高分子网络法制备纳米ZnO和稀土复合粒子

以硝化的稀土氧化物和硝酸锌为原料,丙烯酰胺为单体,N,N'-亚甲基双丙烯酰胺为网络剂,采用高分子网络法,制得纳米氧化锌与稀土氧化物的复合粉体,平均粒径为17～47nm.通过XRD,SEM,TEM,EDS,FT-IR等测试手段,表征了复合粉体的结构、形貌、成分及前驱物粒子表面键合情况.     

Ce/ZnO纳米复合抗菌剂的制备及其性能研究

以纳米氧化锌(ZnO)为载体,采用稀土离子掺杂的方法制备了Ce/ZnO纳米复合抗菌剂。通过TEM、XRD等技术对样品进行表征,结果表明:制备的Ce/ZnO复合粉体是一种纳米复合抗菌剂,粒径在20nm左右,并且铈以CeO2的化学态存在于Ce/ZnO复合粉体表面,在ZnO的位置上进行了有效掺杂。掺杂稀土铈有效的提高了纳米ZnO的光催化性能以及抗菌效果。     

掺Nd纳米ZnO薄膜特性研究

研究了用真空蒸发法在玻璃衬底上制备稀土掺杂纳米ZnO薄膜结构、导电性及光透射性能。结果显示。在500℃氧化、热处理稀土元素Nd掺杂后能够明显改善纳米ZnO薄膜的结构特性，薄膜的晶粒尺寸随掺杂含量的增加而减小。掺Nd使ZnO薄膜的电性能有所改善但使纳米ZnO薄膜的光透射性有所降低。     

一维纳米结构ZnO掺杂的研究进展

ZnO是目前已知纳米结构中形态最为多样的多功能材料之一,其一维纳米结构的掺杂改性日益成为研究和应用的热点.本文按照杂质原子引入一维纳米结构ZnO晶格的先后,将ZnO的掺杂分为原位掺杂和后期掺杂两类,对当前一维纳米结构ZnO的掺杂进展进行了回顾,提出掺杂工艺中尚待解决的问题,并对其发展趋势及前景进行了展望.     

纳米ZnO薄膜制备及液态源掺杂

用真空蒸发法在玻璃和单晶硅片（100）上制备Zn薄膜，然后对Zn薄膜进行氧化、热处理获得纳米ZnO薄膜，对在硅片上制备的Zn薄膜一次性进行高温掺杂，氧化获得纳米ZnO:P和ZnO：B薄膜，研究不同氧化、掺杂温度和时间对薄膜的结构、电学性能的影响。结果表明：氧化温度和时间对ZnO薄膜结构影响较大，液态源掺P可明显改善纳米ZnO薄膜的导电性能、结构特性和化学组分。     

纳米ZnO薄膜制备及液态源掺杂

用真空蒸发法在玻璃和单晶硅片 (10 0 )上制备Zn薄膜 ,然后对Zn薄膜进行氧化、热处理获得纳米ZnO薄膜。对在硅片上制备的Zn薄膜一次性进行高温掺杂、氧化获得纳米ZnO∶P和ZnO∶B薄膜。研究不同氧化、掺杂温度和时间对薄膜结构、电学性能的影响。结果表明 :氧化温度和时间对ZnO薄膜结构影响较大 ,液态源掺P可明显改善纳米ZnO薄膜的导电性能、结构特性和化学组分     

热氧化复合薄膜制备针叶状纳米ZnO

采用射频磁控复合溅射技术,在Si（111）衬底上制备Zn/SiO2复合薄膜,本文讨论了不同退火时间下形成的晶状氧化锌,并对其进行了X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）以及选区电子衍射（SAED）分析和表征.可以看出,由于不同材料的结晶温度不同,在空气中700℃退火热处理,使金属锌从复合薄膜中析出并氧化,形成针叶状氧化锌结晶体,ZnO晶体为六方纤锌矿结构.     

