超薄硅双面抛光片抛光工艺技术

MEMS器件、保护电路、空间太阳电池等的制作需要使用硅双面抛光片,并且要求抛光片的厚度很薄,传统的硅抛光片加工工艺已经不能满足这一要求.介绍了一种用于超薄硅单晶双面抛光片加工的抛光工艺方法.通过对硅片抛光机理[1],抛光方式、抛光工艺的研究和对抛光工艺试验结果的分析,解决了超薄硅单晶双面抛光片在加工过程中碎片率高、抛光...     

微通道板双面抛光技术

基于微通道板皮料、芯料、实体边玻璃材料的特点,分析了微通道板的双面抛光机理,研究了抛光工艺参数(抛光粉、抛光压力、抛光液pH值等)对MCP平面粗糙度、表面质量的影响,提出了微通道板的抛光工艺及参数:抛光粉应选择莫氏硬度为6、粒度为1.5μm的CeO2;抛光压力和时间按照特定的台阶式工艺进行.抛光液的pH值对MCP表面粗糙度有较明显的影响,pH值会随抛光时间延长而升高,宜控制在6～8.     

微通道板双面抛光过程材料去除特性研究

材料去除率是表征双面抛光加工效率的重要参数,也是影响工件表面质量的关键因素。基于双面抛光加工中工件运动过程的分析,通过向量法构建了工件上任一点的运动轨迹及其相对速度的数学模型。运用Preston模型,建立双面抛光过程中材料去除特性方程,并辅助计算机软件模拟了不同工艺条件下的材料去除特性。最后,通过微通道板的双面抛光实验,研究了不同工艺参数下的材料去除量,验证了理论模拟的正确性。     

红外光学用Ge双面抛光片抛光工艺条件研究

分析了不同抛光条件下,Ge双面抛光片的表面状况,通过抛光压力、抛光液中氧化荆的比例、抛光机转速和转速比等条件的改变,阐述了这些因素对抛光速率、抛光片正反面质量的影响,得到了相应的关系图表.根据实验结果,确定了Ge双面抛光工艺条件,采用该工艺条件对Ge片进行双面抛光,抛光片的几何参数指标和表面质量均能满足红外光学应用对抛光片的要求.     

超薄硅片贴膜抛光技术研究

伴随着集成电路芯片的不断轻薄化,各种高质量的超薄抛光片衬底需求日益增加.介绍了一种简捷、方便的手动贴膜方法,并将其应用在200μm厚7.6 cm硅单晶免清洗单面抛光片加工过程中,通过与粘蜡抛光相比较,发现贴膜抛光实用性更强、成品率更高且成本更低.     

超薄硅双面抛光片加工效率的提升

用于5G通信芯片支撑层的超薄硅双面抛光片的生产是一个需要攻克的难题。该产品的技术难点在于,硅片厚度低至100μm,薄如纸张,采用传统粘蜡抛光工艺,加工效率极低且碎片率极高,同时硅片几何参数无法保证,成品率较低。由于磨削工艺可有效减少硅片表面的损伤层、改善几何参数,所以针对超薄硅片的加工,采用贴膜抛光工艺可以保证抛光的效率和成品率。在硅片腐蚀后采用磨削+贴膜抛光的工艺,解决了超薄硅双抛片加工效率低、碎片率高、几何参数难以保证、成品率低的问题。     

全息光学元件的光线追迹

推导了适合于光学设计／评价程序编程的复杂全息光学元件的光线追迹公式和算法，复杂全息光学元件指记录波前为非球面和面形亦为非球面。     

大口径光学元件波前调制的PSD模拟分析

PSD(Power Spectral Density)作为一种新型、有效的评价参数已被广泛用于大口径光学元件表面加工质量评价.由于它具有在频域内对波前畸变进行描述的功能,使得在不同频率范围内对波前畸变分别进行分析成为可能,进而可以更有针对性的对中频波前畸变(造成小尺度自聚焦这类非线性危害的主要畸变频段)进行有效的控制.本文利用PSD的频谱描述功能对其进行了较深入的分析、运算,对高功率激光系统的激光波前以及不同的调制情况进行了初步的模拟计算.分别得到了不同调制频率和不同调制深度情况下的PSD曲线及其变化规律,初步明晰了PSD曲线对不同调制频率信息和不同调制深度信息的响应情况.(OH17)     

300 mm硅片双面抛光过程数学模拟及分析

建立了双面抛光过程中硅片表面上的一点相对于抛光布的运动模型;利用数学软件,模拟出不同速度下的运动轨迹.轨迹和实验结果表明,在其他双面抛光工艺不变的情况下,改变抛光机四个部分的转速,对硅片表面的平整度有很大的影响,特别是边缘部分的局部平整度.优化四个转速,可以显著改善300 mm硅片表面的平整度和局部平整度.     

