磁性多层膜的正巨磁电阻特性

采用离子束溅射方法制备了正巨磁电阻多层膜，在制备过程中采用外加磁场和退火处理。在室温条件下多层膜的巨磁电阻效应达到200％～300％，并用磁矩取向的双电流导电模型对正磁电阻的机理进行了解释。     

电子束蒸发法制备Co／Cu多层膜中巨磁电阻效应的研究

研究了超高真空电子束蒸发法制备的Ｃｏ／Ｃｕ多层膜中过渡层Ｃｒ、磁性金属Ｃｏ怪和非磁性金属Ｃｕ层厚度等对巨磁电阻效应的影响。     

基于NiFeCo/Cu多层膜巨磁电阻效应的磁微球检测

分析了应用于磁性生物检测的GMR传感器的工作原理.直流磁控溅射法制备了Ni65Fe15CO20/Cu多层膜,研究了室温下多层膜的GMR效应对缓冲层(NiFeCo)厚度、间隔层(Cu)厚度及铁磁层(NiFeCo)厚度等参数的依赖关系,得到了GMR值达8.8%的多层膜样品:缓冲层(NiFeCo)5nm,间隔层(Cu)2.4nm,铁磁层(NiFeCo)1.6nm,且饱和场低、磁滞小、灵敏度较高,符合磁性生物检测技术的要求.制备了基于优化参数NiFeCo/Cu多层膜的GMR传感器,对器件的性能进行了测试,结果表明所制备的GMR传感器能够检测磁微球.     

不同制备条件下的Co／Cu多层膜巨磁电阻及铁磁共振研究

用溅射方法制备了几批Ｃｏ／Ｃｕ多层膜和夹层膜样品,通过测试发现：Ｃｏ／Ｃｕ多层膜样品的巨磁电阻与制备条件有关。在较高本底真空和较低工作气压条件下制备的样品具有较大的巨磁电阻,其铁磁共振测试的结果和Ｈｅｉｎｒｉｃｈ的夹层膜的理论计算结果的相吻合。     

巨磁电阻材料研究进展

综述了巨磁电阻材料的研究进展,总结了巨磁电阻材料各类体系的研究方法和研究特点,分析了其发展方向与研究趋势。     

磁电阻效应之巨磁电阻效应研究

体积越来越小,容量越来越大——在如今这个信息时代,存储信息的硬盘自然而然被人们寄予了这样的期待。得益于"巨磁电阻"效应运一重大发现,最近20多年来,我们开始能够在笔记本电脑、音乐播放器等所安装的越来越小的硬盘中存储海量信息。     

薄膜巨磁电阻效应及其研究进展

叙述了巨磁电阻效应的两种基本结构--颗粒膜和多层膜.分析了两者的异同、制备方法以及近年来的一些研究成果.在实际测量巨磁电阻效应过程中外界因素对其有很大影响,讨论了如磁场强度、温度、磁性颗粒形状、大小、分布情况、界面构型、非磁性层或颗粒与磁性层或颗粒对测量磁电阻效应数值的影响及其机制.     

NiFe／Cu和NiFe／Mo多层膜的界面结构与巨磁电阻

采用磁控溅射方法制备了ＮｉＦｅ／Ｃｕ和ＮｉＦｅ／Ｍｏ多层膜。测量了厚度不同的Ｃｕ层和Ｍｏ层多层膜的磁性和磁电阻,并用电镜分析了部分ＮｉＦｅ／Ｃｕ多层膜样品。测量到ＮｉＦｅ／Ｃｕ多层膜的室温巨磁电阻随Ｃｉ层厚度振荡的第一、二、三峰。而在ＮｉＦｅ／Ｍｏ多层膜中未发现巨磁电阻效应。讨论了多层膜的界面结构对巨磁电阻效应的影响。     

巨磁电阻多层膜结构的研究进展

归纳了巨磁电阻效应发现以来在各种合金体系中出现的巨磁电阻多层膜材料,对其性能和晶体结构进行了对比分析,着重从界面粗糙度、元素混合和晶体学织构等方面,评述了巨磁电阻多层膜结构的国内外研究现状,讨论了各种结构参数对巨磁电阻效应的影响。     

