低温共烧陶瓷表面共烧电阻浆料制备的研究

研究了导电相和玻璃相对共烧厚膜电阻表面状况和稳定性的影响,结果表明：当厚膜电阻中玻璃相软化点接近或低于基板中玻璃相的软化点时,共烧厚膜电阻与基板保持良好的工艺匹配;当厚膜电阻的热膨胀系数接近基板的热膨胀系数时,电阻具有较好的常温、高温等稳定性,X射线衍射分析表明,厚膜电阻与基板之间的不良反应降代电阻的稳定性。     

光纤通信模块中的厚膜电路与LTCC陶瓷技术

新一代光纤通信模块的封装需要提高机械，热性能和环境稳定性的综合能力以集成电子和光学的功能。这些推动着光电市场快速发展，同时也大幅度降低系统成本。已在高可靠军事领域，以及商业汽车和无线通讯领域应用成功的厚膜电路和低温共烧陶瓷（LTCC）具有上述所需特性。本文综述了厚膜电路和LTCC技术在封装和互连材料上针对光纤电路和模块需求的特性。     

低温共烧陶瓷系统及其应用

低温共烧陶瓷(LTCC)技术集高温共烧陶瓷(HTCC)的电子封装特性和厚膜技术的电子性能于一体。厚膜或HTCC技术和LTCC技术之间的加工工艺的通用性能够很容易地将目前使用的HTCC或厚膜机构过渡到LTCC制造。 LTCC技术概况 通过将两种长期使用的成熟技术——厚膜混合电路加工工艺和多层陶瓷封装——多年来在氧化铝封装生产中的应用,使LTCC技术已演变为一种封装方法。 像厚膜加工工艺一样,LTCC可使用低成本的导电     

低温陶瓷共烧技术——MCM-C发展新趋势

介绍了目前国际上厚膜混合工艺技术的动态，指出了低温共烧陶瓷技术(LTCC)是MCM-C发展的重要趋势。探讨了国内MCM-C技术的现状，认为必须同IC技术保持紧密的联系，才能得到良好的发展。     

共烧多层陶瓷基板制造技术

本文对共烧多层陶瓷基板制造技术作了较为全面的探讨，详细分析和研究了它的工艺物性和材料系统特性。在分析和研究过程中用大量的数据和实例说明共烧多层陶瓷基板技术在微组装领域具有强大的生命力。事实表明，共烧多层陶瓷基板制造技术在未来的微电子封装技术中将发挥重要作用。     

TCLL多层微波互连基板布局布线设计及制造技术

采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术制造多层微波互连基板,可以研制出高密度的T/R组件.讨论了多层基板中微带线和带状线的结构及其优化设计技术,介绍了制造工艺流程和关键工艺难点.     

低温共烧陶瓷多层基板精细互连技术

微电子技术和封装工艺的发展使超大规模集成电路(VLSI)的密度越来越高,而高密度低温共烧陶瓷(LTCC)基板的制作依赖于基板内部导体的精细互连技术.为了满足LTCC多层基板高密度互连的工艺要求,必须使基板微通孔的直径及导线线宽缩小到100 μm以内.基于此,首先介绍了LTCC生瓷带层的微通孔形成与填充工艺,以及所形成的微通孔的特点;利用厚膜丝网印刷技术形成精细导线,分析了影响印刷质量的工艺参数;最后简要介绍了薄膜光刻等新技术.通过应用上述几种先进的精细互连工艺技术,极大地提高了LTCC多层基板的互连密度.     

陶瓷基板研究现状及新进展

近年来,电力机车、电动汽车和微波通信等行业发展迅速,系统所用的电子器件具有大功率、小尺寸、高集成和高频率等特点.为满足电子器件散热、密封和信号传输优良的需求,陶瓷基板以较高的热导率、与半导体材料相匹配的热膨胀系数、致密的结构和较高的机械强度等特性得到广泛的应用.首先综述了不同陶瓷基板材料的性能、发展历史和新进展,分析了各自的优缺点;然后综述了陶瓷基板的制备工艺,对多层共烧陶瓷技术进行了详细介绍,并简述了陶瓷基板的应用;最后指出了陶瓷基板的研究方向和面临的挑战.     

