Overview of Radio Fuze Failure Mechanism Researches under Energy Type Interference

针对能量型干扰信号特点,从强电磁脉冲(EMP)武器发展、毁伤机制、强EMP武器防护研究和引信电磁环境适应性测试标准等方面对国内外有关能量型干扰下无线电引信失效机理的研究现状进行了总结,分析了目前研究中存在的问题,并提出了相应对策,为下一步引信失效机理的研究提供了理论指导。     

电磁脉冲对MMIC电路中MIM电容的损伤分析

电容失效是电子电路中常见的故障.通过对某QPSK调制器微波单片集成电路(MMIC)进行失效分析,确定了该产品出现的故障是由MIM电容引起的,进一步地通过故障原因排查和故障机理分析,得知该MIM电容故障是由电磁脉冲(EMP)引起的,最后通过设计试验使故障复现,验证了分析结果的正确性,从而为今后MMIC的老炼试验设计提供了指导.     

高功率电磁效应及防护技术研究概述

本文阐述了高功率电磁脉冲防护技术发展的国内外现状,提出了针对各种武器系统和有关的C4ISR系统展开提升抗EMP容限技术及电磁毁伤机理研究的迫切性。给出了电磁脉冲防护的基本方法及我国在这一领域急需发展的重点方向。     

电磁脉冲弹及其防护

随着大功率微波器件的发展,大功率微波电磁脉冲弹(E-bombs)在国外已经实用化。由于其广谱、灵活、针对性强等特点,对通信、雷达、计算机网络等电子系统有极强的破坏能力。这里就电磁脉冲(EMP)的分类与特点、电磁脉冲弹的产生机理、电磁脉冲对电子系统的影响机理以及应采取的防护措施进行了讨论,重点讨论了通信系统的防护措施。     

基于高分子电压诱导变阻膜的全PCB抗脉冲防护

随着芯片集成度的不断提高,内部互连导线间距越来越小,器件更易在静电作用下受到损害。为提高印制电路板（PCB）在实际应用中抗静电放电（ESD）和电磁脉冲（EMP）的能力,制作了一种高分子电压诱导变阻膜,将其嵌入PCB中形成脉冲吸收网络,使全板具备抗瞬变脉冲能力,实现对ESD和EMP的全系统防护。ESD防护实测结果表明,对比普通PCB,全抗脉冲PCB对静电脉冲有更快的响应速度和更高的释放效率;传输线脉冲（TLP）测试结果表明,采用电压诱导变阻膜的PCB中每一点都具有过电压脉冲吸收能力,电流泄放能力可达50 A以上。     

ESD EMP对某雷达接口电路的辐照效应实验

静电放电产生的电磁脉冲(ESD EMP)具有上升沿陡、频带宽和峰值大等特点，它对武器装备的电子系统具有很强的干扰和破坏作用。为研究ESD EMP对武器装备电子系统的影响，以某雷达接口板为实验对象，进行了ESD EMP辐照效应实验。实验表明，该接口板在ESD EMP作用下，会出现通讯出错和控制状态改变等现象。在实验基础上，分析了各种效应产生的原因。     

电子防护要从被动转向主动服务

随着IC工作电压越来越低和电子电路越来越复杂,电子设备变得更加脆弱,因此迫切需要更严密的电子防护。来自中国电子元件行业协会电子防护元器件分会秘书长华钟南认为,中国的电子防护行业从理念上来讲还处于变革期,要在吸收、消化基础上,提高自主创新的能力。     

小金属腔体内抗干扰小型栅网电场传感器研制

为了确定电子系统的电磁脉冲(EMP)易损性并设计能承受电磁脉冲(EMP)威胁的电子系统,研究电磁脉冲(EMP)特性和电磁脉冲(EMP)耦合进入元件和电子系统的能量,以及电子系统战术性能降级所产生的影响。介绍了封闭腔体内抗强电磁干扰的小型电磁场传感器的设计过程,对该传感器的等效电路、匹配网络和测量方法进行了详细的理论计算分析。也对研制过程和实际应用情况进行了介绍。得到了小型腔体内的内电磁脉冲(IEMP)环境参数。为电子系统提供了抗电磁干扰以及加固设计的参考数据。     

电子电路制作过程人为故障的分析与对策

本文从电子电路制作过程人为故障的原因入手,着重分析了电子电路制作过程对人为制作行为的要求,并探索了电子电路制作过程人为故障的对策.     

