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进口三极管常见的有日本、美国、欧洲及韩国等国生产的。日本的有2SA、2SB、2SC、2SD系列。其中2表示有2个PN结的晶体管,S表示属于日本电子工业协会注册登记的产品。A、B、C、D表示管子的极性和类型,A、B为PNP管,C、D为NPN管。而A、C多为高频管,B、D多为低频管。一些塑封管的表面积较小,为打印型号方便,很多管子将前面的2S省略了,例如2SA562简化成A562,又如D8201A实为2SD8201A,其中A表示为 相似文献
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在摄像机中,大量采用有内置电阻的双三极管。但双三极管内部结构较特殊,损坏后难于购到同型号管更换。下面通过两个维修实例说明双三极管损坏后的代换方法。例1:松下NV—M8000型摄像机,将磁带推入带仓使其到位后,随即弹出。检查发现,在拔出交流适配器供电插头或取出电池后,能将磁带推入带仓,说明弹出机构有故障。 相似文献
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和晶体二极管一样,晶体三极管的电流与电压关系(特性曲线)也是非线性的。但是三极管有三个电极,因而有两种特性曲线:输入特性曲线和输出特性曲线。一、输入特性曲线晶体三极管的输入特性曲线,是在集电极发射极电压V_(CE)固定的条件下,测出的基极发射极电压V_(BE)与基极电流I_B的关系曲线,如图1所示。这是3DG4A(NPN型硅管)的实际输入特性曲线。V_(CE)=0V的输入特性,也就是将集电极与发 相似文献
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晶体三极管的特性除用特性曲线表示外,还可以用相关参数来表示,在很多应用领域,用参数来表示管子的性能更方便、更明确。这里只介绍它的主要参数。一、直流参数直流参数表示晶体三极管在直流电压与直流电流作用下的性能。(1)集电结反向饱和电流I_(CBO):它是发射极开路,集电结加反向电压时流过集电极与基极的电流。这个电流一般很小,在室温下小功率锗管的I_(CBO)约为几微安到几十微安,小功率硅管在1μA以下,但大功率锗管可达几百微安,硅管的I_(CBO)比 相似文献
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达林顿光电三极管是在普通光电三极管的基础上发展起来的光敏元件。它实质上是把光电三极管和普通双极型三极管组合在一起,构成一只具有光电效应的器件,当它受到光照时,等效光电三极管将光信号转换成电信号,此信号被双极三极管放大,其总放大倍数相当于两只三极管放大倍数的乘积。所以,灵敏度比普通光敏三极管更高,通常光电流可达十几毫安以上。但是,达林顿型光电三极管对光信号的响应速度却要慢 相似文献
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三极管在使用时必须经过检测。三极管的测试,当然最好使用晶体管图示仪,但在业余情况下,常使用万用表来简单估测三极管。本文介绍业余条件下判别三极管的极性和性能的方法。一、三极管管脚极性的识别与判断1.根据管脚排列识别目前,三极管的种类很多,封装形式不一,管脚排列也有多种 相似文献
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叙述了半导体三极管中小功率微波振荡器现状,主要包括三个方面,一是半导体硅三极管微波源;二是场效应管微波源;三是关于微波新器件,新技术对微波源发展的促进,还对各方面的未来发展作了预测性的估计。 相似文献
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磁敏三极管,是在磁敏二极管的基础上设计的一种磁电转换器件。由于采用的是硅材料,因而其稳定性比较高,温漂系数比较小。磁敏三极管属双极型晶体管结构,它具有正、反向磁灵敏度极性和有确定的磁敏感面。典型的磁敏三极管有3CCM。图1(a)是3CCM的正视图,图1(b)是侧视图,标 相似文献
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本文研究用非外延硅单晶制造高灵敏度光敏三极管的方法。首先论述了两个困难:光开通现象和光电特性的非线性现象,然后查明了引起这两种现象的原因,并提出了对策,从而制得了3DU84型高灵敏度光敏三极管;其光电流在100勒克司光照下高达14毫安,在1000勒克司光照下高达60毫安。作为产品,3DU84与PN101/102相当,在100勒克司光照下,光电流最小值为1.5毫安,典型值为2~10毫安。 相似文献
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晶体三极管简称晶体管或三极管,是一种具有两个PN结的半导体器件。晶体三极管的最大特点是具有电流放大及控制作用,它是在电子线路中被广泛使用的重要电流控制型器件。利用晶体三极管的特性,可以组成放大、振荡、开关等各种功能的电子电路。 相似文献
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晶体三极管是电子电路中最基本而常用的放大和开关器件,不论在分立元件电路,还是集成电路中处处都有它的身影,因此弄清晶体三极管的工作原理,掌握其基本的工作电路是十分必要的,初学者一定要在这方面狠下功夫,建立清楚的概念。一、晶体三极管的结构晶体三极管是由P型与N型半导体构成的,有两种基本 相似文献
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