固体C_（70）／P型Si接触的电学性质

我们制成固体Ｃ７０／ｐ型Ｓｉ单晶半导体异质结电流电压（Ｊ－Ｖ）测量表明该结具有强整流作用，当偏压为±２Ｖ时，其整流比大于１０４倍电流温度（Ｊ－Ｔ－１）测量表明结的正向电流与温度的倒数呈指数关系，从中可得接触势垒的有效高度为０．２７ｅＶ．     

Si／SiGe／Si双异质结晶体管（HBT）物负阻特性

同质结硅双极晶体管在共射极状态下工作中,在高集电极－发射极电压、大电流下,由于热电正反馈,容易发生热击穿,这限制了晶体管的安全工作区域。本文报道了在大电流下,由于热电负反馈,重掺杂基区Si/SiGe/HBT出现了负阻特性,并对这一现象进行了新的解释,认为这是由于大电流下耗散功率增加,基区俄歇复合导致电流增益随温度增加而减小的结果。这一现象有利于改善大电流下双极晶体管的抗烧毁能力,证明Si/SiGe/HBT适于大功率应用。     

p—GeSi／n^＋—Si异质结电光调制器

文章介绍了硅基光电子器件－ｐ－ＧｅＳｉ／ｎ＾＋－Ｓｉ异质结电光调制器的初步试验研究之后，给出了所研制调制器的调制深度为９０％时的调制电流约１８０ｍＡ。为了进一步减小调制电流和提高调制频率，提出了一些改进措施。     

GaP／Si异质结的制备及特性

用低压预处理液相外延方法在Ｓｉ衬底上生长了ＧａＰ外延层．解决了由于硅衬底极易氧化而造成的局部生长问题．从外延层中Ｓｉ的含量、固相组分的化学计量比、表面形貌等方面来比较，以Ｓｎ为生长熔体好于Ｇａ或Ｉｎ．外延片表面的小平台和台阶状结构是由于晶格失配的应力场分布不均匀造成的．位错腐蚀结果证明了这种分析．ＬＰＥ生长的ＧａＰ／Ｓｉ片光致发光峰值波长为５４０ｎｍ．     

热壁外延制备的n—PbTe／p—Si异质结特性研究

本文报道了首次用热壁外延方法，在Ｓｉ衬底上，制备了ｎ－ＰｂＴｅ／ｐ－Ｓｉ异质结的工艺及测试结果，早Ｘ－射线衍射谱确认。ＰｂＴｅ外延层是单是，ＩＶ－曲线表明，该异质具有良好的整汉特性，由Ｃ－Ｖ测量到异质结的内建电势差。最扣算出能带偏移。     

Si／SiGe HBT高频特性的模拟与分析

给出了适用于分析复杂结构ＨＢＴ的电荷传输延迟时间及截止频率的电荷分配模型（ＣＰ）。模拟了Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ的高频特性。模拟结果显示Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ的频率特性较ＳｉＢＪＴ大为改善，而基区及集电结ＳＣＲ区的电荷输运时间将成为提高Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ截止频率的主要制约因素。与实验报道的对比证实了本模型可作为优化器件设计的有效手段。     

9μmp~＋－Ge_xSi_（1－x）／p－Si异质结内光电红外探测器

用分子束外延方法生长了ｐ＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结，并用平面工艺制成了内光电红外探测器，器件截止响应波长达９μｍ，在５２Ｋ时，Ｒｖ５００Ｋ＝３．３×１０３Ｖ／Ｗ．     

C_（60）－有机半导体异质结

讨论了Ｃ６０作为一种有机半导体材料，与聚合物半导体和有机化合物半导体构成的异质结的一些基本特性，分析了这种结构在半导体光电器件中的潜在应用价值。     

a—Si：H／c—Si异质结的高频C—V特性

测量了GD a-Si:H/n-c-Si异质结的高频C-V特性,由平带电压的偏移,计算了有效表面电荷和表面态密度,应用突变异质结能带模型对结果作了分析.     

Si电光调制器与GeSi／Si异质结探测器的集成

提出了一种调制器与探测器集成的方案。它是在＜１００＞ｎ＾＋－Ｓｉ衬底上用外延、两次扩散等常规工艺先制作Ｓｉ脊表波导光调制器，接着在调制器光输出端的波导上用分子束外延和反应离子刻蚀制作ｐ－Ｇｅ０．６Ｓｉ０．４／ｐ－Ｓｉ探测器。     

Si／Si1—xGex应变层异质结双极晶体管（HBT）交直流特性的仿真研究

本报道了Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变异质结双极晶体管（ＨＢＴ）交直流特性的仿真结果，通过用叠代法求解漂移－扩散方程的数值解，确定器件的直流特性，再利用瞬态激励法，求解器件的交流特性参数，将基区Ｇｅ摩尔含量ｘ为０．２，０．３１的ＨＢＴ的模拟结果分别与有关献报道的实验结果进行了比较，两的结果符合良好。     

9μmp^＋—GexSi1—x／p—Si异质结内光电红外探测器

用分子束外延方法生长了ｐ＾＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结，并用平面工艺制成了内光电红外探测器，器件截止响应波长达９μｍ，在５２Ｋ时，Ｒｖ５００Ｋ＝３．３×１０＾３Ｖ／Ｗ。     

Si基异质结构研究的新进展

综述了Ｓｉ基异结构的新进展，包括Ｓｉ基异结构材料生长方法，外延薄膜的特性和光电子器件应用。     

新型微电子和光电子材料SiGe／Si异质结构材料的发展

新型微电子和光电子材料──ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构材料的发展夏传钺（国家自然科学基金委员会，信息科学部１０００８３）刘安生，郑有斗（北京有色金属研究总院１０００８８）（南京大学物理系２１０００８）近半个世纪半导体的发展表明，硅材料所制备的器件和以硅大规...     

电子束蒸发二氧化硅薄膜在Si／Si1—XGexHBT中的应用研究

本文介绍了电子束蒸发二氧化硅薄膜的工艺方法，影响蒸发二氧化硅薄膜质量的因素，以及用于Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘＨＢＴ的结果。