单片机的ESD EMP效应及加固技术研究

ESD EMP(静电放电产生的电磁脉冲)具有上升沿陡、频带宽和峰值大等特点,对电子系统具有很强的干扰和破坏作用。为研究ESD EMP对电子系统的影响,以单片机为实验对象,对单片机系统进行了ESD EMP辐照效应实验。实验表明,单片机系统在ESD EMP作用下,会出现10多种故障现象。文中在实验基础上研究了单片机加固技术。     

氧化锌浪涌吸收器防电磁脉冲特性

测量了氧化锌浪涌吸收器电路在电磁脉冲（ＥＭＰ）条件下的保护特性。其中Ｒ型电路的脉冲响应时间小于１０ｎｓ，在１００ＭＨｚ频率下的插入损耗小于１．５ｄＢ并且有高的保护能力．我们认为它作为ＥＭＰ的固态抑制器是十分有前途的．     

深亚微米集成电路中的ESD保护问题

本文对深亚微米工艺所引起的集成电路抗静电能力下降的原因和传统保护电路设计的缺陷进行了深入的阐述,从制造工艺、保护电路元件和保护电路结构三方面对深亚微米集成电路中的ESD 保护改进技术进行了详细论述     

Practical Drive and Protection Circuits for the IGBT

The essential requirements of IGBT drive circuit is expounded.The short-circuit characteristic and over-current protection of the IGBT are described in detail.Finally,the practical drive and protection circuits are designed.The practical re-sults show that the circuit is good in performance.     

智能功率模块SKiiP3在500kW三相光伏并网逆变器中的设计及应用

随着光伏产业的迅猛发展,sKiiP模块作为一款集功率开关器件、散热板以及多种监视和保护为一身的智能功率模块,越来越受到光伏逆变器研发人员的青睐。本文以笔者目前从事的500kW三相光伏并网逆变器研制工作中所使用的sKiiP 2403GB1 72-4DW为例,简要介绍其性能和功能特点,并着重介绍在实际使用中其外部电路的设计,以及设计中需要注意的方面。最后给出500kw三相光伏并网逆变器运行时的实验波形,验证了SKiiP模块外部电路设计的合理性。     

雷达后门电磁脉冲防护概述

介绍了电磁脉冲产生的机理,描述了电磁脉冲通过雷达后门耦合途径对兵器和人员的损伤效应,同时对时域有限差分法的应用进行了说明,对雷达后门防护设计思路进行了探讨,并对电磁防护技术的发展提出了看法。     

PCB电路电磁脉冲效应混合仿真方法

电磁脉冲作用于屏蔽腔内的微带线电路的过程十分复杂。目前已有的研究存在局限,缺少将场分析与电路分析结合起来的研究方法。通过一个混合模拟方法计算了电磁脉冲辐照下的含屏蔽腔的微带线电路上的耦合电压。该方法通过建立腔体与微带线的电磁拓扑模型,利用BLT方程计算得到电磁脉冲在微带线上的耦合电压,结果表明电场强度为1 000 V/m的电磁脉冲会在微带线终端产生1.5 V左右的耦合电压。通过电路仿真软件仿真计算了外辐射场对电路工作状态造成的影响,外辐射场在300 V/m时会影响信号放大电路的正常工作。     

电路保护用元器件

本文讨论了电路保护的重要性、措施、元器件和应用电路，如瞬变电压抑制二极管的应用电路。     

嵌入静电保护电路板制造技术

静电放电现象广泛存在于电子产品中,其特点是时间短暂、速度快和能量高。静电放电会导致电子元器件失效或存在隐患,甚至导致电子产品完全损坏。传统的表面安装的分立元器件(电涌抑制器)仅能对电子产品提供3%的保护,已经不能满足电子产品对静电保护的要求了。嵌入静电保护电路板的制造技术,主要工艺是将静电保护特殊材料嵌入到电路板内部,从而可以在整体系统上对电子产品进行静电保护。实验证明,嵌入静电保护电路板可以对电子产品提供达到100%的静电保护。     

舰船平台强电磁脉冲威胁与防护要求

强电磁脉冲对舰船平台的敏感电子信息系统、人员、武备、燃油等都会构成威胁,而且随着电子技术的发展,这种威胁产生的后果会越来越严重。文中分析了强电磁脉冲的种类和威胁程度,初步提出了强电磁脉冲对舰船平台的危害机理和相应的防护研究要求。