首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
近年来,随着世界环境保护问题的日益严峻,透明蒸镀薄膜代替PVDC涂层薄膜和铝箔的市场正在逐年扩大,2005年已超过十几亿平方米。日本凸版印刷株式会社(以下简称凸版公司)依靠其独创的蒸镀加工技术,成功地开发了阻隔性和稳定性较强的高阻隔、透明、环保性GL薄膜。  相似文献   

2.
(上接《塑料包装》2015年第1期)二、功能性包装薄膜(一)蒸镀氧化物型阻隔性包装薄膜1、概述蒸镀氧化物型阻隔性包装薄膜中,蒸镀氧化硅型透明阻隔性包装薄膜,是开发应用比较成功的一个品种,也是二十世纪末期,复合软包装领域中,最引人注目的重大突破之一。蒸镀氧化硅型阻隔性包装薄膜,是透明蒸镀型阻隔型包装薄膜的代表性产品,被塑料软包装界认为是最有发展前途的软包装材料之一。蒸镀氧化硅型阻隔性包装薄膜和镀铝型阻隔  相似文献   

3.
陈昌杰 《塑料包装》2009,19(6):58-60,23
前言 无机二元阻隔性蒸镀薄膜“ェコシア-ル”,有以PET薄膜为基膜的和以PA薄膜为基膜的,可充分利用基膜的各式各样的特性,特别是利用尼龙的特性,开拓蒸镀透明尼龙薄膜的市场。  相似文献   

4.
前言 无机二元阻隔性蒸镀薄膜"エコシア-ル",有以PET薄膜为基膜的和以PA薄膜为基膜的,可充分利用基膜的各式各样的特性,特别是利用尼龙的特性,开拓蒸镀透明尼龙薄膜的市场.  相似文献   

5.
阻隔薄膜在复合软包装材料中的应用与发展动向   总被引:5,自引:4,他引:1  
谷吉海  董静 《包装工程》2010,31(5):112-116
按阻隔性的赋予方法对复合软包装材料进行了分类,对阻隔薄膜在复合软包装材料中的应用与开发历程进行了综述。通过对铝箔类、树脂类、透明蒸镀陶瓷类阻隔薄膜的市场动向与发展趋势进行分析,指出透明蒸镀陶瓷阻隔薄膜及其复合软包装材料将是今后环境适应型软包装材料开发的重要方向。  相似文献   

6.
一般的玻璃是不导电的,但表面上附着一层金、铬等金属薄膜及氧化锡、氧化铟、氧化钛等金属氧化物的薄膜,就具有导电的性能,这种玻璃叫做透明导电玻璃。其中常用的透明导电薄膜是在玻璃上蒸镀二氧化锡或三氧化二铟薄膜的。一般厚度为0.01—1.0微米左右。透明导电薄膜,自从1938年美国考宁公司把采虹色的导电膜用于防止绝缘子的电晕放电以来,人们对它进行了大量研究工作。1948年美国的Pittsburgh P1ate玻璃公司发展了以商品名为“NESA玻璃”的蒸镀二氧化锡的透明导电玻璃之后,又广泛进行了各种性能研究和应用研究。目前,透明导电薄膜已广泛应用于很多领域中。特别是在最近电子计算机及电子手表等的显示装置上,它已成为不可缺少的常  相似文献   

7.
日本中国涂料公司,最近发表了采用有机锡化合物的化学蒸镀法(CVD法),制作透明导电膜的新技术。此法称为反跳反转化学蒸镀法,可防止过去化学蒸镀法白雾状浑浊的弊病。与物理蒸镀法制作透明导电膜相比,成本可更低,予期透明导电膜应用于工业的范围,将会有进一步扩大。一般电的良导体是不透过可见光的,然而透明导电膜是具有高导电性和透明性的特  相似文献   

8.
制作塑料软包装材料中的铝箔,分压延铝箔(金属纯铝箔)和真空镀铝薄膜。用99.00%~99.97%的电解铝.经过多次压延制成的铝膜是压延铝箔(金属纯铝箔)。在真空的状态下用蒸镀的方法将99.99%以上的高纯铝蒸镀附在BOPET(聚醢)、BOPP(双向拉伸聚丙烯)、CPP(流延聚丙烯)、PVC(聚氯乙烯)或CPE(流延聚乙烯)等塑料薄膜上——这种镀铝的塑料薄膜称为真空蒸镀铝薄膜。  相似文献   

9.
对真空蒸镀钝化太安 (PETN)炸药薄膜进行了研究。分析了真空度、蒸镀温度、蒸发速率、基片表面状态等因素对形成薄膜的影响。得出了适宜蒸镀的真空条件、最佳蒸镀温度和蒸发速率 ;提出了增加薄膜和基片附着力的方法。  相似文献   

10.
概述了各种功能性薄膜及其生产方法,在此基础上,详细地介绍了含蒸镀氧化物涂层的透明阻隔性包装薄膜与吸氧型阻隔性包装薄膜。  相似文献   

11.
薛志勇 《中国包装》2002,22(5):101-101
一、技术现状 硅蒸镀薄膜是利用一氧化硅(Siliconmonoxide)在真空中蒸镀形成的微米级薄膜。由于一氧化硅很不稳定,它很容易氧化成为二氧化硅,所以在分子式中常记为SiOx,其中x值在1-2之间。从原理上说,可用来真空镀膜的蒸发技术都可用来形成硅蒸镀膜,但不同的方法对蒸发源材料的组成有不同的要求,得到的膜组成也不同。除了利用通常的电阻加热或高频感应加热在真空室中可以蒸镀SiOx薄膜外,也可以用电子束(EB)和低温等离子体  相似文献   