基于高温共烧陶瓷基板的三维互连技术

基于高温共烧陶瓷技术的多层基板是实现组件小型化、轻量化、高可靠的有效手段。文中研究了基于HTCC技术的多层基板三维立体互连结构,包括基板内垂直转换及基板间立体互连。通过仿真优化设计,实测结果表明,文中所设计的多种结构能够有效地应用于组件三维互连中。     

基于MCM互连技术的LTCC基板研究

本文介绍了一种基于MCM（多芯片组件）互连技术的新型LTCC基板结构,在目前的工艺条件下实现了更高的基板平整度和电磁兼容（EMC）保护。我们将其应用于相控阵雷达TR组件的设计之中,经测试指标达到设计标准。     

低温共烧陶瓷基板及其封装应用

低温共烧陶瓷LTCC基板是实现小型化、高可靠微波多芯片组件MMCM的一种理想的封装技术一文章对LTCC技术的特点及应用做出了评述,主要介绍国内外LTCC的现状、发展趋势与问题,同时突出强调了LTCC的飞速发展及对微波器件的重要性。     

低温共烧陶瓷技术在手机中的应用

低温共烧陶瓷技术具有一系列特点，用于制作手机中高频通信模块（组件）具有高品质因数，可内埋植电阻、电容及电感等优点，是迫切需要同组装密度的移动通信终端系统的最适宜采用的制作技术。     

LTCC组件技术及未来发展趋势

低温共烧陶瓷具有可实现高密度电路互连，内埋置无源元件，IC封装基板，以及优良的高频特性与可靠性，使之成为目前宇航、军事，汽车，微波与射频发刊词领域多芯片组件（MCM）最常用的技术之一。本文介绍了LTCC技术的现状及发展趋势。     

基于LTCC的毛纽扣垂直互连技术研究

基于独立的二维LTCC微波模块间的垂直互连技术展开研究,设计两种毛纽扣微波垂直互连结构,分别为同轴型和三线型。通过三维电磁仿真软件HFSS对三线型毛纽扣垂直互连结构模型进行分析优化,并对相应工艺进行研究,完成两种毛纽扣垂直互连样品的制作。模型中选用的毛纽扣高度为3 mm,直径0.5 mm。两种毛纽扣互连样品测试结果均与仿真结果相符,在X波段内都具有良好的微波传输性能。     

降低低温共烧多层陶瓷基板介电常数方法的研究

本文主要探索一种在玻璃陶瓷基板材料中加入聚苯乙烯（PS）有机球（有机球在高温下分解），最终在基板中引入半合气孔，从而降低介电常数的新方法，着重讨论了孔隙率与介电常数的关系，以及与基板其他实用性能参数之间的关系（如抗折强度，绝缘电阻，漏电流等）。     

应用于微波和RF电路中的厚膜材料的工艺

介绍了应用于微波和ＲＦ电路中的厚膜材料和工艺。无玻璃的厚膜导体材料的电阻率极低。氧化铝（９６％,９９％）、氧化铍和氮化铝陶瓷的高频损耗很低,是优良的微波和ＲＦ电路用基板。采用先进的厚膜细线技术,使厚膜导体的线分辨率几乎达到了薄膜的工艺的水平。     

采用陶瓷积层技术的LTCC高频组件

Bluetooth/WLAN的超小型陶瓷天线 国巨电子尺寸为7.8×3.6×0.9mm的蓝芽/无线局域网络Bluetooth/WLAN的陶瓷天线是世界最小型的陶瓷天线之一。天线增益高达2.5dBi,天线频宽在100至200MHz以上,宽频特性与足够的辐射效率,可以满足2.4GHzISM频带系统的应用。天线理论与计算机辅助设计工具的研究与开发,使得天线尺寸大幅缩小,同时仍能维持良好天线特性。     

高密度互连的厚膜MCM

普通的厚膜组件（MCM－C）已不能满足在军事与空间领域大量专用集成电路（ASIC）封装要求。通常，ASIC芯片是为高频设计的，具有较高的热损耗，有较多的输入／输出线，从而要求高密度互连。为了鉴别出可能采用的方案，研究了几种MCM技术，并进行了比较。模拟和测试的结果显示，一种新工艺（基于具有光成象能力的厚膜材料）可提供可靠性和较好的成本效果，取代先进的薄膜聚酰亚胺多层或硅－硅互连。本文将讨论一种新的封装工序，概括介绍高密度（0．127mm～0．254mm间距）、高频（2．5～600MHz）MCM的三个代表例。