Y型沸石分子筛中CdSe半导体纳米团簇的制备及透射电镜的研究

采用离子交换法,以Y型沸石分子筛为基底,组装了CdSe纳米团簇.利用高分辨的透射电子显微镜考察了纳米团簇的分布、生长位置、粒径大小及形貌等.观察到排成周期阵列的量子点CdSe纳米团簇,量子点团簇相互连接形成超团簇颗粒.     

ZnO纳米团簇与CdSe纳米棒复合膜的光电化学性能研究

用水热法合成了粒径均匀、分散良好的花状ZnO纳米团簇和CdSe纳米棒.讨论了ITO/ZnO/CdSe复合膜电极光电性能的影响因素,对比研究了ITO/ZnO纳米团簇及ITO/CdSe纳米棒膜电极的光电化学性能,实验表明:复合膜电极拓展了在长波方向的光吸收,提高了光电转换效率;当ZnO与CdSe复合摩尔比为1∶3时,ITO/ZnO/CdSe纳米复合膜电极在本实验中得到最高光电转换效率(IPCE)25.27%,远远高于单一ITO/ZnO花状纳米团簇膜电极和ITO/CdSe纳米棒膜电极.     

铜纳米团簇的制备及其荧光性能研究进展

金属纳米团簇具有独特的原子几何结构和分立的电子能级,在光、电、磁、催化和生物等领域中应用广泛。与金、银、铂纳米团簇相比,铜纳米团簇(Cu NCs)因具有低成本、低毒性、良好的生物相容性和独特的光学性质而备受关注,广泛应用于生物医学、环境检测等多个领域,并表现出了良好的荧光性能,是传统荧光材料如有机染料及半导体量子点的有效替代物。归纳了Cu NCs近几年在国内外的研究进展,对Cu NCs的合成方法及荧光性质进行了系统阐述。之后系统性介绍了Cu NCs在生物检测领域与环境检测领域的应用,并在最后分析了Cu NCs的研究及其在相关领域应用存在的主要问题及机遇。     

反胶团法制备CdS半导体纳米粒子

以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为表面活性剂、正己醇为助表面活性剂制备了水/CTAB/正己醇/正庚烷的四元反相胶束体系,利用该体系制备了尺寸可控、均一、单分散的半导体CdS纳米材料,其中反相胶束体系被认为是一个"微反应器".获得了一个CdS纳米微粒的最佳制备条件.通过研究CTAB四元反相胶团体系的成相区域、稳定性、微液滴大小和尺寸分布和胶团组成,得出了反相胶团组成与胶团中微液滴大小的关系,采用TEM、XRD等分析技术对所制备的CdS纳米颗粒进行了性能表征.     

碳纳米团簇向碳纳米纤维相转变机理研究

为了能够快速且大面积生长碳纳米纤维,研究碳纳米纤维的形成、转变及在各种物理、化学环境下的反应机理,应用等离子化学气相沉积(PECVD)方法,以CH4为反应气体,FeCl2为催化剂在玻璃衬底上生长碳纳米薄膜.应用扫描电镜(SEM)观察了碳纳米纤维薄膜的表面形貌,拉曼(Raman)光谱分析了碳纳米纤维的结构组成.结果表明,无催化剂时薄膜主要由纳米团簇构成,而催化作用下薄膜呈纤维状生长,纳米纤维为典型的碳纳米管石墨特征峰.在温度,气压,催化剂等反应条件中,FeCl2催化剂对碳纳米薄膜的取向生长起决定性作用,通过调节催化剂的浓度与分布,可有效改变碳纳米纤维的密度与分布.     

团簇线规律在合金相结构中的应用

研究了Zr-Al-Ni体系中合金相的团簇结构规律,指出了在合金相结构中团簇之间以不同方式共享原子的事实.共享后有效团簇的成分就是相成分,这类相称为非团簇相;共享后的有效团簇必须加上连接原子才能构成空间相结构,这类相称为团簇相.在典型的非晶形成体系Zr-Al-Ni中,团簇相有3个:AlNiZr-Fe_2P结构,Al_2NiZr_6-InMg_2结构和Al_5Ni_3Zr_2-Mn_(23)Th_6结构.对于团簇相的成分和结构,可以用模型(相成分=[有效团簇]+(连接原子))来解释.这种用来解释非晶成分的团簇线规律是对合金相成分和结构的一种全新理解.由于团簇的形成来源于组元间的负混合焓,这应该是合金相结构中普遍存在的规律.     

