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我们的LEED实验结果发现:偏离(112)约4°的St(337)表面,在超高真空中经Xe离子轰击并加~800℃退火后,呈现较清晰的(1×1)结构.在同样条件下,Si(112)表面没有产生好的LEED图样,从而预料:Si(337)可能是异质外延GaAs和GaP等极性化台物半导体的好衬底. 相似文献
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本文用Si_(39)H_(32)、Si_(35)H_(30)、Si_(91)H_(64)和Si_(58)H_(46)原子集团模型模拟Si(112)高密勒指数面,探讨了模拟Si(112)表面模型的选取,计算了诸原子集团中的电荷分布。发现,Si(112)表面元胞所处的环境对表面元胞中电荷分布性质有根本影响,大规模原子集团模型Si_(91)H_(64)较好地模拟了Si(112)表面的性质。不同的模型下都得到一个共同的电子结构特性,即表面原子在悬键方向存在电荷的趋向集居,且这种性质对台面原子尤为明显。这个结果说明,表面电荷的趋向集居是由表面原子的结构特点决定的。 相似文献
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采用紧束缚方法对生长在SI(001)衬底上的GexSi1-x合金形变层的电子能带结构进行了计算,并与GexSi1-x合金的能带结构进行了比较。计算结果表明,对大部分合金组分x,形变层的导带底片在△轴上;当x≥0。9后,导带底处在L点。形变层直接能隙Eg及间接能隙Eg和Eg都比同组分x的合金小,其下降量随组分x的增大而增大。形变层的价带顶自旋-轨道分裂值△so也比相同组分的合金大,其增大值也随合金组 相似文献
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评述了30年前第一批用中子嬗变掺杂硅单晶(即无条纹硅)制造高电压、大电流整流管和晶闸管的报道。由此介绍硅材料的中子嬗变掺杂技术原理、发展进程,指出NTD硅的实用化成为电力半导体器件向大电流(大直径)、高电压方向发展的一个重要突破口。 相似文献
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采用包络函数方法及Kronig-Penny模型计算了量子阱GexSi1-x/Si(001)的电子结构。对量子阱的光跃迁几率进行了估算,并讨论了量子阱参数的最佳选择。 相似文献
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在SiO2中掺A1对Au/纳米(SiO2/Si/SiO2)/p—Si结构电致发光的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用射频磁控溅射方法,制成纳米SiO2层厚度一定而纳米Si层厚度不同的纳米(SiO2/Si/SiO2)/p-Si结构和纳米(SiO2:A1/Si/SiO2:A1)/p-Si结构,用磁控溅射制备纳米SiO2:A1时所用的SiO2/A1复合靶中的A1的面积百分比为1%。上述两种结构中Si层厚度均为1-3nm,间隔为0.2nm。为了对比研究,还制备了Si层厚度为零的样品。这两种结构在900℃氮气下退火30min,正面蒸半透明Au膜,背面蒸A1作欧姆接触后,都在正向偏置下观察到电致发光(EL)。在一定的正向偏置下,EL强度和峰位以及电流都随Si层厚度的增加而同步振荡,位相相同。但掺A1结构的发光强度普遍比不掺A1结构强。另外,这两种结构的EL具体振荡特性有明显不同,对这两种结构的电致发光的物理机制和SiO2中掺A1的作用进行了分析和讨论。 相似文献
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将成分为Ga46Fe23Cu23Si8,Ga50Co25Cu25,Ga46V23Ni23Si8的合金放在抽真空的石英玻璃管中的熔融后水淬,二十面体准晶首先形成,接触是十重对称准晶,最后形成的是准晶的晶体近似相。二十面体准晶和十重准晶在730℃长时间退火后消失,但在加热到830℃后十重准晶重新出现,而在730℃进行再次退火后重新消失。加热过程的差热分析曲线表明,800℃附近存在一个吸热峰,这对应着晶 相似文献