溶液生长ZnO一维纳米阵列及其复合纳米结构的研究进展

对溶液生长ZnO一维纳米阵列的研究进展进行了评述,分析了晶种制备和溶液生长过程中各工艺因素对阵列微观形貌的影响,并介绍了在溶液中通过控制定点成核并利用有机基团调控ZnO晶体生长习性的合成路线用于构筑ZnO复合纳米结构的最新研究,指出了溶液生长ZnO一维纳米阵列和构筑复合结构中存在的问题及今后的研究方向.     

掺Nd纳米ZnO薄膜特性研究

研究了用真空蒸发法在玻璃衬底上制备稀土掺杂纳米ZnO薄膜结构、导电性及光透射性能。结果显示 ,在 5 0 0℃氧化、热处理稀土元素Nd掺杂后能够明显改善纳米ZnO薄膜的结构特性 ,薄膜的晶粒尺寸随掺杂含量的增加而减小。掺Nd使ZnO薄膜的电性能有所改善但使纳米ZnO薄膜的光透射性有所降低。     

ZnO/BaTiO3纳米复合材料的制备及其发光性质

采用溶胶-凝胶技术制备了ZnO/BaTiO3纳复合材料，用X射线衍射仪（XRD）、透射电子显微镜（TEM）测定了不同温度处理后样品的组成、结构、形貌和尺寸。对复合材料室温下的光致发光谱分析发现，复合材料的发光强度比纯的纳米ZnO发光显著增强；纳米ZnO中氧空位引起的510nm发光带的峰位随着热处理温度的不同而分别出现蓝移和红移现象。其中蓝移主要是量子尺寸效应引起的，而红移则可能与致密化的BaTiO3所提供的高介电场有关。     

ZnO薄膜V族掺杂的研究进展

ZnO薄膜作为第三代半导体功能材料,高质量的p型掺杂是基于光电器件应用的关键.概述了ZnO薄膜V族元素氮、磷、砷(N、P、As)p型掺杂的研究进展,分析对比了3种元素的掺杂和p型转变特性,简单介绍了共掺杂技术,提出了有待进一步研究的问题.     

Rapid synthesis of pure and narrowly distributed Eu doped ZnO nanoparticles by solution combustion method

Pure ZnO:Eu³⁺ nanoparticles (~ 50 nm) were prepared by a solution combustion method. ZnO and Eu₂O₃ were used as starting materials and dissolved in nitric acid. Citric acid was used as a fuel. The reaction mixture was heated at 350 °C resulting into a rapid exothermic reaction yielding pure nanopowders. The atomic weight concentration of Eu³⁺ doped in ZnO was 20%. Transmission electron microscopy (TEM) was used to study the particle size and morphology. The nanopowders were characterized for phase composition using X-ray diffractrometry (XRD). Particle size distribution (PSD) analysis of ZnO: Eu³⁺ showed particle sizes ranging from 30 to 80 nm.The photoluminescence emission spectra of ZnO:Eu³⁺ nanostructures showed a strong band emission around 618 nm when excited with 515 nm wavelength.     

高功率脉冲磁控溅射制备ZnO薄膜的研究进展

氧化锌薄膜材料由于具有高电导率、良好的光学透过率、原料储存丰富、成本低廉的特点,被认为是最具有潜力的透明导电薄膜.特别是其宽禁带(3.37eV)和高达60meV的激子束缚能,使其在环境温度制备同质结发光器件、太阳能电池电子传输层具有巨大的应用前景.然而,传统制备方法难以实现薄膜质量的综合调控,存在p-ZnO稳定性差、制...     

