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1.
测量了高纯Fe-Nb-C合金的400-850℃内耗,发现一个峰温度随测量应变振幅变化的高温(666-740℃)磁机械滞后阻尼内耗峰。研究了峰的特征、出现、消失条件及升降温、频率、振幅、变形与退火等因素对峰的影响.提出了用内耗实验确定材料中阻碍铁磁畴壁Barkhausen跳动应力的方法和合金中产生磁机械滞后阻尼-温度峰(Q_m^(-1)-T)的物理机制。 相似文献
2.
在变频、变温和不同应变振幅下,对不同热处理后的新型阻尼TNCH-Z钛合金的低频阻尼特性进行研究,同时对该合金的声频内耗进行测量。结果表明:室温低频范围内,合金的阻尼性能受应变振幅影响较大:应变振幅增加,合金的阻尼性能随之提高;合金的相变阻尼随频率的加快而降低。由于马氏体相变的影响,合金对温度变化比较敏感。在-50~100℃相变范围内,合金的内耗峰值tanφ=0.08(加热)/0.09(冷却),马氏体相的内耗值高于母相的。受到热处理制度的影响,该合金的内耗峰宽化,提高了该合金的使用温度。该合金在声频范围内的内耗值达到10-2级。 相似文献
3.
Fe—Nb—C合金的中温内耗 总被引:5,自引:0,他引:5
Fe-Nd-C合金内耗测试表明:700℃,1h水淬合金的Snoek峰较低,而且含Nb越多,Snoek峰高(hs)越低。与通常铁基材料不同,变形导致Fe-Nb-C合金的hs增强:对于含Nb(≥0.06%,质量分数,下同)较低的合金,“Snoek阻尼温区”(室温-150℃)内耗增强显著,其Snoek峰高温支明显抬起、甚至形成混合双峰;对于含Nb≤0.3%的合金,hs增强甚微,仍是一对称的Snoek峰,并在80-130℃间形成-分立峰。降温SKK峰向低温移动,但峰高(hSKK^c)未减低,含Nb较低合金的hSKK^c都明显高于hSKK^h。 相似文献
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Ce,La对高阻尼Zn—22%Al合金阻尼稳定性的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
采用自然时效、人工时效等热处理工艺,借助航向电镜和室温低频扭摆内耗仪,研究了微量Ce,La对高阻尼Zn-22%Al合金时效后显微组织和阻尼性能(内耗)的影响。结果表明,经水淬后80℃温轧的Zn-22%Al合金在低于温轧温度下时效时,其阻尼性能 量Ce,La的加入,提高了经水淬后80℃温轧的Zn-22%Al合金的阻尼性能,减缓了经150℃时效后阻尼性能的降低。 相似文献
6.
粉末冶金法SiC颗粒增强镁基复合材料的阻尼性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用粉末冶金法制备了两种不同成分的基体合金及S iC颗粒增强镁基复合材料。采用LMA-1型低频力学弛豫谱仪对基体合金及复合材料的阻尼性能随频率、振幅及温度的变化关系进行了研究。结果表明,Mg-1.01%Zn-0.86%Zr合金的阻尼性能优于Mg-2.51%Zn-0.63%Zr合金的;S iC颗粒的加入使S iCp/Mg-1.01%Zn-0.86%Zr基复合材料的阻尼性能有所提高;基体合金及复合材料的内耗值均随频率的增加先急剧降低,随后趋于平缓;低应变振幅下阻尼性能受应变振幅影响较小,但在较高应变振幅下阻尼随应变振幅的增加而急剧增大;在200℃~250℃及350℃~400℃的温度范围内均出现内耗峰。 相似文献
7.
变形Fe-Nb-C合金的室温至180℃内耗 总被引:5,自引:0,他引:5
测量了700℃,30min水冷后变形Fe-Nb-C合金室温至180℃的内耗,发现除Snoek峰外,合金在此温度区还有阻尼峰。测量了合金经过980℃,2h中间处理样品的内耗,并给出变形及室温原位时效的汽车钢ST14与GBPH340的内耗结果。认为Fe-Nb-C合金的变形“B”峰。是被饱和Cotterll气团碳原子团簇钉扎的位错段拖曳碳的稀Cottrell气团运动引起的,是合金在变形时碳原子稀Cottrell气团择优分布在位错上的结果。 相似文献
8.
选用直径为55mm的水平连铸灰铁HT250棒材,利用动态热机械分析仪测试型材的阻尼性能随振幅、频率和温度的变化关系,探讨灰铸铁型材的阻尼机制。研究表明,灰铸铁型材的阻尼性能随振幅和频率的提高而增加。在40℃附近出现斯诺克温度内耗峰。斯诺克峰的出现,使型材的阻尼性能随温度的变化在高低温时表现出完全不同的趋势。存在一临界应变振幅范围,大应变振幅下的阻尼性能远高于小应变振幅下的阻尼性能。灰铸铁型材的阻尼温度效应主要来源于点缺陷阻尼。位错阻尼在阻尼频率效应和阻尼振幅效应中起了主导作用,决定了型材的阻尼-频率行为和阻尼振幅行为。 相似文献
9.
铁含量对Al—Si—Fe合金微观组织及内耗性能的影响 总被引:7,自引:2,他引:5
采用快速冷凝-粉末包套挤压工艺制备了含铁量分别为1.2%和3.5%的Al-Si-Fe合金。研究了这两合金在挤压和退火状态下的微观组织特征和内耗行为。解决了Fe含量及其析出相、热处理状态等对内耗的影响,提出了该合金在系在60-250℃温度范围产生内耗峰的机制。 相似文献