低噪声放大器的发展状况

卫星通信用的低噪声放大器近年来取得了重大的发展。本报告介绍低噪声放大器最近的发展状况和在各频段中应用的噪声温度特性和设计特点。由于12千兆赫频段的场效应晶体管正在取得巨大的进展,所以对12千兆赫场效应晶体管低噪声放大器作较详细的介绍。最后,讨论改善噪声温度和应用等方面的将来的技术发展趋势。     

天馈线驻波对“微波低噪声晶放”噪声系数的影响

本文讨论了在用“无输入环流器微波低噪声晶体管放大器”作为微波接收机前端时,如何估计由于天馈驻波而引起的晶体管放大器噪声系数的恶化;并以一微波低噪声晶体管放大器为例,具体地进行了估计。最后,还探讨了在已知天馈线驻波情况下,如何尽量减小这种恶化的问题。     

用标准金属栅CMOS工艺设计和制造低噪声运放

设计了两种低噪声运算放大器。它们都采用双极晶体管作为输入级。因此,对照常规的 CMOS 放大器,它们具有低噪声和低失调的优点,而与其它的双极型放大器相比,又有输入电流低的特点。     

高频晶体管的低噪声技术

本文对实现高频晶体管低噪声化的技术在理论上进行若干探讨,其次叙述满足这些理论要求的技术对策和现在的技术进展程度,然后预测高频晶体管低噪声化的今后发展。高频晶体管的噪声系数在讨论电子器件的噪声时,最常采用噪声系数这个参数,当电气信号通过象晶体管放大器等处理电信号的器件时,噪声系数就是表征这一信号的信噪比劣化程度的参数,可表示如下:     

微波低噪声放大器

关于微波低噪声放大器,本文以使晶体管放大器的低噪声化的设计方法为中心,介绍各种低功率放大器及功率放大器的现状。微波低噪声放大器的现状图1就目前的各种微波放大器表示了它们的噪声系数及频率特性。双极晶体管放大器、隧道二极管放大器和参量放大器等是过去人们已热知的低电平工作的低噪声放大器,近几年来晶体管的性能惊人地提高,已出现了在4千兆赫下噪声系数3分贝左     

集成宽频带低噪声晶体管放大器

本文围绕晶体管宽频带放大器的设计,简单介绍了晶体管的性能。讨论了晶体管宽带放大器的两种设计方法。通过管芯载体以及π型高通匹配电路的应用,研制出10～1000兆赫低噪声宽频带集成晶体管放大器、20～2000兆赫集成宽带晶体管放大器和2000～4000兆赫集成宽带放大器。给出了性能指标。     

基于ADS的微波低噪声放大器的设计与仿真

低噪声放大器包括输入匹配网络、微波晶体管放大器和输出匹配网络.微波晶体管放大器是设计中的核心部分.根据低噪声放大器设计的原理,提出技术指标要求,设计一个5GHz单级低噪声放大器,经过技术指标分析,采用Fujitsu公司的FHX35LG型HEMT场效应管晶体管.阐述了如何利用Agilent公司的ADS软件进行分析和优化设...     

微波低噪声晶体管放大器机助优化设计

本文对微波晶体管低噪声放大器的机助设计进行了讨论。探讨了微波低噪声晶体管放大器的拓扑结构和数学模型,提出了适于计算机的简化算法和相应目标函数的构成方法,并利用可变多面体优化方法编制了微波电路优化设计程序POMCO,用该程序设计的12GHz砷化镓场效应管放大器,性能良好,实测幅频特性与计算结果相吻合。     

高频晶体管

本文探讨了实现高频晶体管的低噪声化所需的理论,叙述了为满足这个理论目前的技术对策的进展程度,展望了今后高频晶体管的低噪声化将发展到何等地步。高频晶体管的噪声系数讨论电子产品的噪声时,最常用的是噪声系数,这个噪声系数,如同晶体管放大器一样,是在作用于电信号的器件上通过电信号时,接受信噪比的好坏程度的系数,如下所示:噪声系数 F=(输入信号对噪声比)/(输出信号对噪声比)     

参量放大器用的里德型变容二极管

<正> Ⅰ、前言参量放大器在许多应用方面,特别是在毫米波频率以及微波晶体管(金属—半导体场效应晶体管和双结晶体管)所达不到的频率上,仍然是重要的低噪声放大器。放大器随工作频率的增加而愈加受到限制,且性能也随之而下降。泵功率不足或低泵功率、电路与器件损耗的增加是参量放大器在毫米波频率上所遇到的更重要的限制。在这些限制和其它限     

