用双温点立式炉烧成高性能PTCR陶瓷的工艺

以程控交换机过电流保护用高性能陶瓷ＰＴＣＲ元件作烧成对象，研究了应用自动连续式高温电阻炉对高性能陶瓷ＰＴＣＲ元件实施规模生产的工艺。调整双温点自动高温电阻立式炉的温度和下降传动速度可方便地得到合理的烧成曲线，改善ＰＴＣＲ材料的性能参数，并保证高的成品率和性能一致性。     

新型便携式数据采集分析仪的研制（上）

本文阐述了新型便携式汽车试验数据采集分析处理仪的系统设计方案和实现方法.在系统研制工作过程中,创造性地采用笔记本计算机打印并行口作为数据采集系统总线;可直接使用各种具有EPP接口的笔记本计算机作为系统主控机.它可作为一个通用的数据采集平台,完成汽车的道路性能试验以及室内台架等现场试验的数据采集和分析处理.     

新型便携式数据采集分析仪的研制(下)

本文阐述了新型便携式汽车试验数据采集分析处理仪的系统设计方案和实现方法.在系统研制工作过程中.创造性地采用笔记本计算机打印并行口作为数据采集系统总线;可直接使用各种具有EPP接口的笔记本计算机作为系统主控机.它可作为一个通用的数据采集平台,完成汽车的道路性能试验以及室内台架等现场试验的数据采集和分析处理.     

新型便携式数据采集分析仪的研制(下)

本文阐述了新型便携式汽车试验数据采集分析处理仪的系统设计方案和实现方法.在系统研制工作过程中.创造性地采用笔记本计算机打印并行口作为数据采集系统总线;可直接使用各种具有EPP接口的笔记本计算机作为系统主控机.它可作为一个通用的数据采集平台,完成汽车的道路性能试验以及室内台架等现场试验的数据采集和分析处理.     

用HREELS和UPS研究多孔硅的电子结构

使用高分辨电子能量损失谱(HREELS)和紫外光电子能谱(UPS)研究了新腐蚀的多孔硅(PS)样品的电子结构。实验结果表明,从HREELS谱中能量损失阚值测得的PS的能隙移到2．9eV,与文献报道的光激发谱(PLE)结果相近。UPS结果表明PS的费米能级到价带顶的距离不同于单晶Si。结合HREELS和UPS结果可以初步得出PS与Si界面的能带排列。     

用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜

提出在单片微波集成电路(MMIC)中用多孔硅/氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜.研究了厚度为70μm的多孔硅/氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成,这层厚膜增加了衬底的电阻率,减少了微波的有效介质损耗.通过测量在低阻硅衬底上形成的氧化多孔硅厚膜上的共平面波导的微波特性,证明了在低阻硅衬底上用厚膜氧化多孔硅可以提高共平面传输线(CPW)的微波特性.     

用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜

提出在单片微波集成电路(MMIC)中用多孔硅/氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜.研究了厚度为70μm的多孔硅/氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成,这层厚膜增加了衬底的电阻率,减少了微波的有效介质损耗.通过测量在低阻硅衬底上形成的氧化多孔硅厚膜上的共平面波导的微波特性,证明了在低阻硅衬底上用厚膜氧化多孔硅可以提高共平面传输线(CPW)的微波特性.     

用过氧化氢后处理多孔硅厚膜的一种新技术

提出使用过氧化氢后处理多孔硅厚膜.在乙醇、氢氟酸、过氧化氢溶液中,多孔硅样片做阴极施加电流密度为10mA/cm2,希望通过后处理增强多孔硅表面的稳定性、光滑度和机械强度.研究了厚度为20μm和70μm的多孔硅厚膜经过过氧化氢处理后的微结构.扫描电镜图显示经过过氧化氢处理后的多孔硅厚膜表面的光滑度有极大的提高,X光衍射光谱揭示经过过氧化氢后处理后多孔硅表面形成了一层氧化膜.     

用过氧化氢后处理多孔硅厚膜的一种新技术

提出使用过氧化氢后处理多孔硅厚膜.在乙醇、氢氟酸、过氧化氢溶液中,多孔硅样片做阴极施加电流密度为10 m A/cm2 ,希望通过后处理增强多孔硅表面的稳定性、光滑度和机械强度.研究了厚度为2 0 μm和70 μm的多孔硅厚膜经过过氧化氢处理后的微结构.扫描电镜图显示经过过氧化氢处理后的多孔硅厚膜表面的光滑度有极大的提高,X光衍射光谱揭示经过过氧化氢后处理后多孔硅表面形成了一层氧化膜     

