硫酸盐类晶体中[SO4]2-四面体的结晶方位与晶体的形貌

本文从硫酸盐类晶体中负离子配位多面体的结和相互联结的稳定性出发，探讨了硫酸在晶体中「ＳＯ４」＾２－结晶方位与晶体结晶形貌之间的关系；认为「ＳＯ４」＾２－四面体与金属阳离子结合时，由于晶体结构和生长条件（如温度、过饱和度等）的不同，在晶体各族晶面上的叠合速率和取向不同，晶体的结晶形貌迥然有别。晶体的结晶形貌与「ＳＯ４」＾２－四面体在晶体中的结晶方位一密切相关，四面体的面和棱的法线（Ｌ＾２）所对向的对     

硅酸铋晶体的蚀像形貌

本文研究了提拉法生长的硅酸铋晶体(BSO)的蚀像形貌,比较了{100},{110},{211},{111}面族的腐蚀像特征和腐蚀速度,并用周期性键链(PBC)的形貌理论分析了腐蚀形貌。通过蚀像形貌特征便可方便地进行晶体定向,准确地确定各族晶面之间的相对位置和极轴的方向等。     

温度梯度法合成金刚石大单晶的研究进展

介绍了金刚石大单晶的温度梯度法合成技术,详细综述了影响金刚石晶体形貌、晶体品质以及生长速度等相关因素的最新进展,简要叙述了掺杂对金刚石晶体晶形、性能的影响,最后指出了温度梯度法合成金刚石大单晶的发展方向。     

光电功能晶体材料研究进展

光电功能晶体,包括激光晶体、非线性光学晶体、电光晶体、介电体超晶格、闪烁晶体和PMN-PT驰豫电单晶等,在高技术发展中具有不可替代的重要作用。近年来,我国在这些重要晶体材料的生长、基础研究和应用方面都获得了很大成绩。综述了光电功能晶体材料研究和应用的部分进展。在此基础上,提出进一步发展晶体理论,扩大理论的应用范围,注重晶体生长基本理论研究,发展新的晶体生长方法和技术,加强晶体生长设备研制,加强晶体从原料到加工、后处理、检测及镀膜等全过程的结合等建议,以全面提高我国光电功能晶体研究发展及其产业化水平。     

ZrO_2纳米晶体形貌模拟及其最佳纳米尺度计算

采用量子化学计算软件Material Studio的Morphology模块BFDH法则模拟了四方氧化锆晶体生长稳定外形,并采用Castep模块的平面波基赝势法计算了ZrO2稳定外显的(101)、(110)、(002)面电子密度分布,以晶体模拟形貌像为基础,运用纳米计算方法通过对氧化锆不同纳米微粒总晶胞数、总原子数、表层活性原子及表层活性原子比例的计算,从晶体学理论角度确定了氧化锆纳米微粒的最佳纳米尺度为120nm。     

对流效应和溶质浓度对KNbO3晶体界面形貌稳定性的影响

研究了在不同对流形态对KNbO3晶体生长形貌的影响。在温度梯度较小的扩散-平流区域,晶体以枝蔓晶的形态生长;而在温度梯度的较大的扩散-对流区域,生长出的晶体呈现光滑晶面。通过测定不同区域KNbO3晶体界面附近的溶质浓度分布,从对流效应降低晶体界面附近的溶质浓度分布的不均匀性的角度研究了对流效应对晶体界面形貌稳定性的影响,证明对流效应提高了晶体界面形貌稳定性,与晶体界面弥散度的理论计算相一致。同时解释了扩散-对流区域的晶体尺寸大于扩散-平流区域的晶体尺寸的原因。观察并定性地解释了不同溶质浓度KNbO3形成不同的界面非稳定形貌,当KNbO3重量百分比为20wt%时形成骸晶,30wt%时形成枝蔓晶。     

高温闪烁晶体Ce:YAP中的小角度晶界

通过腐蚀形貌和XRD摇摆曲线,观察到了垂直和平行于Ce:YAP[010]方向的两组晶面内存在的小角度晶界(镶嵌结构间界),根据SEM形貌估算出(010)面内小角晶界的夹角为51”;四晶XRD摇摆曲线的结果表明,平行于[010]向的晶面内小角晶界的夹角为58”;摇摆曲线的半峰宽为54”,根据Darwin理论算出理想晶体的半峰宽为17”,并由此分析了晶体的完整性.     

