GaAs1×2Mach－Zehnder 波导开关／调制器

文报道了ＧａＡｓ１×２ＭＺ波导开关／调制器的研究结果，并分析了该器件的工作原理．这种器件利用Ｙ分支作为３ｄＢ耦合器，非对称Ｘ结作为干涉器．在波长１．１５μｍ下测试，得到了串音比小于－１６ｄＢ和开关电压１９Ｖ的开关特性．预计该器件可广泛应用于ＧａＡｓ１×。开关列阵及高速光调制等方面．     

Mach—Zehnder型GaAs／GaAlAs行波光调制器的微波特性分析

提出利用n^ 重掺杂层的慢波效应研制Mach-Zehnder干涉型行波光调制器,并通过在相对介电常数εr中引入与电导率有关的虚部σ/ωε0,拓展了直线法对介质损耗的计算,文中指出在这种共面微带线中奇模和偶模的不同作用,重点分析和研究了器件行波电极的微波特性,从而设计出理论上可达46GHz带宽的高速光波导调制器。     

非对称Mach－Zehnder干涉型集成光学电光调制器的温度稳定性分析

本文对Ｍａｃｈ－Ｚｅｈｎｄｅｒ干涉型集成光学电光调制器的温度稳定性进行了定量分析，结果表明非对称Ｍａｃｈ－Ｚｅｈｎｄｅｒ调制器同样具有非常好的温度稳定性。     

基于直线法分析设计的新型Mach—Zehnder型GaAs高速行波光调制器

本文首次提出利用ｎ＾＋重掺杂层的慢波效应研制Ｍａｃｈ－Ｚｅｈｎｄｅｒ干涉型行波光调制器,并通过在介电常数εｒ中引入与电导率有关的虚部σ／ωε０,拓展了直线法对介南的从而就该调制器的各结构参数对其微波特性的影响地详细的理论分析计算。由此我们确定了可以同时达到光波与微波速度匹配且损耗最小的器件设计参数,其理论带宽可达３０ＧＨＺ,然后在理论分析结论的基础上提出了改进的优化结构,通过在Ｍ－Ｚ型调制器的两个     

外调制光发射机中的Mach—Zehnder调制器

本文详细分析了不同结构的Ｍａｃｈ－Ｚｅｈｎｄｅｒ调制器特性及其对声效应、光效应等的敏感程度,并计算了其对外调制光发射机性能的影响。为设计性能良好的外调制光发射机提供了依据。     

GaAlAs／GaAs欧量子阱增益耦合型DFB激光器电吸收型调制器单片光子…

我们在国际上率先提出将增益耦合分布反馈式（ＧＣ－ＤＦＢ）半导体激光器作为激光器／调制器单片集成器件的光源，为了简化制作工艺，进一步提出激光器的有源层与调制器波动共用同一组分和同一结构，本理论上分析了新型器件的可行性，优化设计了器件结构，在此基础上，采用金属有机化合物化学汽相外延技术（ＭＯＣＶＤ）在国际上首次研制成功了该种增益耦合型ＤＦＢ激光器／电吸收型调制器单片光子集成器件，器件电流为３５ｍＡ。     

GexSi1—x／Si脊形波导Mach—Zehnder干涉型调制器的优化分析与设计

在研制成功ＧｅＳｉ合金单模脊形波导事，进一步用这种波导研制Ｍａｃｈ－Ｚｅｈｎｄｅｒ调制器。文中对调制器设计中的三个步骤进行了优化，分析并且讨论了结构不对称性和有源区载流子吸收效应的影响，为研制工作奠定了基础。     

国内外光通信调制器技术新进展

光调制器是高速、长距离光通信的关键器件，也是最重要的集成光学器件之一。国内外光调制器已取得很大进展，其性能不断提高，不仅大大提高了速率和带宽，还增加了集成密度。此外，随着光调制器技术的不断提高，还开发出不少新型光调制器件和集成模块。目前，10Gb／s速率的光调制器已成熟，40Gb／s的光调制器已成为主流技术。[第一段]     

