Si（001）上MBE异质生长Ge中表面活化剂Sd的作用的研究

本利用ＲＨＥＥＤ、Ｘ射线双晶衍射及ＴＥＭ等技术，研究了在Ｓｉ（００１）衬底上，用晶化了的列定形Ｇｅ层做缓冲层ＭＢＥ生长Ｇｅ时，引入表面活化剂Ｓｄ所产生的影响。研究表明，Ｓｄ的引入将全使Ｓｉ（００１）衬底上无定形Ｇｅ膜的晶化温度显提高，并在一定的生长条件下，破坏Ｇｅ外延层的结晶性。     

碲化物薄膜的附着牢固度与其显微结构的关系

用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和透射电镜术（ＴＥＭ）观察Ｓｉ和Ｇｅ基板上ＰｂＴｅ、ＣｄＴｅ及ＰｂＧｅＴｅ单层薄膜及其与ＺｎＳ组合的多层薄膜的显微结构,给出了薄膜附着牢固度与薄膜显微结构的关系     

(001)GaAs衬底上异质外延的立方GaN薄膜与界面

用电子回旋共振微波等离子体辅助金属有机化学气相沉积（ＥＣＲ－ＰＡＭＯＣＶＤ）法，在低温条件下，在（００１）ＧａＡｓ衬底上异质外延，生长了立方晶ＧａＮ薄膜．高分辩电镜（ＨＲＥＭ）观测与Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）测量结果表明：ＧａＮ薄膜具有典型的闪锌矿结构；三种方法测得其晶格常数为０．４５１～０．４５７ｎｍ；在ＧａＮ／ＧａＡｓ界面处的生长模式为异质外延；ＧａＮ薄膜中的位错主要为堆垛层错与刃形位错；随着远离界面，ＧａＮ中位错密度与镶嵌组织迅速减少．     

用5晶（7晶）X射线衍线仪研究半导体薄膜材料

５晶（７晶）Ｘ射线衍射仪非常适合于高级半导体单昌，特别是Ⅲ－Ⅴ族和Ⅱ＝Ⅵ经合物半导体及其异质体外延层的特性分析。本文将简单地介绍５晶（７晶）Ｘ射线衍射仪，以及在半导体薄膜研究中的结果。     

艾尔莎推出“惊市奇价”

自８月７日起,艾尔莎（ＥＬＳＡ）影雷者Ｘ显示卡由原来的ＲＭＢ１７５０元,下调至ＲＭＢ １４３０元,与同类的ＧｅＦｏｒｃｅ ２５６显示卡相比,此次调价令艾尔莎（ＥＬＳＡ）影雷者Ｘ凭借其出色的性能、完善的服务,成为目前显卡市场上最超值的产品。同时,影富者Ｘ２ ＤＤＲ显示卡也由原来的ＲＭＢ２７００元,降至ＲＭＢ ２５００元。艾尔莎推出“惊市奇价”     

研究与玻璃粘接的GaAs/GaAlAs外延层晶体质量的X射线衍射方法

本文应用高分辨率多重晶多次反射Ｘ射线衍射仪（Ｈｉｇｈ－ＲｅｓｏｌｕｔｉｏｎＭｕｌｔｉｐｌｅ－ＣｒｙｓｔａｌＭｕｌｔｉｐｌｅ－ＲｅｆｌｅｃｔｉｏｎＤｉｆｒａｃｔｏｍｅｔｅｒ,ＨＲＭＣＭＲＤ）研究了粘接后的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ／玻璃结构．利用倒易空间衍射图的方法评价粘接后的晶体质量,给出了倒易空间衍射的三维强度分布图．结果表明,粘接过程中较大的应力将使应变的非四方畸变加剧,同时生长方向的应变产生较大的变化．这都将在晶体内部产生缺陷,影响器件的光电特性．成功的粘接样品表明,应变造成摇摆曲线的半峰宽（ＦＷＨＭ）     

β－FeSi_2／SIMOX──一种新结构的光电子材料

本文采用固相外延法在ＳＩＭＯＸ衬底上生长了β－ＦｅＳｉ２薄膜，采用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ），卢瑟辐背散射（ＲＢＳ）以及自动扩展电阻测量研究了样品的多层结构，Ｒａｍａｎ谱表征说明它与直接在硅片上生长的薄膜具有类似的晶格振动特性．     

β—FeSi2／SIMOX—一种新结构的光电子材料

本采用固相外延法在ＳＩＭＯＸ衬底上生长了β－ＦｅＳｉ２薄膜，采用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ），卢瑟辐背散射（ＲＢＳ）以及自动扩展电阻测量研究了样品的多层结构，Ｒａｍａｎ谱表征说明它与直接在硅片上生长的薄膜具有类似的晶格振动特性。     