Fabrication of Nb3Sn superconductors by the solid-liquid diffusion method using Sn rich CuSn alloy

Superconducting composite wires having thick Nb₃Sn layers (? 20 μm) and high current carrying capacities were fabricated by the diffusion reaction between Nb (solid) and Sn rich CuSn alloy (liquid): the solid-liquid diffusion method. Composite wires with a fine inner core of Cu 12 at % Sn alloy surrounded by Nb were produced by cold drawing and heat treated at about 700°C. The Sn rich intermetallic compounds which formed initially were transformed to Nb₃Sn in 50 ～ 100 h, as the Cu concentration in the CuSn alloy core increased due to the consumption of Sn. The process produced thick Nb₃Sn layers, in comparison with the bronze method, because of the high Sn content in CuSn alloy core. The mechanism of enhanced Nb₃Sn formation by Cu was also studied, and it was clarified that the Cu in CuSn alloy lowers the activity of Sn so that the formation of Sn poor intermetallic compounds Nb₃Sn becomes advantageous in the diffusion reaction as compared with other Sn rich compounds.     

ZnO薄膜的制备及p型掺杂研究进展

氧化锌是一种在声表面波传感器、压电器件以及太阳能电池等方面具有很好应用前景的材料。介绍了目前制备ZnO薄膜的主要方法,综述了ZnO薄膜p型掺杂的研究现状,并对ZnO薄膜的研究进行了展望。     

Sn掺杂ZnO微晶的水热法制备及表征

采用水热法合成了具有不同形貌的Sn掺杂ZnO微晶。采用XRD、SEM、UV等分析手段对试样进行了表征。实验结果表明，随着Sn掺杂比例的增加，ZnO微晶的粒度增大，大的微晶达到500nm，小的仅为100nm。大的ZnO微晶为六棱锥体，显露锥面P{10 11），负极面O（000 1），并对其生长机理进行了探讨。     

溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜的晶粒定向生长与光学性质

采用溶胶一凝胶法在普通化玻片上制备出高C轴择优取向的ZnO薄膜,深入研究了溶胶浓度、甩膜层数、退火温度对薄膜相结构、晶粒定向生长和紫外光吸收与可见光透射特性的影响.实验发现,在300～600℃退火范围之内,随着退火温度的升高,薄膜晶粒生长取向性增强,晶粒尺寸增大;用Zn含量为0.5mol/L的溶胶使用旋涂法甩膜和经过预热处理的5层膜再经过550℃退火1h后所形成的薄膜晶粒沿C轴高度择优取向,结构系数Tc(002)达到5.1,该薄膜的平均透射率为90%.     

溶胶-凝胶法制备Cu/ZnO的室温铁磁性

为研究稀磁性半导体的室温铁磁性来源,采用溶胶-凝胶法制备了Cu掺杂ZnO半导体粉末。X射线衍射光谱显示Cu在ZnO中的固溶度小于0.08 (摩尔比);透射电子显微镜分析显示颗粒尺寸较为均匀,呈单结晶态;振动样品磁强计测试表明,Cu/ZnO具有室温铁磁性。由于Cu本身不具有任何磁性,样品的铁磁性来源为氧化锌晶格中的缺陷与Cu2+离子之间的交换作用。     

溶胶-凝胶法制备Y掺杂ZnO薄膜及其光电性能研究

采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备了不同掺Y浓度的ZnO透明导电薄膜。X射线衍射(XRD)表明,所制备的Y掺杂ZnO透明导电薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有C轴择优取向。随着Y掺杂浓度的升高,(002)峰向低角度方向移动。UV透射曲线表明,薄膜在可见光区(400～800nm)的平均透过率超过85%,具有明显的紫外吸收边,通过改变Y的掺入浓度,可以使吸收边向短波方向移动,从而使薄膜的禁带宽度可调。制备的Y掺杂ZnO薄膜电阻率最小值为3.68×102Ω·cm。     

磁控溅射法制备掺杂ZnO透明导电薄膜及其研究进展

磁控溅射技术以其显著的优点已成为工业镀膜主要技术之一。充分发挥磁控溅射镀膜技术的现有优势,寻找新的增长点,成为近年来人们研究的热点。介绍了磁控溅射镀膜技术的原理、特点;总结了近来磁控溅射法制备掺杂ZnO薄膜,主要是Al掺杂、Si掺杂、Al-H共掺杂ZnO薄膜的研究进展。并在此基础上对掺杂ZnO透明导电薄膜的发展趋势进行了展望。