钛合金片层组织中纳米团簇析出分析

以Ti-5Al-2Zr-1Sn-1Mo-1V合金为研究对象,发现其片层组织经950℃热处理后,局部区域出现α相的球化转变,而且经不同温度热处理后都有团簇物析出。应用聚焦离子束(FIB)微区精准取样,采用透射电镜对团簇析出物进行形貌观察和晶体结构衍射分析。结果表明,片层组织中的团簇析出物由多个尺寸不超过100 nm的Sn单晶颗粒聚集而成。     

Fe－Cu包埋团簇的制备及其微观结构的研究

基于溅射－气体－聚集（ＳＧＡ）形成团簇的原理，提出了蒸发－气体－聚集（ＥＧＡ）共沉积方法，并在方华膜载网上成功地制备了Ｆｅ－Ｃｕ纳米磁性包理团簇样品。ＴＥＭ／ＥＤ分析表明，样品中Ｆｅ团簇被Ｃｕ原子所包裹，形成了以Ｆｅ团簇为芯，Ｃｕ膜为壳的良好的芯－壳式包埋结构。当衬底温度由２５℃变化到２００℃时，样品形貌由弥散状过渡到集团状，直至形成大的块状；其结构也相应的由Ｆｅ－Ｃｕ多晶共存变化为一种不规则的单晶形态。     

镶嵌在CaF2介质中纳米Cu团簇微观结构的研究

利用磁控溅射产生金属Ｃｕ团簇，同时蒸发ＣａＦ２介质，将Ｃｕ团簇包埋在ＣａＦ２介质中，团簇大小可通过改变溅射气压控制，用ＴＥＭ研究了嵌埋团簇的结构，分析结果表明：Ｃｕ团簇呈三角状多晶结构，团簇大小为１０￣７０ｎｍ，基质ＣａＦ２晶体也为多晶结构，Ｃｕ团簇的晶格常数在包埋状态下发生了膨胀，膨胀率大约在１６％左右。     

铜纳米团簇研究取得重要进展

中科院长春应化所电分析化学国家重点实验室陈卫课题组在Cu纳米团簇合成和性能研究方面取得重要进展,相关成果发表在国际著名化学期刊《美国化学会志》。     

致密Y型分子筛膜的制备及其影响因素分析

采用无模板剂二次水热合成方法在多孔Al2O3陶瓷环表面制备了Y型分子筛膜,考察了低温等离子体处理预植晶种载体、预植方式、陈化时间、晶化时间和水含量等因素对成膜的影响.XRD和SEM表征结果显示,等离子体处理载体有助于获得致密的分子筛膜.另外,采用打磨方式预植晶种,反应液适当的水含量,陈化9 h及反应9 h有利于提高膜的质量.     

复合半导体纳米材料的研究与制备

综述了纳米半导体的特性及应用,以及复合半导体纳米微粒的类型及其制备等方面的进展。     

MFI型分子筛膜的制备及气体渗透性能研究

采用原位水热合成和无模板剂二次生长合成的方法在α-Al2O3基膜上合成了MFI型分子筛膜,并用XRD,SEM和气体渗透实验等方法进行表征,结果表明合成在α-Al2O3基膜的物质为MFI型分子筛.对于水热合成的分子筛膜,氢/异丁烷的理想分离系数在298 K和473 K时分别为97和52;对于二次生长合成的分子筛膜,氢/异丁烷的理想分离系数在298 K和473 K时分别为497和370,远大于它们Knudsen扩散5.34的比值.表明气体是通过MFI型分子筛的孔道透过.水热合成分子筛膜的正/异丁烷理想分离系数在298 K和473 K时分别为22和13;二次生长分子筛膜的正/异丁烷理想分离系数在298 K和473 K时分别为77和70,气体分离数据表明,两种分子筛膜对气体分离是由分子筛分占主导,同时分子筛膜没有裂缺.     

氧掺杂Y0.8Ca0.2Ba2 Cu3 Oy超导体正交-四方相变的正电子湮没实验研究

利用正电子湮没技术以及X射线衍射等实验手段对Y0.8Ca0.2Ba2Cu3Oy(y=6.32～6.84)体系进行了系统研究.结果表明,在氧含量y=(6.50±0.05)附近发生正交-四方相变.正电子寿命参数在正交-四方相变发生前后均有明显变化,说明样品内部微观电子结构在发生正交-四方相变附近区域发生了显著变化.表征样品内部电子结构整体平均效应的体寿命参数τb随y的降低而逐渐增大,表明由于氧含量降低导致了样品内部局域电子密度的降低,这和Tc随y降低而降低是一致的.认为该体系在y约为6.50附近正交-四方相变区域Tc出现平台式响应可能与相变过程中区域体系内部电子结构变化上的某种弛豫效应存在某种关联.且讨论了YBCO体系中正电子湮没机制以及它与正交-四方相变与和高温超导电性之间的关联.     