LP－MOCVD生长InGaN单晶薄膜

报道了以Ａｌ２Ｏ３为衬底在ＧａＮ薄膜上ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＩｎＧａＮ单晶薄膜，并研究了ＩｎＧａＮ的生长特性。实验给出了ＩｎｘＧ１－ｘＮ合金的固相组分与汽相组分和生长温度的变化关系，并应用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、Ｘ射线回摆曲线（ＸＲＣ）和室温光致荧光（ＰＬ）谱等技术对外延层的晶体质量、完整性和发光特性进行了分析。发现ＩｎＧａＮ／ＧａＮ系统中保持适当的压应力有助于提高外延层的晶体完整性，减少非故意掺杂杂质的引入，能改善外延层的发光特性。     

激光熔敷NiCrSiB合金组织与物相研究

报道了对ＮｉＣｒＳｉＢ激光熔敷合金中共晶组织的研究和观察，将共晶中的第二相标定为Ｎｉ３１Ｓｉ１２。γ′（Ｎｉ３Ｓｉ）相与γ（Ｎｉ，Ｃｒ）相共存于枝晶中，共晶包围着枝晶形成合金的基体，其上弥散分布着硬质强化相ＣｒＢ，Ｎｉ３Ｂ和Ｍ２３（ＣＢ）６。研究方法包括ＳＥＭ（扫描电子显微镜），电子探针，ＸＲＤ（Ｘ射线衍射），ＥＤＡＸ（能谱分析）和波谱分析等     

MgSe薄膜的相结构研究

我们采用ＭＯＣＶＤ外延技术首次在ＧａＡｓ（１００）和（１１１）衬底上成功地生长了ＭｇＳｅ单层薄膜．利用Ｘ射线衍射技术观察到了它的ＮａＣｌ结构、纤锌矿结构和闪锌矿结构三种相结构，并首次实验测量出了闪锌矿结构ＭｇＳｅ的晶格常数     

五品牌手机生产日期轻松辨

爱立信（ＥＲＩＣＳＳＯＮ） 输入（右*左*左*左*）后会显示： ＡＢＣＤＥＦ ＧＨＩＪ ＰＲＧＸＸＸＸＸＸＸＸＸ ＡＢＣＤＥＦ为年、月、日（ＹＹ／ＭＭ／ＤＤ） 诺基亚（ＮＯＫＩＡ） 输入*＃０００＃显示： ＶＸＸ·ＸＸ为软件版本, ＤＤ－ＭＭ－ＹＹ为生产日期（日－月－年）, ＮＸＸ－Ｘ为手机型号：如３３１０为ＮＨＭ－５。 摩托罗拉（ ＭＯＴＯＲＯＬＡ） 查ＭＳＮ（在手机标贴上）内容,ＭＳＮ长度为十位： ＡＡＡ－Ｂ－ＣＣ－ＤＤＤＤ ＡＡＡ为型号代码（Ａ７４－ Ｃｄ９２０／９２８, Ａ８４ ２０００）; Ｂ为产地代码（２－…     

Si／Ag／Si和Si／Au／Si薄膜分形晶化的TEM和EDS研究

本文利用透射电镜（ＴＥＭ）和Ｘ射线能谱（ＥＤＳ）对ａ－Ｓｉ：Ｈ／Ａｇ／ａ－Ｓｉ：Ｈ和ａ－Ｓｉ：Ｈ／Ａｕ／ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的分形晶化行为进行了研究。结果表明薄膜的分形晶化强烈依赖于退火条件，分形的形成可用随机逐次触发形核和生长（ＲＳＮＧ）来加以解释。尽管膜内存在明显的互扩散，Ｓｉ分形区厚度与均匀基体区厚度相近。但在ａ－Ｓｉ：Ｈ／Ａｇ／ａ：Ｓｉ：Ｈ膜中存在部分较大的Ａｇ晶粒凸出膜面。     

纳米硅薄膜结构特性研究

在电容式耦合等离子体化学气相沉积系统中，使用高氢稀释硅烷为反应气体制备出了晶粒尺寸为２～１０ｎｍ的纳米微晶相结构的硅薄膜，使用高分辨电子显微镜（ＨＲＥＭ），Ｘ射线衍射谱（ＸＲＤ），Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）和红外光谱（ＩＲ）等结构分析手段检测了其结构特征．结果表明，纳米硅薄膜的晶格结构为畸变的金刚石结构．Ｘ射线衍射谱表明除了Ｓｉ（１１１）的２θ＝２８．５°和Ｓｉ（２２０）的２θ＝４７．３°处的衍射峰外，在２θ＝３２．５°处存在着一个强的异常峰．ＨＲＥＭ结果表明存在新的Ｓｉ结晶学结构与ＸＲＤ异常峰相关联．     

