Si（337）──另一个较稳定的高密勒指数晶面

我们的ＬＥＥＤ实验结果发现：偏离（１１２）约４°的Ｓｔ（３３７）表面，在超高真空中经Ｘｅ离子轰击并加～８００℃退火后，呈现较清晰的（１×１）结构．在同样条件下，Ｓｉ（１１２）表面没有产生好的ＬＥＥＤ图样，从而预料：Ｓｉ（３３７）可能是异质外延ＧａＡｓ和ＧａＰ等极性化台物半导体的好衬底．     

Si(112)高密勒指数面的理论研究

本文用Si_(39)H_(32)、Si_(35)H_(30)、Si_(91)H_(64)和Si_(58)H_(46)原子集团模型模拟Si(112)高密勒指数面,探讨了模拟Si(112)表面模型的选取,计算了诸原子集团中的电荷分布。发现,Si(112)表面元胞所处的环境对表面元胞中电荷分布性质有根本影响,大规模原子集团模型Si_(91)H_(64)较好地模拟了Si(112)表面的性质。不同的模型下都得到一个共同的电子结构特性,即表面原子在悬键方向存在电荷的趋向集居,且这种性质对台面原子尤为明显。这个结果说明,表面电荷的趋向集居是由表面原子的结构特点决定的。     

生长在Si（001）衬底上的GexSi1—x合金的电子能带结构

采用紧束缚方法对生长在ＳＩ（００１）衬底上的ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金形变层的电子能带结构进行了计算，并与ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金的能带结构进行了比较。计算结果表明，对大部分合金组分ｘ，形变层的导带底片在△轴上；当ｘ≥０。９后，导带底处在Ｌ点。形变层直接能隙Ｅｇ及间接能隙Ｅｇ和Ｅｇ都比同组分ｘ的合金小，其下降量随组分ｘ的增大而增大。形变层的价带顶自旋－轨道分裂值△ｓｏ也比相同组分的合金大，其增大值也随合金组     

中子嬗变掺杂硅（NTD—Si）的实用化是电力半导体器件发展的突破口之一

评述了30年前第一批用中子嬗变掺杂硅单晶(即无条纹硅)制造高电压、大电流整流管和晶闸管的报道。由此介绍硅材料的中子嬗变掺杂技术原理、发展进程，指出NTD硅的实用化成为电力半导体器件向大电流(大直径)、高电压方向发展的一个重要突破口。     

GexSi1—x／Si（001）量子阱的电子结构及光跃迁

采用包络函数方法及Ｋｒｏｎｉｇ－Ｐｅｎｎｙ模型计算了量子阱ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ（００１）的电子结构。对量子阱的光跃迁几率进行了估算，并讨论了量子阱参数的最佳选择。     

在SiO2中掺A1对Au／纳米（SiO2／Si／SiO2）／p—Si结构电致发光的影响

利用射频磁控溅射方法,制成纳米SiO2层厚度一定而纳米Si层厚度不同的纳米（SiO2/Si/SiO2）/p-Si结构和纳米（SiO2:A1/Si/SiO2:A1)/p-Si结构,用磁控溅射制备纳米SiO2:A1时所用的SiO2/A1复合靶中的A1的面积百分比为1%。上述两种结构中Si层厚度均为1-3nm,间隔为0.2nm。为了对比研究,还制备了Si层厚度为零的样品。这两种结构在900℃氮气下退火30min,正面蒸半透明Au膜,背面蒸A1作欧姆接触后,都在正向偏置下观察到电致发光（EL）。在一定的正向偏置下,EL强度和峰位以及电流都随Si层厚度的增加而同步振荡,位相相同。但掺A1结构的发光强度普遍比不掺A1结构强。另外,这两种结构的EL具体振荡特性有明显不同,对这两种结构的电致发光的物理机制和SiO2中掺A1的作用进行了分析和讨论。     

考虑高指数晶面的体硅腐蚀模拟新CA模型

针对目前体硅腐蚀(硅各向异性腐蚀)的3D CA模型无法引入(211),(311),(331),(411)等较多高密勒指数晶面,模拟精度不高的问题,建立了一种高精度的体硅腐蚀模拟的新3D连续CA(元胞自动机)模型.模型可以有效引入(211),(311),(331),(411)等高密勒指数晶面,提高模拟精度.模拟结果与实验结果一致,证明了模型的模拟效果,对体硅腐蚀模拟研究和提高MEMS设计水平具有一定的实用意义.     

Ga—Fe—Cu（Si）等合金中的二十面体准晶及稳定的十重对称准晶

将成分为Ｇａ４６Ｆｅ２３Ｃｕ２３Ｓｉ８，Ｇａ５０Ｃｏ２５Ｃｕ２５，Ｇａ４６Ｖ２３Ｎｉ２３Ｓｉ８的合金放在抽真空的石英玻璃管中的熔融后水淬，二十面体准晶首先形成，接触是十重对称准晶，最后形成的是准晶的晶体近似相。二十面体准晶和十重准晶在７３０℃长时间退火后消失，但在加热到８３０℃后十重准晶重新出现，而在７３０℃进行再次退火后重新消失。加热过程的差热分析曲线表明，８００℃附近存在一个吸热峰，这对应着晶