单相六温区无变压器管式熔炼炉的研制

本文介绍了生产半导体致冷材料用的单相六温区无变压器管式熔炼炉的结构，恒温控制原理及性能特点，并与单温区、三温区熔炼炉性能进行了比较。这种炉控温能力强，成本低，节约能源，重量轻。     

移动温区光纤熔融拉锥锥区形貌研究

光纤拉锥是光纤器件制作中的一项重要技术,为了研究快速往复移动温区熔融拉锥系统中锥区形貌与各拉锥参数的关系,基于体积不变原理,建立了往复运动温区熔融拉锥系统在满足温区运动速度大于光纤拉伸速度条件下的理论模型,详细描绘锥区形貌形成过程,推导出锥区直径、锥区平坦区长度与温区运动次数、温区运动速度、光纤拉伸速度、温区往复运动距离以及温区宽度与光纤初始直径之间的定量关系,并进行验证,实验结果与理论分析一致。     

掺铜氧化铁陶瓷负阻特性的研究

研究了掺铜氧化铁陶瓷的负阻特性,并从相结构入手,探讨了负阻机理,分析了该类材料在一定温区内呈现负阻性能的原因。     

宽温区高温MOS器件优化设计

全面介绍了27－300℃定温区高温MOs器件的优化设计考虑及用计算机模拟技术进行优化设计的方法。研究结果表明，选取代化的设计参数可使设计的MOs器件在27－300℃宽温区工作并获得最佳高温性能。     

低温光学系统两级温区的设计与分析

在低温光学系统内建立两级温区是红外弱目标双波段探测的基础和关键,采用氦气压缩式制冷技术,通过精密的结构、热、光学设计和分析,实现了低温光学系统内两个低温温区的隔离与建立,一级温区80～100 K,二级温区40～80 K,控温精度±0.5 K,温区内最大温差2.4 K,两温区独立控温、互不干扰,克服了国内低温光学研究受液氮制冷对温度和使用条件的限制,使国内低温光学的研究达到了具有更低工作温度和双温区同时工作的水平。     

ZRL-005型真空熔炼炉系统设计

镁合金材料广泛应用于制作电子产品的壳体。ZRL-005型真空熔炼炉是镁合金熔炼和甩带的一体化设备。主要用于对镁合金等材料的高频感应加热熔化和喷气甩带。介绍了ZRL-005真空熔炼炉的技术指标、工作原理和结构特征,并详细分析了控制系统的硬件及软件设计。     

HPLEC-SI-GaAs单晶炉三温区设计

简要介绍了三温区设计中应该注意的几点事项和关键技术 ,并对该三温区的使用情况作了简单介绍。     

无机及有机高分子材料的热电特性测量

为了发展无污染的热电转换清洁能源,近年来国内外加速对无机和有机热电材料的研究,而对于高阻值无机和有机热电材料的宽温区热电转换性能测试方面,目前很多研究学者仍遇到一些困难。本文论述了最新研制的一种高阻值、宽温区塞贝克系数测量系统,该系统设计制造了具有高真空度和多重电磁屏蔽的真空测试环境,一个高稳定度、高精度的温差控制平台以及在高阻条件下的微弱电压信号检测的电路系统,从而为无机、有机高分子材料薄膜或块状样品提供一种准确、稳定、精度高?操作方便、快速的测量装置,实现温度从低温 80Ｋ到高温大于500Ｋ的宽温区范国内连续变化,可准确测量超高电阻>1012Ω的材料的塞贝克系数。     

七区回流炉在无铅工艺中的应用

介绍了无铅回流焊接设备选择中应考虑的几个重要因素,并通过分析指出:无铅回流焊接工艺中的加热性能以及对负载的补偿能力才是最主要的因素,而不能只把温区的多少作为其选择设备的重要因素.     

NiFeAlO系宽温区热敏元件的研制

研究了在Ｆｅ３Ｏ４中引入ＮｉＯ、Ａｌ２Ｏ３复合陶瓷材料的晶相结构、电阻值－温度特性及热稳定性等。通过对铁离子氧化状态及淬火工艺的调整，可得到性能优良的宽温区热敏元件。     

Nd∶YAG晶体生长温场优化设计

文中提出了晶体生长对温场的要求,分析了温场分布形状对晶体生长和晶体质量的影 响,通过优化温场设计和控制,得到了比较理想且能重复的温场,并在此温场条件下生长出了性能较好的Nd∶YAG晶体。     