Mo／SiO2软X射线多层膜的结构研究

本文用磁控射方法制备了几种Ｍｏ／ＳｉＯ２多层膜。在北京同步辐射装置（ＢＳＲＦ）的衍射站上测量了其氏角Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）谱，并利用基于光学动力学理论的递推公式对低角Ｘ射线衍射谱进行了拟合，定量分析了膜层的周期结构和界面度以及界面度与层数、层厚的关系。同时用高分辩电子显微镜（ＨＲＥＭ）对一样品的截面进行了观察。     

Co、Ti／Si_（1－x）Ge_x薄膜快速退火固相反应结构和组分研究

本文首次研究金属Ｃｏ与分子束外延Ｓｉ１－ｘＧｅｘ单晶薄膜快速热退火（ＲＴＡ）固相反应，并对比了ＣＯ、Ｔｉ与ＳｉＧｅ固相反应时不同的反应规律实验采用ＲＢＳ、ＡＥＳ、ＸＲＤ、ＳＥＭ等分析和测试手段对样品的组分和结构等薄膜特性进行检测．实验发现，Ｃｏ／Ｓｉ０．８Ｇｅ０，２在６５０℃热退火后形成组分为Ｃｏ（Ｓｉ０，９Ｇｅ０．１）的立方晶系结构，薄膜具有强烈择优取向；９００℃处理温度，有ＣｏＳｉ２形成，同时Ｇｅ明显地向表面分凝．ＴｉＮ／Ｔｉ／Ｓｉ０．８Ｇｅ０．２固相反应时，８５０℃处理可以形成Ｔｉ（Ｓｉ１－ｙＧｅｙ     

创新推出8倍速DVD-ROM套件

创新公司的ＤＶＤ－ＲＯＭ套件又将升级,配备８倍速ＤＶＤ－ＲＯＭ的ＰＣ－ＤＶＤＥｎｃｏｒｅ８Ｘ即将上市。ＰＣ－ＤＶＤＥｎｃｏｒｅ８Ｘ套件包括一个８ＸＤＶＤ－ＲＯＭ和一块采用Ｄｘｒ３技术的ＭＰＥＧ２解压缩卡,能提供效果上佳的硬件ＭＰＥＧ２解压缩的影音播放效果。创新的ＤＸＲ３（ＤｙｎａｍｉｃＸｔｅｎｄｅｄＲｅｓｏｌｕｔｉｏｎ３）技术,除了能完成硬件ＭＰＥＧ２解压缩外,还可将ＤＶＤ影片普遍使用的ＡＣ－３５．１声道数码音效输出,再通过ＡＣ－３解码器由５．１声道音箱输出相当于影院的效果,该卡还配有Ｓ／ＰＤＩ…     

Structural and Electrical Behaviors of Ag Films Deposited on Liquid Substrates

ＳｔｒｕｃｔｕｒａｌａｎｄＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＢｅｈａｖｉｏｒｓｏｆＡｇＦｉｌｍｓＤｅｐｏｓｉｔｅｄｏｎＬｉｑｕｉｄＳｕｂｓｔｒａｔｅｓＧ．Ｘ．Ｙｅ１，２Ｑ．Ｒ．Ｚｈａｎｇ２Ｈ．Ｌ．Ｇｅ２Ｃ．Ｍ．Ｆｅｎｇ２（１Ｄｅｐｔ．ｏｆＰｈｙｓ．，Ｈａｎｇｚｈ...     

α—Fe2O3薄膜的制备,结构和气敏特性

采用等离子增强化学气相淀积工艺（ＰＥＣＶＤ）制备出了Ｆｅ２Ｏ３薄膜，用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）分析了薄膜的结构、表面形貌和粒度，研究了薄膜对乙醇、液化石油气、煤倔和氢气的敏感特性。结果表明所研制的薄膜对乙醇有较高灵敏度，共检测下限可达１ｐｐｍ，而对液化石油气、煤气和氢气不太敏感，具有优良的选择性。     

Si1-xGex/Si多层异质外延结构的研究

对制作的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ多层异质外延结构进行了研究。并对其做了反射高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ）、Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扩展电阻（ＳＲ）等测量，给出了利用这种结构研制出的异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的输出特性曲线。