GaAs三波导耦合Mach—Zehnder干涉型强度调制器

本文报道了一种GaAs n~-/n~+脊型M-Z波导调制器,这种调制器用三波导耦合器作为分束器和干涉器。运用GaAs的电光特性,在λ=1.15μm下测量,得到半波电压14V,调制深度大于95％,3dB带宽大于1GHz的调制特性。     

Si电光调制器与GeSi／Si异质结探测器的集成

提出了一种调制器与探测器集成的方案。它是在＜１００＞ｎ＾＋－Ｓｉ衬底上用外延、两次扩散等常规工艺先制作Ｓｉ脊表波导光调制器，接着在调制器光输出端的波导上用分子束外延和反应离子刻蚀制作ｐ－Ｇｅ０．６Ｓｉ０．４／ｐ－Ｓｉ探测器。     

波导调制器模拟设计的改进

波导调制器是一种重要的集成光学器件。在有限差分光束传播法(FD BPM)的基本原理上,利用广义道格拉斯(GD)差分格式,结合非均匀网格法,对M Z结构的LiNbO3调制器进行了模拟优化设计,获得了调制器的最佳尺寸为Y分支角α=0.8°、波导宽度W=6μm、波导间距G=25μm。通过与传统的Crank Nicholson(CN)差分格式的对比表明,同样条件下,该法比CN差分格式精度高62.5%,其计算时间仅为CN差分格式的40%。     

空间光调制器记录大规模开关的全息图

空间光调制器记录大规模开关的全息图在铁电液晶空间光调制器（ＦＬＣ－ＳＬＭ）上形成可重写全息图可把单－光学输入信号导至新型全息开关的多个输出口上。以前的全息／液晶开关已把计算机全息图组合到液晶显示器（ＬＣＤ）的像元上。每一像元能把光束引向一个输出口。具...     

10Gbit／s传输用的低驱动电压调制器DFB激光器集成器件

电场吸收型光调制器／ＤＦＢ激光集成器件作为低啁啾、小型、高输出功率的高速工调制光源是很有吸引力的。从减轻驱动电路负担和降低功耗的观点，要求降低１０Ｇｂｉｔ／ｓ以上的超高速系统用器件的驱动电压。因此，通过增大电场吸收型光调顺和蔗和吸收系数变化率，使调制器和ＤＦＢ激光器集成的器件实现了低驱动电压。其结果，在驱动电压变化幅度１Ｖ以下可得到１０ｄＢ以上的动态消光比，没有使它特性恶变，并且在１００ｋｍ的单模     

用于光纤传感的集成光学相位调制器

本文报道一种集总电极相位调制器的设计和制作。器件插入损耗小于或等于5dB(单模尾纤),半波电压小于或等于6V,3dB带宽1.25GHz。试验表明:该器件主要用于检测相位型光纤传感系统。     

GeSi调制器与探测器单片光电集成

文章以ＧｅＳｉ材料为基础，从理论和实践两方面讨论将波导、调制器、探测器集成在一起的可能性，分析结果表明，三者之间的光集成在理论上是可行的，在工艺上也是可以实现的。     

与偏振无关的低驱动电压M-Z型调制器

本文报道一种具有两组电极、与偏振无关的M-Z型波导调制器,它具有两组驱动电压都较低而且数值相近的特点。在波长λ=0.633μm下测试,两组电压分别为11V和15V,消光比大于95％,理论带宽1.21GHz。     

基于接触式极化法的M—Z型聚合物电光调制器

基于接触式电极化法对Mach-Zehnder(M-Z）型有机聚合物电光强度调制器进行了研制，所研制的器件，在1550nm光波波长下，半波电压约为45V，消光比大于20dB，器件可以在推挽方式下进行工作，测得器件结构引入的损耗小于0．5dB，电极化后所具有的聚合物电光系数为11．1pm/V .