基于红外热像的网架焊接空心球节点疲劳试验研究

焊接空心球网架结构被广泛使用在带悬挂吊车的工业厂房中。悬挂吊车带来的往复交变荷载会造成网架焊接节点的疲劳破坏。在焊接空心球节点的疲劳试验过程中,借助红外热像仪记录试件表面的温度,得到了试件表面的温升分布,温升高区位于钢管与焊接球的焊接连接球面焊趾处,此区域对应节点最后的疲劳破坏位置。在疲劳试验过程中,焊趾处的温升高区位置几乎不变,当疲劳裂纹穿透球壁厚时,温升高区的位置发生变化。试验表明:红外热像仪可以实时记录焊接空心球节点试件在疲劳试验过程中表面的温度,通过分析温升高区在没有可见裂纹的情况下就可预测疲劳破坏发生的位置,温升高区位置的变化对应裂纹贯穿球壁时节点试件的疲劳寿命。     

支撑结构对碲锌镉固液界面形状的影响

在晶体生长过程中,固液界面形状与界面附近热流的状态有关。影响固液界面附近热流方向的因素有外部温场分布和材料热导率等。总结了常用的固液界面控制方式,然后采用CGSim温场模拟软件对3种使用不同支撑结构的晶体的生长过程进行了模拟,并对籽晶区以及锥形区内部固液界面的形状进行了对比。结果显示,支撑结构对籽晶区及锥形区内部固液界面的控制影响较大;通过采用合适的支撑结构设计并选取合适材料,同时配合外部温场的调节,能够得到理想的凸形固液界面。     

镓铟砷／铝铟砷 QWLD中俄歇复合及其对T0的影响

修正了现行俄歇复合率的公式，并用之分析了晶格匹配ＧａＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓ异质材料系统在有无量子尺寸效应情况下的俄歇复合随载流子浓度和温度变化的行为。发现其阈值电流密度随温度的变化行为可分为特征温度不同的相邻两个温区，在较高温区，量子尺寸效应作用不大，在较低温区，量子尺寸效应反而降低了Ｔ０，并对此意外的现象提出初步的解释。     

宽温区MOSFET反型层载流子迁移率的模型和测定方法

首先介绍了宽温区 (2 7～ 30 0°C) MOSFET的阈值电压、泄漏电流和漏源电流的特点以及载流子迁移率的高温模型 ;进而给出了室温下 MOSFET反型层载流子迁移率的测定方法 ,最后提出了利用线性区 I- V特性方程测定宽温区 MOSFET反型层载流子迁移率的方法 ,并给出了测试结果     

可逆示温微胶囊的制备及性能研究

采用油相分离法,以示温变色材料CoCl2·6H2O为芯材料,乙基纤维素、聚乙烯为壳材料,Span80为乳化剂,环己烷(HC)为溶剂,制备了可逆示温微胶囊.利用扫描电子显微镜、光学显微镜和热台偏光显微镜对可逆示温微胶囊进行了结构表征与性能分析,对所制备可逆示温微胶囊材料的耐疲劳性、耐溶剂性以及与高分子材料的相容性进行了研究,并重点就可逆示温微胶囊在油墨中的制备工艺、对油墨性能的影响进行了深入的研究与讨论.结果表明,所制备的微胶囊粒径均匀,平均粒径为4.5 μm.所制备的可逆示温丝网油墨具有优良的性能.     

激光溅射淀积Y-Ba-Cu-O超导薄膜

利用准分子激光束辐照Y-Ba-Cu-O超导靶体,使之元素溅射出来,喷到平行于靶面的基片之上而淀积成膜,然后通过适当的退火过程,所制薄膜在液氮温区具有超导性。制取了零电阻温度85K的高温超导薄膜;讨论了淀积条件与退火过程对薄膜超导性能的影响。     

多温区控制系统采样通道的硬件设计

引言目前随着生产水平的提高,单温区系统已经很难满足生产的需要,因此出现多温区系统,如电加热炉、多温区回流焊等。温控系统一般都工作在比较严酷的工业环境,由于采样通道是模拟信号,因此更加易受到电磁辐射、静电、网压波动等干扰,多温区控制     

腐蚀气氛下高温气氛保护窑加热元件的选用与分析

加热元件的选取要遵“环境～体系”原则,综合考虑窑炉各温区温度、气氛及腐蚀介质对加热元件的影响,选出最适应各个温度区、气氛场及腐蚀介质的加热元件,以保证高温气氛窑正常运行,使加热元件有良好的使用寿命和最低的经济支出。本文对某高温气氛保护窑不同温区的加热元件的选取,并对不同温区加热元件损毁机理进行分析。     

分析扫描电子显微学对Y_1Ba_2Cu_3O_(7-δ)系氧化物超导体的研究

对Y_1Ba_2Cu_3O_(7-δ)系氧化物超导体进行了室温和液氮温区的形貌分析,初次应用LTSEM法识别样品的超导颗粒或晶粒区,获得超导颗粒的形貌象。对样品的微束分析表明,液氮温区Meissner效应的强弱直接与样品化学组分配比及其均匀性有关。