质子辐照对多层膜巨磁电阻结构磁性能的影响

研究了质子辐照对多层膜巨磁电阻结构磁性能的影响。利用5 MeV的不同辐照剂量和剂量率的质子对磁控溅射法制备的CoFe/(CoFe/Cu)₁₀/CoFe/Ta多层膜巨磁电阻结构进行辐照实验。XRD分析表明质子辐照没有改变CoFe/Cu的晶格结构。分析磁滞回线和磁电阻曲线得知在实验选取的辐照剂量范围内, 饱和磁化强度和本征电阻随着辐照剂量的增加而增加, 而矫顽场和磁电阻率随剂量的增加而减小。利用质子辐照对自旋相关散射、平均自由程的影响解释了本征电阻的变化, 并基于二流体模型对磁电阻率的变化进行了分析。由此得出, 多层膜巨磁电阻结构具有一定的抗辐照能力。     

Giant Magnetoresistance Effect of [bcc-Fe(M)/Cu](M=Co,Ni) Multilayers

1. IlltroductionGiant magnetoresistance (GMR) effect of metallic multilayers has been widely investigated after thefinding by Baibich et al.11], as a new phenomenon tobreak through the memory density in ultra high density magnetic recording, high sensitivity in magnetichead, and so on. Metallic multilsyers of 3d transition elements could be classified into three groups of[bee/bcc], [fee/fccl and [bee/fcc] from the standpointof combination of crystal structure of constituting elements of metal…     

巨磁电阻在计算机存储领域的应用

用巨磁电阻（GMR）材料的构成的磁电子学新器件,已开始在计算机存储领域成功地获得了应用,介绍了用于计算机硬盘驱动器的巨磁电阻磁头和巨磁电阻随机存储存储器,描述了它们的工作原理,性能特点及研究现状和发展趋势。     

多晶La-Pb-Mn-O体材料的巨磁电阻效应

利用固相反应法制备了多晶立方结构的Ｌａ－Ｐｂ－Ｍｎ－Ｏ体材料,材料的铁磁相变温度ＴＣ为２５７Ｋ,其金属－半导体转变温度ＴＰ为２５１Ｋ,外加磁场分别为５Ｔ和１３Ｔ时,材料的巨磁电阻（ＧＭＲ）峰值分别达到了７２％和８５％,在７７Ｋ￣室温的温度范围内,材料都具有ＧＭＲ效应,ＴＰ附近具有ＧＭＲ峰值效应,ＧＭＲ效应与自旋极化行为有关,而ＴＰ附近的ＧＭＲ峰值效应除了与自旋极化子行为有关外,与磁场作用下勒流子自     

CoFe/Cu多层膜巨磁阻效应的研究

采用直流磁控溅射制备了多层膜Ta/缓冲层/[Co95Fe5/Cu]×12/Co95Fe5/Ta。实验发现,多层膜的磁阻性能受到缓冲层材料、各子层厚度以及退火处理的影响。采用优化的多层膜结构:Ni65Fe15Co20缓冲层厚8 nm、CoFe层厚1.55 nm、Cu层厚2.4nm,沉积态薄膜GMR值达到7.6%;而在外加磁场79.6×103A/m下,250℃保温2 h退火处理后,多层膜的GMR值进一步提高到11.9%,磁滞从18.7×102A/m降低到796 A/m。     

Microwave Giant Magnetoresistance in [CoFe/Cu]n Superlattices with Record-High Magnetoresistance

Technical Physics Letters - Microwave giant magnetoresistance in [CoFe/Cu]n nanostructures is studied in the millimeter-wave range. Measurements are preformed for superlattices with the maximum...     

Peculiarities of Magnetoresistance of [Fe/SiO]n Discontinuous Multilayers

Journal of Superconductivity and Novel Magnetism - The influence of the magnetic and insulator layer thickness on the crystal structure and magnetoresistive properties of [Fe/SiO]n discontinuous...     

纳米巨磁电阻材料的电化学制备及其应用

巨磁电阻材料大多采用物理法制备．与溅射法、分子束外延等方法相比,电化学法具有设备简单、成本低廉、低温操作、过程可控等优势,是制备巨磁电阻材料的良好途径．为此,针对国内外巨磁电阻材料的研究状况,结合多年来本研究室在该领域的研究工作,介绍了一维纳米多层线、二维纳米金属多层膜、自旋阀和颗粒膜等巨磁电阻材料的电化学制备方法、表征及磁电阻性能．简述了巨磁电阻材料在超高灵敏度微型传感器、巨磁电阻磁盘、读出磁头、磁随机存储器和磁电子器件等方面的应用,并对发展前景和研究方向进行了展望．[编者按]     

AgCo颗粒膜的制备工艺及巨磁电阻效应

采用磁控射频溅射法制备了ＡｇＣｏ颗粒膜；研究了薄膜成份及制备工艺对薄巨膜电阻效应的关系。在低Ｃｏ含量时，薄膜磁电阻变化率随着Ｃｏ含量的增加和退火温度物升高而变大。