结晶温度对左旋聚乳酸的晶体改性和晶体形貌的影响

以左旋聚乳酸(PLLA)为原料,制备了无定型PLLA膜及无定型PLLA在不同温度下等温结晶的样品。利用红外光谱(FT-IR)、X射线衍射(XRD)和偏光显微镜(POM)分析了结晶温度的改变对PLLA样品的晶体改性及晶体形貌的影响。研究结果表明,结晶温度的改变对PLLA样品的晶体结构、晶型转变及晶粒形貌特征产生了较大的影响。当结晶温度低于100℃时,PLLA主要以无序的α’-晶型存在;随着结晶温度的增加,PLLA的晶体结构和晶型开始转变,当结晶温度超过120℃后,PLLA主要以α-晶型的形式存在;而当结晶温度在100～120℃范围内,则形成的是α’-与α-晶型PLLA的混合形式存在。另一方面,POM照片测试结果表明,随着结晶温度的升高,PLLA的晶体形貌发生了改变,晶粒尺寸随温度的增加而增加,结晶速度增加,晶粒数量减少,PLLA晶体由α’-向α-晶型发生了转变。     

TeO2晶体位错腐蚀形貌与晶体对称性

用化学腐蚀的方法研究TeO2晶体(110)面和(001)面位错蚀坑的形貌，结合晶面极图，并运用对称群理论进行分析论证，理论分析与实验结果相一致．实验结果同时显示，TeO2晶体位错腐蚀坑面由{110}面族构成，即{110}面族是晶体的习性面．     

同步辐射形貌分析旋转单晶中缺陷取向的计算

在利用同步辐射进行晶体缺陷的形貌研究时,为了获得晶体缺陷的三维分布信息,在实验中样品要在样品台上沿不同方向旋转轴进行多次旋转,因而需要计算样品经过多次旋转后任意矢量的空间坐标以及缺陷的取向坐标。根据齐次坐标理论导出了单晶体绕样品台任意直线旋转任意角度后晶体中矢量坐标的计算公式,并以晶体同步辐射形貌分析的实例说明了如何利用此公式进行矢量计算。     

鸵岛蛋壳的微结构研究

用Ｘ射线衍射分析、扫描电镜及透射电镜对鸵鸟蛋壳的晶体结构进行了研究。观察了蛋壳晶体形貌、晶体取向、晶粒尺寸和相邻晶粒的取向关系。发现蛋壳内晶粒存在的择优取向，用取向畸结构解释了蛋壳内存在的择优取向。用扫描电子显微镜观察了蛋壳内有机介质和无机相的形貌。     

在硅衬底(111)上稀土掺杂氧化锌晶体的水热法制备及表征

利用水热法在Si(111)衬底上生长ZnO晶体及稀土掺杂ZnO晶体,并对比考察了它们的电学、光致发光性质.首先采用水热腐蚀法对Si(111)衬底进行预处理,再用水热法在预处理过的Si(111)衬底上制备ZnO晶体或稀土掺杂ZnO晶体,采用XRD、SEM研究了ZnO样品的相结构、表面形貌,结果表明在Si(111)衬底上ZnO样品是棒状的六方柱体,测试了样品的室温光致发光光谱(PL)和伏安特性曲线(I-V曲线),发现ZnO或稀土掺杂ZnO样品分别在466nm、510nm出现较强的发射峰,2个样品都具有类似二极管的整流特性.     

添加剂对纳米AlOOH晶体生长形态的影响

采用多种添加剂,通过控制添加的剂量,实现了片状、须状、块粒状纳米AlOOH在中性环境下的可控制备,打破了原来的必须在酸性环境下制备纳米AlOOH晶须,以及在碱性环境下制备片状纳米AlOOH的常规,建立了中性环境制备各种形貌的纳米AlOOH的新方法。用扫描电镜、透射电镜以及X射线衍射仪,分析了实验样品的形貌特点和晶体结构特点。运用结晶动力学理论解释了AlOOH晶体生长取向及晶体生长形态聚集方式,揭示了晶体的最终形貌与生长过程中的生长基元的内在联系。     