新型湿法氧化对多孔硅发光强度的影响

在适当条件下氧化多孔硅是提高多孔硅发光强度的良好途径。首次采用含CH3CSNH2的HF酸水溶液作为氧化剂对初始多孔硅进行了湿法阳极氧化,大大改善了多孔硅的发光强度,并研究了氧化电流密度、氧化温度、氧化时间等一系列因素对氧化多孔硅光致发光强度的影响。实验发现,在电流密度1mA/cm^2,氧化液温度60℃,氧化时间为10min的条件下,可以获得最强光致发光;在此最优条件下得到的氧化样品较初始样品发光增强了18倍。     

电子陶瓷用的几种新型烧结设备

介绍了用于电子陶瓷材料与元件烧结的几种新型间隙式烧结炉和连续式烧结炉。评述了两种型号的钟罩炉以及宽窑腔空气窑和全密封高温氮气氛保护窑的结构特点和性能指标,并对其进一步改进提出了自己的看法。     

超级电容器用NiO多孔薄膜电极材料的研究进展

超级电容器是一类新型绿色储能器件,特别适合在有高功率密度需求场合下使用,具有极其广阔的应用前景.NiO因价廉、来源广泛、环境友好和电化学性能优良等优点而成为备受青睐的超级电容器用正极材料.综述了国内外有关NiO多孔薄膜电极材料制备方法的最新研究进展,归纳了提高和改善其电化学性能尤其是在大电流密度工作条件下电化学电容行为的方法,最后对这一领域未来的研究热点和发展方向进行了展望.     

用化学镀改善多孔硅的金半接触质量

多孔硅是一种具有优良光吸收特性的表面微结构材料,在光电探测器和太阳能光伏电池领域具有良好的应用前景。为了改善金属/多孔硅电接触质量,通过电化学腐蚀制备多孔硅,对比研究了化学镀与物理气相沉积(热蒸发、磁控溅射)工艺制备出的金属电极界面结构,测试了相应I-V特性,并讨论了快速退火对金半接触质量的影响。研究结果表明,用化学镀工艺在多孔硅表面制备金属电极,经快速退火处理后,能得到较低比接触电阻(10-1Ω·cm2)的欧姆电接触。     

适用于高品质射频集成电感的多孔硅新型衬底制备技术

提出了背向选区腐蚀生长多孔硅的集成电感衬底结构.ASITIC模拟证明,该新型衬底结构的集成电感在高频下仍具有较高的品质因子.采用此工艺,在固定腐蚀液配比的条件下,变化电流密度和阳极氧化时间,制备出了高质量的厚膜多孔硅,并测量了多孔硅的生长厚度、孔径大小和表面形貌,得出了多孔硅生长速率随阳极氧化时间和电流密度的变化关系,为背向选区腐蚀工艺制备高品质硅基集成电感奠定了理论和实验基础.     

适用于高品质射频集成电感的多孔硅新型衬底制备技术

提出了背向选区腐蚀生长多孔硅的集成电感衬底结构．ASITIC模拟证明，该新型衬底结构的集成电感在高频下仍具有较高的品质因子．采用此工艺，在固定腐蚀液配比的条件下，变化电流密度和阳极氧化时间,制备出了高质量的厚膜多孔硅，并测量了多孔硅的生长厚度、孔径大小和表面形貌，得出了多孔硅生长速率随阳极氧化时间和电流密度的变化关系，为背向选区腐蚀工艺制备高品质硅基集成电感奠定了理论和实验基础．     

ADI推出便携式超声医疗诊断设备用新型芯片

ADI公司近日推出的一种新型芯片AD9271,使便携式超声医疗诊断设备可以提供优质图像,满足便利性和高性能的要求。作为信号处理应用全球领先的高性能半导体供应商以及数据转换技术的佼佼者,ADI公司是医疗影像设备制造商众所周知的创新者与战略供应商。AD9271在单一芯片上集成了完     

限流用BaTiO3系PTC陶瓷的制备及影响因素

介绍了以钛酸四丁酯和自制高纯醋酸钡为主要原料,采用溶胶–凝胶一步法(sol-gel)制备限流用BaTiO3系PTC陶瓷材料的工艺路线,用正交实验法研究了Ti/Ba,Pb,Ca,Y,Mn等组分因素对PTC陶瓷材料性能的影响。优化确定了PTC陶瓷材料的较佳组成。在基方固溶体化学组成,原材料选择和复合添加物的改性,特别是烧结工艺等方面做了细致的工作。最终获得了居里温度(tC)100℃,室温电阻率(r25) ≤20 ·cm,升阻比(Rmax / Rmin)>105,温度系数(aR)≥15% /℃,耐电压(Vb)≥190 V·mm1的PTC陶瓷材料。