晶片双面磨抛压力控制系统的研究

晶片双面磨抛设备主要用于双面磨抛晶片,其压力控制的精度、速度以及稳定性是影响晶片磨抛质量和磨抛效率的关键性指标,为了满足双面磨抛设备对压力的控制要求,设计了闭环压力控制系统,通过动态调整控制参数实现了对压力的精确控制.     

基于均匀化激光双面辐照的热力耦合测试方法研究

为了研究以激光为热源开展材料高温力学性能测试的可行性,建立理论模型与数值模型,分析了材料在双面均匀激光光斑加热下的表面及内部温升。结果表明,理想情况下采用均匀化激光双面辐照的加热方式可以在试件加热区域内形成较均匀的温度场。为验证上述结论,建立了光斑匀化度达92%的激光双面辐照热力耦合测试试验平台,并基于相关测试方法获取了传统加热方式难以快速加热的CFRP层合板高温拉伸强度。结果表明,试件在激光加热中心测试区域(10 mm×10 mm)内的温度均匀性良好。试件在均匀化激光双面辐照下可被快速加热至923℃,测试区域内的最大温度波动为6.8%。文中提出的基于均匀化激光双面辐照的热力耦合测试方法相比传统测试方法具有通用性好、温升率高、测试温度高、测试效率高等一系列的优点。该研究可为进一步研制通用型材料/结构高温升率、高温力学性能试验系统提供关键技术支撑。     

180/spl deg/out-of-phase power divider based on double-sided parallel striplines

A novel 180deg out-of-phase power divider based on double-sided parallel striplines (DSPSL) is proposed. The proposed power divider has a relative bandwidth of about 100%. The 180deg out-of-phase characteristic between the two output ports is frequency independent, which is suitable for various applications of wide bandwidth. In addition, the characteristic impedance of the transmission lines for the input and output is 50 Omega, and it allows easy integration with other microwave components. The proposed power divider has been demonstrated and verified. The experimental results are presented and show good performance     

Material removal rate in chemical-mechanical polishing of wafers based on particle trajectories

Distribution forms of abrasives in the chemical mechanical polishing (CMP) process are analyzed based on experimental results.Then the relationships between the wafer,the abrasive and the polishing pad are analyzed based on kinematics and contact mechanics.According to the track length of abrasives on the wafer surface,the relationships between the material removal rate and the polishing velocity are obtained.The analysis results are in accord with the experimental results.The conclusion provides a theoretical guide for further understanding the material removal mechanism of wafers in CMP.     

化学机械抛光的钛宝石晶体低损伤加工

针对钛宝石晶体表面低损伤加工进行了系统研究,在CCOS数控小磨头抛光机上进行了正交实验,选用不同的抛光液对钛宝石进行化学机械抛光,有效去除精磨阶段的亚表面损伤,实验证明SiO2硅溶液作为磨料的抛光效果好,适合作为钛宝石加工的抛光液。研究了抛光盘种类、抛光盘压力、抛光盘速度、硅溶胶稀释浓度这四个因素和钛宝石晶体表面粗糙度和表面疵病的关系,并获得钛宝石低缺陷加工过程中工艺参数的影响规律。按照优化后的工艺参数进行实验,获得了低缺陷、高精度的钛宝石表面。运用灰色关联分析法对抛光参数进行优化,在最佳加工工艺组合条件下,得到钛宝石表面粗糙度为0.262 nm,表面疵病率为1.410-3 mm-1。     

