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采用磁控溅射技术,使用混合气体Ar和O2,在衬底温度为150-400℃的耐热玻璃基片上制备了纳米晶SnO2:Sb透明导电薄膜,通过测定X射线衍射谱,表明薄膜择优取向为[110]和[211]方向,测量了SnO2:Sb薄膜的结晶特性随衬底温度变化以及纳米晶SnO2薄膜FE—SEM表面及断面形貌。 相似文献
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《中国无线电电子学文摘》2005,(6)
TG113.22,TG132.22005060019非晶Co-Nb-Zr薄膜的纳米晶化及磁性/蒋向东,张怀武,文歧业,石玉(电子科技大学微电子与固体电子学院)//真空科学与技术学报.―2005,25(1).―37~40.采用扫描式差热(DSC)分析、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、梯度样品磁强计(AGM)和磁力显微镜(MFM),研究磁控溅射制备的Co80.8Nb14Zr5.2磁性薄膜,在485℃~550℃间的等温晶化行为以及快速纳米晶化30s后的薄膜结构和磁性。结果表明,非晶薄膜的晶化温度在420℃~450℃,Avrami指数在1.17~1.39,晶化行为以一维形核长大为主。纳米晶Co-Nb-Zr薄膜的磁性能受晶… 相似文献
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为改善有机-无机铅卤钙钛矿的空气稳定性,采用高温热注入法合成了两种不同尺寸的全无机钙钛矿CsPbBr3纳米晶。由于晶粒尺寸对纳米晶薄膜电学性能具有决定性的作用,研究了CsPbBr3纳米晶尺寸对薄膜光电导探测器光电响应性能的影响。结果表明:纳米片薄膜的光电流是纳米立方块薄膜的100倍,归结于二维CsPbBr3纳米片薄膜更少的晶界导致了更长的载流子扩散长度。对性能更加优异的纳米片薄膜光电探测器进行了全面的性能评价,低的噪声等效功率和高的归一化探测率表明其具有优异的弱光探测能力。 相似文献
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掺Rb纳米晶DyIG磁光薄膜研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用热分解法制备的Bi,Al替DyIG磁光薄膜虽然是纳米晶,但由于其晶界分布不均匀、晶粒较大且均匀性差,当用于磁光记录时,晶界将产生较大的噪音。而掺Rb的Bi,Al替DyIG磁光薄膜不仅可以降低晶化温度,而且晶粒明显细化,最大晶粒尺寸从100nm下降到50nm左右,平均晶粒尺寸下降为30nm左右。并且晶粒的均匀性明显改善,掺入的Rb以Rb2O固溶体的形式存在于磁光薄膜表面,填补了薄膜表面的凹凸不平,使薄膜表面反射率增加,信噪比增大。因此掺Rb可使纳米晶Bi,Al替DyIG磁光薄膜的性能大大提高。 相似文献
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高剂量离子注入直接形成Ge纳米晶的物理机理 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了单束双能高剂量Ge离子注入、不经过退火在非晶态SiO2薄膜中直接形成镶嵌结构Ge纳米晶的物理机制.实验中利用不加磁分析器的离子注入机,采用Ge弧光放电离化自动形成的Ge+和Ge2+双电荷离子并存的单束双能离子注入方法,制备了1e16~1e18cm-2多种剂量Ge离子注入的Si基SiO2薄膜样品.用GIXRD表征了Ge纳米晶的存在,并仔细分析得到了纳米晶形成的阈值剂量.通过TEM分析了Ge纳米晶的深度分布和晶粒尺寸.用SRIM程序分别计算了双能离子在SiO2非晶层的射程和深度分布,与实验结合,得到纳米晶形成的物理机制,即纳米晶的形成与单束双能离子注入时Ge+和Ge2+相互碰撞产生的能量沉积在SiO2中形成的局域高温有关. 相似文献
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本文利用TEM原位加热手段和选区电子衍射分析方法,对纳米晶Pd-Si薄膜在加热过程中析出的相进行了研究。真空蒸发Pd_(80)Si_(20)合金而得到的纳米晶Pd-Si薄膜,其晶粒尺寸为10nm,结构属fcc。随着温度的升高,薄膜中晶粒长大,在局部区域有其它相析出。利用选区电子衍射图确定了这些析出相的结构。 相似文献
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快速退火纳米晶化法是目前常用的金属纳米晶制备方法,但其后续600~900℃高温退火会降低器件的电学特性和可靠性。本文提出了热预算低的金属纳米晶制备的新方法—沉积过程中的同步金属薄膜原位纳米晶化法,可以省掉后续单独的退火处理工艺,使金属薄膜同步产生纳米晶化,降低工艺热功耗及简化工艺,从而有效地改善上述薄膜沉积后退火纳米晶化法的不足。在不同衬底温度(250~325 ?C)下,利用同步纳米晶化法制备镍纳米晶存储器。随着生长温度的增加,其存储窗口先增加到最大值再降低。衬底温度为300 ?C时,其存储窗口(2.78 V)最大。与快速热退火法镍纳米晶存储器相比较,同步纳米晶化法制备镍纳米晶存储器具有更强的电荷存储能力。另外,研究了不同操作电压和脉冲时间下器件的平带电压偏移量,当操作电压增加到±10 V时出现了较大的平带电压偏移量,这表明器件发生了大量的载流子(电子和空穴)注入现象。最后,模拟了金属纳米晶存储器的载流子(电子和空穴)注入和释放过程。 相似文献
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采用RF反应磁控溅射沉积ZnO薄膜,沉积完成后对薄膜进行氧气氛下的原位退火处理。薄膜的结晶状况和化学成分分别采用XRD和XPS进行分析。结果表明,该薄膜为结晶性能良好的纳米晶薄膜,具有高度的C轴取向性。薄膜的主要成分为ZnO,不存在金属态Zn。采用文中的工艺方法可获得较高质量的纳米晶ZnO薄膜。 相似文献