12.
真空蒸镀钝化太安(PETN)薄膜的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
对真空蒸镀钝化太安(PETN)炸药薄膜进行了研究。分析了真空度、蒸镀温度、蒸发速率、基片表面状态等因素对形成薄膜的影响。得出了适宜蒸镀的真空条件、最佳蒸镀温度和蒸发速率;提出了增加薄膜和基片附着力的方法。  相似文献   

13.
我国为了要广泛了解真空技术在工业上 的应用,除对冶金、冷凉干燥、单晶制备、 真空泵等制造使用工厂外,也参观了真空蒸 馏,真空蒸镀等应用真空技术工业装置和使 用工厂。现在简略汇报如下: (一)真空蒸镀 日本制造真空蒸镀装置的工厂很多,凡 是制造真空设备工厂都生产蒸镀设备,大都 为小型种罩式,真空度为10-6~10-8,蒸发源 加热方式大都用电阻加熟,也有用感应加热, 电子束加热方式,也生产半连续式工件转动 特种型式蒸镀设备。真空蒸镀应用在光学镜 头镀膜,树脂薄膜,人造革纸金属化、玩 具、装饰品、反光镜蒸镀金属涂料薄膜,微 型电子器件制…  相似文献   

14.
采用磁控溅射和真空蒸镀结合的方法,制备了Mg-PbO2-Ti-PbO2-PTFE复合薄膜烟火材料,利用X射线光电子能谱(XPS)分析了真空蒸镀的薄膜成分,并测定了薄膜材料与基底间的附着力.采用光纤法测量薄膜材料的燃烧线速度,分析了其燃烧过程.结果表明,利用真空蒸镀法可得到PbO2薄膜,复合薄膜烟火材料与基底有较好的附着...  相似文献   

15.
王晨  杨杰 《材料科学进展》1993,7(6):521-525
利用电子枪蒸镀Al2O3,同时辅以Ar离子轰击的离子束辅助沉积方法(IBAD)制备Al2O3薄膜,并与单纯电子枪蒸镀方法(PVD)制备的薄膜进行了结构和表面形貌的比较,IBAD法可以得到结构均匀致密的γ-Al2O3晶态薄膜,而PVD9方法仅能得到非晶态疏松的结构,分析结果表明,薄膜沉积过程中,提高离子轰击能量和增加基片加热温度在一定程度上具有相同的效果。  相似文献   

16.
高阻隔透明陶瓷膜蒸镀技术   总被引:1,自引:2,他引:1  
谷吉海  高德  高翔  孙智慧 《包装工程》2007,28(11):27-30
对高阻隔透明陶瓷膜的发展概况及应用进行了综述,介绍了陶瓷膜的真空蒸镀技术、PECVD蒸镀技术的原理、特点和应用,并对陶瓷膜蒸镀技术的发展趋势进行了展望.  相似文献   

17.
张其梅  王家俊 《包装工程》2007,28(8):46-48,55
塑料包装薄膜上进行无机氧化物镀层在材料科学领域和包装应用领域都有重要的意义.采用蒸镀、多弧镀和硅油轰击蒸镀3种真空镀膜方法,在聚乙烯塑料包装薄膜上实现了的二氧化钛镀膜.采用扫描电镜、X-射线衍射、气体渗透、透湿性、紫外分光等进行了表征和性能研究.结果表明在聚乙烯塑料包装薄膜上成功实现了二氧化钛镀膜;真空镀二氧化钛聚乙烯薄膜的气体阻隔性能大大提高,其气体透过量约为原聚乙烯薄膜的0.1%~1%;水汽阻隔性也有所提高;并表现出较好的紫外线屏蔽性能.  相似文献   

18.
(上接《塑料包装》2015年第2期)4、蒸镀型氧化硅阻隔性包装薄膜的一般特性我们可以列举蒸镀型氧化硅阻隔性包装薄膜的众多具有实际应用价值的特性,首先是对氧气和水蒸气的特别优良的阻隔性,虽然由于各公司生产方法或生产条件不同,不同蒸镀型氧化硅阻隔性包装薄膜工业化品牌,阻隔性方面有一定的差异,但总体上均接近于铝箔而明显地高于普通阻隔性塑料包装薄膜,而且当蒸镀型氧化硅阻隔性包装薄膜与PE、CPP等热封性薄膜复合之后,阻  相似文献   

19.
红荧烯(rubrene)即5,6,11,12-四苯基并四苯,是一种重要的小分子有机半导体材料,可以用以制备红荧烯有机场效应管和太阳能光伏器件。本文首先对传统的热蒸发真空系统进行改造,使之能蒸镀有机薄膜。在一定的蒸发温度下,经过不同蒸镀时间蒸镀红荧烯薄膜,蒸镀时间分别为5,6,7,8 h,获得了具有多晶结构的红荧烯薄膜,并对其形貌进行了分析。结果表明非晶结构的红荧烯薄膜首先在硅衬底上生长,非晶红荧烯薄膜生长至一定厚度后,多晶结构的红荧烯从其中形成。  相似文献   

20.
由真空蒸镀所获得的薄膜,是实现部件超小型化的有力手段之一,但在真空中的薄膜表面,易受剩余气体成分,分压强,蒸发温度和时间的影响以及蒸发源的形式,温度等影响而产生变化。另外,如何既经济又有效地进行电连接和涂敷保护层,在提高性能上也是一种重要问题。因此,除非常稳定地控制蒸镀条件提高工作效率以外,大量生产能保持一定质量水平的产品,就显得非常重要了。本文介绍制备薄膜电子元件的蒸镀技术和采用的多级蒸镀装置概况。 真空抽气装置 在分子运动服从麦克斯韦分布定律的前提下,碰撞于蒸镀膜的分子数N为: /厘米2·秒·乇 式中; P:压强(…  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号