基于磨粒运动轨迹的硅片化学机械抛光材料去率研究

硅片化学机械抛光（CMP）是机械作用与化学作用相结合的技术,硅片表面的化学反应层主要是由抛光液中磨料的机械作用去除,磨粒对硅片表面的摩擦和划擦对硅片表面材料的去除起着重要作用。磨粒在硅片表面上的划痕长度直接影响硅片表面的材料去除率。本文首先在实验结果的基础上分析了硅片CMP过程中磨粒的分布形式,然后根据运动学和接触力学理论,分析了硅片、磨粒及抛光垫三者之间的运动关系,根据磨粒在硅片表面上的运动轨迹长度,得出了材料去除率与抛光速度之间的关系,该分析结果与实验结果一致,研究结果可为进一步理解硅片CMP的材料去除机理提供理论指导。     

基于Kahan方法的磁流变抛光凸元件几何特性分析北大核心CSCD

凸光学元件在磁流变抛光区域的几何特性对制造高精度、高表面完整性光学元件有重要影响,凸光学元件曲率、嵌入深度与角度的变化将引起磁流变抛光区域压力场的变化。为了研究凸光学元件不同的曲率、嵌入深度与嵌入角度下抛光区域的压力场,首先通过建立磁流变抛光过程中压力模型,对抛光区域的压力进行分析;其次基于Kahan数值方法建立了多场耦合积分的快速计算方法。最后,计算凸光学元件在不同曲率、嵌入深度及角度下得到磁流变抛光区域压力场分布,研究凸元件在磁流变抛光区域受几何特性影响的工艺规律;得出结论:在磁流变抛光过程中通过改变凸光学元件曲率、相同曲率下的嵌入深度以及角度的情况下,当加工凸元件曲率增大时,磁流变抛光区域压力场会随之增大;当凸元件曲率一定、嵌入深度逐渐变深时,磁流变抛光区域压力场会增大;当凸元件曲率一定、嵌入角度增加时,磁流变抛光区域压力场会随角度先增大再减小。     

基于神经网络的机器人抛光材料去除提升模型

提出了一种基于深度神经网络的提高材料去除模型精度的策略。提出一种具有特征选择能力的深度学习算法。在机器人抛光的材料去除率模型的基础上,生成由材料去除率和相应的抛光参数组成的一系列仿真样本。深度学习算法学习了仿真样本和实际样本,建立了深度学习模型。通过使用所提出的深度学习模型,根据抛光参数,估测测试样本的材料去除深度,并计算估测了测试样本的材料去除深度与实际的测试样本的材料去除深度之间的误差。结果表明:改进后的模型可以获得比传统模型更高的精度。     

The breakdown voltage of double-sided p-n junctions

The avalanche breakdown voltage of an abrupt double-sided junction is a function only of Neff(the doping obtained from capacitance-voltage analysis) in a material in which the ionization rates for electrons and holes are equal or maintain a constant ratio. This doping parameter, together with the published breakdown voltage data for single-sided junctions, immediately gives the breakdown voltage of the more complex structure.     

A novel polishing technology for epoxy resin based on 355 nm UV laser

The electromagnetic shielding film has drawn much attention due to its wide applications in the integrated circuit package, which demands a high surface quality of epoxy resin. However, gaseous Cu will splash and adhere to epoxy resin surface when the Cu layer in PCB receives enough energy in the process of laser cutting, which has a negative effect on the quality of the shielding film. Laser polishing technology can solve this problem and it can effectively improve the quality of epoxy resin surface. The paper studies the mechanism of Cu powder spraying on the compound surface by 355 nm ultraviolet (UV) laser, including the parameters of laser polishing process and the remains of Cu content on compound surface. The results show that minimal Cu content can be realized with a scanning speed of 700 mm/s, a laser frequency of 50 kHz and the distance between laser focus and product top surface of -1.3 mm. This result is important to obtain an epoxy resin surface with high quality.     

Design of transparent broadband double-sided absorbing metamaterial

By designing the ordered structure on the key physical dimensions, metamaterial can obtain extraordinary physical properties. The method gives transparent conductive absorbing metamaterial with broadband and high absorptivity. In this paper, a kind of absorbing metamaterial with indium tin oxide (ITO) glass substrate is designed. The design method of double-sided etched an open loop and linear metamaterial periodic structures is adopted. The thickness of the absorbing metamaterial is 2.5 mm. The research shows that the working bandwidth is between 8.9 GHz and 17.4 GHz, the absorption rate is 90%, and the transmittance of visible light is 85% on average. The absorbing metamaterial has wide application value to solve the problem of visualization and absorption characteristics.