LP—MOVPE设备分析

本文以三种国外的LP—MOVPE(低压—金属有机物气相外延)设备为例,介绍了LP—MOVPE设备的工作原理,并对设备各个部分的构成及其功能作了详细的分析,在此基础上对三种设备的性能及其特点进行了讨论与比较。     

LP—MOCVD生长InGaA1P双异质结中In组分控制的研究

根据已经的有关文献实验数据，针对ＩｎＧａＡ１Ｐ发光材料的ＬＰ－ＭＯＣＶＤ生长，给出了描述Ｉｎ组分偏离报经验表达式，可应用于ＩｎＧａＡ１Ｐ双异质结生长中的Ｉｎ组分的控制。     

Ⅲ族锢源对LP－MOVPE方法生长In_（1－x）Ga_xAs材料的影响

本文报道了利用低压金属有机物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）技术，在（００１）ＩｎＰ衬底上生长Ｉｎ_（１－ｘ）Ｇａ_ｘＡｓ体材料及Ｉｎ_（１－ｘ）Ｇａ_ｘＡｓ／ＩｎＰ量子阶结构材料的结果．对于ＴＭＧ／ＴＥＩｎ源，Ｉｎ_（１－ｘ）Ｇａ_ｘＡｓ材料的非故意掺杂载流子依匿为７．２×１０１６ｃｍ－３，最窄光致发光峰值半宽为１８．９ｍｅＶ，转靶Ｘ光衍射仪对量子阶结构材料测到±２级卫星峰；而对于ＴＭＧ／ＴＭＩｎ源，非故意掺杂载流于浓度为３．１×１０￣１５ｃｍ￣（－３），最窄光致发光峰值半宽为８．９ｍｅＶ，转靶Ｘ光衍射仪对量子阶     

MOVPE生长GaxAlyIn1—x—yN的准热力学模型

提出一个以TMGa,TMAl,TMIn和MH3为源，用MOVPE方法在生长GaxAlyIn1-x-yN四元合金的准热力学模型。该模型假设四元合金是由氨和Ⅲ族元素之间反应合成的，其特别是考虑了NH3的分解效率，并用N、H、Ga,Al及In的摩尔分数代替惯用的分压来表示质量守衡方程。计算了各种生长条件对GaN晶格匹配的GaxAlyIn1-x-yN四元合金与注入反应室的Ⅲ族金属有机化合物之间关系的影响。计算表明，几乎所有达到生长表面的Al和Ga都并入到GaxAlyIn1-x-yN四元合金中，而In富集在气相。为增强铟的并入，应采用低的生长温度，高的V／Ⅲ比，氮载气而且须要设法降低到达生长界面的氨的分解。     

LP-MOVPE生长的1.3μm InGaAsP/InP张压应变交替MQW特性

本文在国内首次报道了LP－MOVPE法生长高质量的压、张应变交替InGaAsP多量子阶结构的研制过程及其材料的高精度X射线双晶摇摆衍射曲线和光致发光谱特性表征．在此材料基础之上制作的平面掩埋条形结构激光器经过双腔面镀增透射膜后，其TE模与TM模自发发射谱光强差为3dBm，呈现偏振补偿特性．     

LP—MOCVD生长InGaAlP系统中源气流的动力学研究

分析了ＬＰ－ＭＯＣＶＤ生长ＩｎＧａＡｌＰ外延层时，气路系统中ＩＩＩＡ族源气的输运和扩散过程，从理论止推导出源气流量的计算公式，讨论了生长控制参数、气路管道几何尺寸和源气性质等对注入反应室的源气流量的影响，为精确控制气相中ＩＩＩＡ族源物质的百分含量提供了理论依据。     

用LP—MOCVD对INgAs（P）／InP材料的工艺研究

我们用ＡＩＸＴＲＯＮ生产的ＬＰ－ＭＯＣＶＤ系统进行了ＩｎＣａＡｓ（Ｐ）／ＩｎＰ材料的生长研究，用Ｘ－ｒａｙ双晶衍射仪、ＰＬ光荧光谱仪、α－台阶仪及Ｃ－Ｖ仪等分析手段，研究生长工艺对材料特性的影响，取得了很好的结果。     

生长温度对长波长InP/AlGaInAs/InP材料LP-MOCVD生长的影响

研究不同生长温度下的ＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ材料ＬＰ－ＭＯＣＶＤ生长,用光致发光和Ｘ射线双晶衍射等测试手段分析了其材料特性,得到了室温脉冲激射１．３μｍＡｌＧａＩｎＡｓ有源区ＳＣＨ－ＭＱＷ结构材料,为器件制作研究打下了基础．     

LP—MOCVD生长InGaN及InGaN／GaN量子阱的研究

利用MOCVD系统在Al2O3衬底上生长InGaN材料和InGaN/GaN量子阱结构材料，研究发现InGaN材料中In组份几乎不受TMG与TMI的流量比的影响，而只与生长温度有关，生长温度由800℃降低到740℃，In组份的从0.22增加到0.45；室温InGaN光致发光光谱（PL）峰全半高宽（FWHM）为15.5nm;InGaN/GaN量子阱区InGaN的厚度2nm，但光荧光的强度与100nm厚InGaN的体材料相当。     

LP—MOCVD生长InGaAlP外延层In组分控制的动力学分析

本文分析了低压转盘MOCVD生长室中气流的流动特征,首次提出了在高温（700℃左右）下生长InGaAlP外延层时,抑制In组分脱吸附的“动压力模型”,解释了托盘转速和生长压力等生长参数对In组分控制的影响。     

Ⅲ—V族磁半导体材料的研究与发展

Mn、Fe等过渡金属元素的Ⅲ-V族磁半导体（DMS）材料和铁磁/半导体异质结材料由于具备半导体和磁性材料的综合特性，可望广泛应用于未来的磁（自旋）电子器件，从而使传统的电子工业面临一场新的技术革命。本文将对上述研究领域进行评述。     

区熔法生长掺Sb—Hg1—xCdxTe晶体

报道了用区熔法生长掺Sb-Hg(1-x)Cd_xTe晶体的工作,求得其分凝系数为5×10~(-4)。对这种掺杂晶片的电学测量及简单光伏器件制作的结果表明:Sb元素为受主杂质,利用掺Sb-Hg_(1-x)Cd_xTe晶体作为光伏器件的p型基底材料是可行的。     

Si1—x—yGexCy材料的外延生长方法

本文分析了Si1 -x- yGexCy 半导体材料外延生长的困难所在 ,总结了用于生长Si1 -x- yGexCy材料的各种生长方法 ,并分析比较了各自的特点。     

衬底温度和生长速率对MBE自组织生长InxGa1-xAs/GaAs QD的影响

研究GaAs基In     

用综合场效应方法研究多层GaAs1—xPx的特性

本文用一种综合场效应方法(简称 CFE),研究了用于发光二极管制作的多层异质结 GaP/GaAs_(i-x)P_x 等外延材料的某些性质,测量并计算了一系列参数;证明了某些样品各层间存在不连续性及其对发光的影响,从而提供了测量发光器件的一个方法。