的增加而增加,且呈线性关系。蒙脱石含量为70%时,径向、轴向最大膨胀力分别达到2.03 MPa和2.25 MPa,其比值为0.902。结果可为膨润土设计提供参考。     

稳定剂对PVC辐射变色性能影响的研究

采用^60Coγ射线对聚氯乙烯（Polyvinyl chloride,PVC）／稳定剂复合体系进行辐照。研究了不同稳定剂对PVC辐射变色．陛能的影响;并采用紫外光谱仪（Ultraviolet spectrometer,UV）和傅立叶变换红外光谱仪（Fouriertransform infrared spectrometer,FT—IR）对其结构进行了表征。结果表明,硬脂酸钙（Calcium stearate,CaSt）,硬脂酸锌（Zinc stearate,ZnSt）复合稳定剂、环氧大豆油、亚磷酸酯和光稳定剂的加入可提高PVC耐辐射变色性能。亚磷酸酯的加入可提高PVC的耐辐射氧化性能。在相同吸收剂量下,添加硬脂酸钙／硬脂酸锌复合稳定剂的PVC具有优异的耐辐射变色性能。在吸收剂量为30kGy时,CaSt：Znst为4：1的PVC黄变指数变化率为8．3％。PVC经辐照后主要形成3至4个共轭双键的不饱和酮或共轭烯烃结构。     

非人类物种辐射影响评价方法分析

本文对美国核能管理委员会（以下简称NRC）的RESRAD-BIOTA程序和欧盟推荐的ERICA程序进行了对比.通过设定相同的参考生物和核素浓度,对比分析了两个程序计算的差异性.结果表明,两种方法得到的生物受照总辐射剂量率在一个量级上,变化趋势相同,具有一定的通用性;但在不同核素对剂量的贡献份额上,两种方法的计算结果有一定的差异,因此可根据不同核电机型的实际源项选用适当的程序.     

Effect of pulse parameter on preparation of W coating on V alloy

The tungsten coatings were prepared on vanadium alloy substrate by pulse electroplating in Na₂WO₄–WO₃ molten salt. A series of tungsten coatings with compact and smooth morphologies were successfully obtained under various conditions. Orthogonal experimental design method was used to analysis the influence degree of current density, duty cycle and period on tungsten grain size, coatings thickness and current efficiency. The results demonstrated that current density was the most important factor influencing tungsten grain size and tungsten coatings thickness, which all had a positive correlation with current density. The pulse duty was the most important factor influencing current efficiency; the result also showed a positive correlation between current efficiency and pulse duty factor.     

摇摆条件对湍流流动特性的影响

利用Fluent软件对摇摆条件下矩形管内的湍流流体进行理论分析,分析了多种湍流模型和多个参数对流动特性的影响。在摇摆条件下,矩形管中心区域速度分布趋于均匀化,但壁面附近的速度梯度增大,从而使摩擦阻力系数增加。壁面会对摇摆条件对湍流流体的影响产生抑制作用。在纵摇条件下,小长宽比矩形管内速度等高线成哑铃状分布。对于本文的计算流体,摇摆条件下的湍流摩擦阻力系数与Re的0.47次方成反比。     

金属铀表面铝薄膜生长行为的XPS研究

在室温、超高真空条件下,采用Ar离子溅射沉积的方法在清洁金属铀表面沉积铝薄膜,并利用X射线光电子能谱分析技术原位观察铝薄膜的生长行为.结果表明,在薄膜生长过程中,铀铝界面存在较明显的互扩散行为,同时发生一定程度的相互作用,生成金属间化合物UAlx,导致铀、铝XPS特征谱发生明显变化.铀铝间的互扩散导致U 4f谱在380.4、392.7和404.2 eV处出现新的能量损失峰;而铀铝金属间化合物的生成导致Al 2p XPS谱峰向低能端偏移0.2 eV.随沉积时间的增加,能量损失峰强度逐渐增强,Al 2p峰逐渐向金属Al特征峰位置偏移,说明随铝沉积量的增加,铀铝间的扩散行为增强,铀铝相互作用生成的金属间化合物组分并非单一.在沉积过程中,铝薄膜以岛状方式生长.