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用卤素灯快速退火工艺代替原始的炉退火工艺,使全离子注入的硅双极浅结器件的杂质浓度更高、结深更浅,从而有效地改善了器件的电参数性能。用这种新工艺制做的分频器,工作频率由原来的1300MHz提高到了1600MHz。该工艺操作方便,节省能源,均匀性、重复性、可控性都大大地优于原始炉退火工艺。 相似文献
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硅浅结紫外光探测器的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
采用低能离子注入法在Si材料上制作了浅结结构紫外光(UV)探测器,介绍了 的结构设计、工艺制作以及主要测量结果。实验证明,这种探讨器能够有效地探测波长为200nm和400nm的紫外光。 相似文献
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本文对多晶硅膜离子注入掺杂和扩散掺杂制备浅发射结进行了实验研究。针对新型薄发射极晶闸管特性改善对薄发射极参数的要求,重点研究了采用不同方法时退火条件对薄发射区掺杂剖面、结深以及杂质总量的影响。管芯研究结果表明,在适当的退火条件下,离子注入掺杂制备浅结是改善器件特性较为理想的方法。 相似文献
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根据近年来的文献资料总结报道几种离子注入浅结制备技术,即:大角度偏转注入、分子离子注入、双离子注入,通过介质掩膜注入,注入固体源驱入扩散再分布、等离子体浸没离子注入(PIII)和反冲离子注入等。 相似文献
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本文采用浅平面结制作场板结构高压器件,根据二维模拟器件击穿电压分析结果选择器件参数:深,场氧化层厚度,场板宽度和内部电极间距。结果,半绝缘钝化结构击穿电压的计算值与实验值相关较大,而绝缘层钝化结构的两者较接近。 相似文献
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John Ogawa Bodand 《集成电路应用》2007,(1):34-39
随着器件尺寸的缩小。离子注入和退火等制程的可变性开始引起器件阈值电压的显著变化。对此。器件制造商有两个选择:要么围绕可变性来设计制程,要么改变制程设备。本文将探讨在65至32nm节点下DRAM与逻辑器件的各种可选择方案。 相似文献
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着重研究了γ辐照后,不同偏置情况下,N—Sub MOS电容的高频C—V曲线随B_2~+注入剂量的变化,并对实验结果进行了分析讨论。 相似文献
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本文讨论了高速双极器件制造中的离子注入技术。重点讨论在双极器件制造工艺中的离子注入掺杂技术,离子注入形成浅结技术,以及离子注入层的退火技术。根据这些要求,对离子注入设备应具有的技术性能作了一些预测。 相似文献
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根据近年来的文献资料总结报道几种离子注入线结制备技术,即:大角度偏转注入、分子离子注入、双离子注入,通过介质掩膜注入,注入固体源驱入扩散再分布,等离子体浸没离子注入和反冲离子注入等。 相似文献
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通过氧本征内吸杂工艺前后硅片的实际器件制管试验,少子寿命测试及吸杂硅片的纵向解剖,制管性能大大改善,管芯平均制造合格率提高5% ̄15%,硅片表面少子寿命提高一个数量级以上,另外研究还表明,吸杂硅片经高温氧化,扩散等器件工艺后,硅片表面清洁区厚度及吸杂区内缺陷密度基本是稳定的。 相似文献
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本工作研究了同时形成polycide栅,源/漏硅化钛接触和浅PN结的MOS器件制造技术。实验结果表明,通过硅化钛薄膜注入As,并利用NH_3等离子体辅助热退火(NPTA)工艺,可制备性能良好的MOS晶体管。以注入杂质的硅化钛薄膜作为杂质源,在一次高温退火过程中同时完成杂质的再分布和低电阻率硅化钛的形成,得到结深小于0.1μm,硅化钛电阻率24μΩ·cm。NPTA退火工艺有效地抑制了Ti/Si和Ti/poly-Si固相反应过程中硅化钛的横向生长,从而获得了自对准程度很高的硅化钛接触和互连。 相似文献
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GaAs的B~+注入隔离 总被引:1,自引:1,他引:0
本文报告了在注Si~+的GaAs有源层上进行B~+注入实现隔离的实验研究.结果表明,低剂量和高剂量的B~+注入都能形成高阻区,但低剂量注入形成的高阻区具有更好的隔离特性.本文还讨论了B~+注入n型GaAs消除载流子的补偿机理. 相似文献
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介绍了一种P型超浅结的制作工艺。该工艺通过F离子注入和快速热退火技术相结合,获得了比较先进的100nm以内的P型超浅结;重点研究了影响超浅结形成的沟道效应和瞬态增强扩散效应;详细介绍了制作过程中对沟道效应和瞬态增强扩散效应的抑制。 相似文献
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采用低能量的砷离子注入和可抑制沟道效应的硅表面预先无定形技术,分别得到了0.13μm N~+/P结和0.17μm P~+/N结,并应用于0.5μm CMOS集成电路的制造。 相似文献