载锌辉沸石无机抗菌剂的制备与性能研究

以天然辉沸石为载体，通过载带Zn^2＋并对其稳定固化制备了载锌辉沸石无机抗菌剂，对抗菌剂粒度、白度等物理性能与抗菌性、抗菌耐久性和有害气体去除作用等功能性及微观结构特性进行了研究。载锌辉沸石无机抗菌剂平均粒径0．8gm，白度88，在涂料中应用对涂料白度基本无影响；载锌辉沸石无机抗菌剂具有优良的抗菌性和耐久性，浓度700gg／ml时对大肠杆菌和金黄色葡萄球菌的抑菌率为100％，经热水浸泡12h后抑菌率仍分别为99％和98．5％；抗菌剂中Zn^2＋均匀分布在辉沸石的部分孔道中；辉沸石内部存在较多的空余孔道，从而导致抗菌剂同时具有对有害气体的去除作用。     

天然沸石的热活化对负载TiO2的结构与性能的影响

研究了沸石经不同温度热活化处理后．在表面复合TiO2，制备TiO2／沸石光催化剂．探讨了复合物结构及光催化性能。采用XRD、IR、离子交换量和比表面积测定对样品进行了表征，以太阳光为光源．甲基橙溶液为降解体系．以甲基橙脱色率和COD(化学耗氧量)去除率对合成样的光催化性能进行了检测。研究结果表明．沸石经不同的温度热处理后对负载的TiO2的结构和光催化性能有一定影响．沸石经200℃处理1h．再以TiCl4为先驱物制备的TiO2／沸石光催化剂的光催化活性最大．并具有较大的比表面积．在沸石的表面形成了约为16nm的锐钛矿颗粒。     

介电/半导体功能集成薄膜的制备和特性调控

介电/半导体功能集成薄膜,主要是指将具有电、磁、声、光、热等功能特性的介电功能材料(主要是氧化物类介电功能材料)与硅、砷化镓或氮化镓等典型半导体类功能材料,以单层薄膜或多层薄膜的形式生长(甚至外延生长)在一起而形成的人工新材料,这类新材料有可能具有多功能一体化和功能特性之间的相互调制及耦合等特点,可望在新型电子和光电子器件中获得应用.介绍了介电/半导体功能集成薄膜产生的背景;从集成铁电薄膜与器件、HK/半导体集成薄膜与器件以及极性氧化物/GaN功能集成薄膜与器件等3个方面,分别介绍了介电/半导体功能集成薄膜的应用;概括介绍了介电/半导体功能集成薄膜的制备方法及特性调控.     

亲水性沸石膜在异丙醇脱水中的应用及其耐酸性研究

采用二次生长法,在α-Al2O3陶瓷管上制备亲水性NaA、T型、ZSM-5沸石膜,采用SEM对其进行表征.比较3种亲水性膜在异丙醇/水体系的渗透汽化性能,考察其在不同的料液温度下对异丙醇的分离效果.通过优化膜合成液中Si/Al和F-/Si的摩尔比、合成时间等条件,提高ZSM-5沸石膜的渗透汽化性能.分析考察膜的耐酸性能,结果显示ZSM-5沸石膜具有良好的耐酸性;将ZSM-5沸石膜在pH为5.8的酸性溶液浸泡10天后,用于97%的乙酸乙酯/水体系中渗透汽化脱水,渗透液水含量可达99.59%,渗透通量可达0.12kg/(m2·h),分离因数高达7 894.     

Model-based process capability indices: The dry-etching semiconductor case study

Process capability indices are widely used to check quality standards both at the production level and for business activity. They consider the location and the deviation from specification limits and targets. The literature contains many contributions on this topic both in the univariate and the multivariate context. Motivated by a real semiconductor case study, we discuss the role of rational subgroups and the challenge they present in the computation of capability indices, especially when data refer to lots of products. In addition, our context involves a mix of problems: unilateral specification limit, nonsymmetric distribution of the data, evidence of data from a mixture of distributions, and the need to filter one component of the mixture. After solving the previous issues and because of the peculiar characteristics of semiconductor processes based on the so called “wafers,” we contribute to the literature a proposal on how to compute capability indices in the case of heteroscedastic spatial processes. With a generalized additive model, we show that it is possible to estimate a capability surface that allows the identification of regions expected to not be fully compliant with the desired quality standards.     

纳米HS型沸石合成及长大机制的研究

通过清夜合成法成功地合成了纳米ＨＳ沸石,通过Ｘ射线粉末衍射法和高分辨率透 射电镜对产物进行了表征,并对其长大机制进行了分析．结果表明,纳米颗粒包含若干个尺寸 大致相同而晶体学位向不同的亚晶,其长大机制为聚集增长机制．