钨酸盐晶体中负离子配位多面体的结晶方位与晶体的形貌

钨酸盐类晶体是重要的闪烁晶体．本文从钨酸盐类晶体中负离子配位多面体的结晶方位和相互联结的稳定性出发，探讨了钨酸盐类晶体中[WO4]2-等负离子配位多面体的结晶方位与晶体结晶形貌之间的关系；认为[WO4]2-四面体与金属阳离子（Ca2＋，Pb2＋，Zn2＋）结合时，由于晶体结构和生长条件（如籽晶取向等）的不同，在晶体各族晶面上的叠合速率和结构取向不同，晶体的结晶形貌迥然有别；四面体的面和梭的法线（L2）所对向的晶面，生长速率慢，顽强显露，均属晶体的板面；四面体的顶角所指向的晶面，生长速率快，显露面积小，经常消失．由此可以合理解释钨酸铅等闪烁晶体的生长特征．最后对ABO4型晶体的结构及习性特征进行了总结归纳．     

聚苯乙烯磺酸钠/L-谷氨酸协同作用下新型碳酸钙微球的简易合成

聚苯乙烯磺酸钠(PSSS)/L-谷氨酸(L-Glu)二元体系中,利用缓慢扩散的CO2与在有机_无机界面上富集的钙离子相结合,合成了碳酸钙微球.实验表明,PSSS/L_Glu浓度比对碳酸钙晶体的形貌和晶型有着重要影响.通过改变实验条件,还得到了菱形和立方形晶体.取向聚积理论很好地解释了微球晶体的形成.PSSS/L-Glu间的协同作用在晶体化过程中发挥着重要作用.通过X射线粉末衍射仪、透射电镜、扫描电子显微镜等分析手段对产物进行了表征.     

纳米级类骨磷灰石晶体的研制

用一种新的方法制备了纳米级磷灰石晶体。用等离子发射光谱(ICP)检测此磷灰石晶体中钠离子(Na^ )的含量,用红外(IR)、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)分析和表征了纳米磷灰石晶体的组成、结构、结晶度和形貌。结果表明此纳米磷灰石晶体有与自然骨磷灰石晶体十分类似的组成、结构、结晶度和形貌,同样含有碳酸根、磷酸氢根和钠离子。     

无压烧结合成纯Ti3SiC2及其晶体生长机理

在1400℃,用Ti,Si,C,Al,NaCl原料,氩气保护下无压烧结合成出纯净的、层状的Ti3SiC2陶瓷。用X射线衍射、扫描电子显微镜,透射电子显微镜对Ti3SiC2陶瓷的物相、表面形貌、微观结构进行表征。对合成出的Ti3SiC2陶瓷的微观形貌进行观察,发现Ti3SiC2晶体中有规整的六方形状的层状晶体,提出了Ti3SiC2晶体的自由生长的机理。Ti3SiC2晶体的生长机理由二维成核理论控制,台阶状晶体生长的形貌表明(002)晶面的生长要经过两个独立的过程。添加NaCl,有助于生成高纯度的层状Ti3SiC2陶瓷。     

漂浮法制备高质量胶体晶体

采用漂浮自组装法制备出三维胶体晶体,并通过扫描电子显微镜对胶体晶体进行表征,观察并分析胶体晶体的形貌和结构。实验分别考察了各种因素(粒子种类、颗粒粒径、温度及固含量)对胶体晶体的形貌和结构的影响。结果表明,用漂浮法制得的聚苯乙烯(PS)胶体晶体比相同条件下SiO2胶体晶体排列更加有序,该法的最佳适用粒径为150 nm～500 nm,在特定温度(60℃～90℃)和固含量范围内均能在气液界面处自组装出大面积的三维有序胶体晶体。     

若干晶体中氧八面体结晶方位与晶体形貌

本文从结晶化学角度出发，研究了ＡＢ和Ａ２Ｂ３和ＡＢＯ３型氧化物晶体中的氧配位八面体的结晶方位与晶体结晶形貌之间的关系，提出晶体的结晶形貌是受晶体中负离子配位多面体结构和结晶方位所制约的。配位多面体顶角所对向的晶面生长速率最快，而面所对向的晶面生长速率最慢，配位体的棱所对向的晶面，生长速率居于两者之间，负离子配位多面体在晶体中的各个面族上连接和稳定性，决定了晶面的显露程度和晶体的结晶形貌。     

气化法制备二氧化锡纳米粉末结晶机理研究

利用透射电子显微镜(TEM)对气化法制备的纳米SnO2粉末的形貌进行了观察,并对纳米颗粒的结晶机理及各种形貌的形成机制进行了分析.TEM结果表明,纳米二氧化锡粉末绝大部分呈类球状,少量呈针棒状、板片状、矩形及六边形等多面体形貌,这些晶体形貌的形成与氧化过程,内壁摩擦力和高速气流等因素有关.