两种新的混合型微波放大器

最近,外刊上报导了两种新的混合型微波放大器,现将有关这方面的报导,加以综合介绍如下: 1.混合型场效应——双极晶体管放大器这种放大器兼有场效应晶体管低噪声和双极晶体管高增益的优点。通常放大器由几级构成,第一级用砷化镓微波场效应晶体管放大器,作为前置放大器,获得最低的噪声系数。而其余几级用双极晶体管放大器,在最佳的匹配条件下,获得足够高的增益。比如,由飞歌—福特公司设计的一个混合型放大器就是采用这种技术,其工作在3.7～4.2     

四公分低噪声场效应晶体管放大器

本文介绍四公分低噪声场效应晶体管放大器的初步研制结果,通过对晶体管S参数的测试进行电路设计。制成两级级联放大器作为接收机低噪声前端。在实验室内实现的指标是:放大器的噪声系数小于4.3分贝,放大器增益为14分贝。文中同时介绍了放大器所能承受的射频脉冲功率及实验数据。     

全球LNB市场大观(上)

卫星高频头(LNB,也称电视低噪声下变频器或卫星电视室外单元,台湾称低杂讯降频器)是卫星电视接收系统中不可获缺的器材,它由微波低噪声放大器、微波混频器、第一本振和第一中频前置放大器组成。LNB中的低噪声放大器一般是将波导同轴转换器与低噪声放大器合成一个部件,包含3～4级放大,前两级为低噪声放大器,采用高电子迁移率晶体管HEMT器件,后两级为高增益放大器,采用砷化镓场效应晶体管GaAsFET。     

低噪声S波段集成放大器

为了低噪声的应用,研制了一种具有亚微米发射极宽度的微波双极晶体管的新型结构。叙述了这种晶体管的噪声和增益性能,并与以前的低噪声晶体管进行了比较。这种晶体管用于单级和三级的集成S波段放大器时,其最小噪声系数分别为1.9分贝和3.0分贝。介绍了这些放大器的设计和性能。三级放大器是为工作于3.1～3.5千兆赫的S     

微波放大器

在以低噪声晶体管放大器为中心的微波低噪声放大器中,介绍了各种小功率和大功率放大器的现况。     

低噪声话筒放大器

４７０．低噪声话筒放大器由于匹配晶体管以单个组件的形式出现，对零噪声话筒放大器的寻求，看来已成为一种新的刺激。这里提出的放大器是以ＰＭＩ’ＳＭＡＴ０２晶体管对为基本组件，放大器的性能在最大的音量时，也将给人以低噪声的感受。这种放大器能对话筒很宽的阻抗...     

晶体管放大器偏置电路的噪声计算

本文首次给出了晶体管放大器三种电路组态各管脚偏置噪声的计算方法。该方法能够定量模拟晶体管放大器不同工作状态下的偏置噪声，从而为晶体管放大器偏置电路的噪声分析和低噪声优化设计提供了有利的工具。     

C波段低噪声场效应晶体管放大器

本文介绍C波段低噪声场效应晶体管放大器的初步研制结果。采用国产CX-50型砷化镓场效应晶体管。通过对晶体管S参数和噪声参数的测试进行电路设计。制成两级级联放大器作为接收机低噪声前端,实现了5公分频段的指标是:(包括前置限幅器、隔离器和后置接收机噪声在内的)系统噪声系数4.0分贝,放大器增益14分贝。文中并简介放大器承受射频脉冲功率的实验情况,以及与雷达使用有关的若干指标的初步测试结果。     

C波段低噪声埸效应晶体管放大器

本文介绍C波段低噪声场效应晶体管放大器的初步研制结果。采用国产CX-50型砷化鎵场效应晶体管。通过对晶体管S参数和噪声参数的测试进行电路设计。制成两级级联放大器作为接收机低噪声前端,实现了实验室內5厘米频段的指标是:(包括前置限幅器、隔离器和后置接收机噪声在内的)系统噪声系数4.0分贝,放大器增益14分贝。文中并简介放大器承受射频脈冲功率的实验情况,以及与单脈冲雷达使用有关的若干指标的初步测试结果。     

环行器对低噪声放大器性能的改善

基于网络S参数理论,分析了环行器对低噪声放大器性能的影响。设计了一种工作在4.3~5.1GHz的微波晶体管低噪声放大器和铁氧体带线Y结环行器,数值仿真对比了环行器接入前后低噪声放大器的驻波比、稳定性和增益平坦度性能。结果显示接入环行器可以改善放大器的输入匹配,增加稳定性和提高增益平坦度,是一种提高低噪声放大器性能的有效方法。