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一、红外技术材料 354 Cd_xHg_(1-x)Te单晶的非平衡载流子寿命 Lifetime of nonequilibrium carriers in single crystals of Cd_xHg_(1-x)Te,E.E.Vdovkina et al.,Inorg.Mater.,1973,vol.9,№1,PP.115-116. 介绍对Cd_xHg_(1-x)Te(x≈0.2)单晶非平衡载流子寿命的研究结果。     

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一、激光技术 一07 .d:丫A。滋光材料中受热引妞的造幼作用 T比rmal Iensing in Nd:YAG laser洲x], w .Koechner,Appl.Optics,vol.9 no.11,PP. 2548一2553,Ndy.1970. 在光泵的作用下,Nd.YAG棒成为具有两个聚焦长度的正性透镜。 .08接路甸Al几离.能滋光材料 Chrom泛um do,刃GdA10:high energy stora小laser roaterlal,R.C.Ohlr口ann and R .Majelsky,US Pat.3550033. ,09“千冷”的离功卒忆铝石描石滋光研究 In search ofa,elean,high power vAG, J .D.F佣ter and L.M.Osterink,J.APPI. Phys.,vol.41,p.3656,A昭.1970. 研…     

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一、激光技术激光器件326 敏化YAG:Ho~(3+)在2.1微米的激光输出功率20瓦及效率4％2.1-μm laser of 20-W output powerand 4-percent efficiency from Ho~(3+) in sen-sitized YAG,D.P.Devor et al.,IEEE J.Quantum Electronics,1972,Vol.QE-8,No.2,pp.231-234.液氮温度下,用Er~(3+)-Tm~(3+)敏化的YAG,通过Ho~(3+)的2.1微米跃迁获得了目前所报导的最有效的灯抽运激光。当采用碘钨抽运灯时,得到的多模连续输出为20瓦,效率达4％,在1％时得到TEM_(00)模5瓦。[平]327 有效的纵向单模Nd:YAG激光器Efficient Single-longitudinal-mode Nd:YAG laser,D.A.Draert,IEEE J.Quan-     

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样品分别采用固态再结晶法、外延和气相生长法制作。样品在用电于、γ射线和中子辐射照射前、照射的和照射后以及随后的等时退火中进行了电和光学性能测量。     

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一、激光技术材料 钧1混合晶休中Er卜离子的光谱 C二eKTP。二ooa卜Er3‘B eMeoan。二x:PocTa- 刀刀ax,H .B.An3en6ePrH八P,O几T“Ka H eneKT一 PoeRonz只,1975,ToM36,恤6,eTp.,1144一1147. 报道掺Er30.1?l一二Sf二FZ馄合晶体的荧光光谱研究结果。讨沦了激活离子在晶格内的可能变化。 492偏二硝基苯晶体中二次谐波发生 Fe且epa双“只BTopo北’onTH从eeKon一rapMonHKH];KpHeTa几几x MeTa一江“HH:po6eH3o刀a,r.C.Be月H-皿KoBa“江p.,OnTHKa H Cne从TpoeRon班只,1975, ToM 35,纯4,eTp.779一780. 测定了偏二硝基苯…     

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红外技术红外材料 121 气体处理对PbS电和光电参数温度系数的影响 1971,7,65-66. PbS多晶膜的电和光电性能在很大程度上是取决于它在某些气体中甚至在室温下的处理。本文研     

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一、红外技术 871 PbSnTe探测器制造工艺评价 Evaluation of PbsnTe detector fabrication procedures,R.E.Longshore,1973 Inter.Elect.Devices Meeting Tech.Dig.,p.266-8. 可得3～14微米探测器。其特性和制造工艺关系很大,为提高性能需测定各工序的影响。本文介绍用Auger 电子光谱计在PbSnTe制成后进行检验。介绍了有关表面处理的数据。     

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研究能否用金属有机化学气相淀积法制作PbSnTe单晶膜。并调成峰值响应为11～12微米,用以制造结型光伏探测器和探测器阵列。     

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红外技术 4001 光伏和光导红外探测器 Photovoltaic and photoconductive ir detectois, D Long, Opt. and infrared detector, 1977, 101-48. 讨论直接的光子探测、光电流、增益、响应率、噪声、探测率等基本参数,然后分别介绍光伏、本征光导、非本征光导探测器的理论和材料工艺。附参考文献70条,图15幅,本文为光学和红外探测器一书的第四章。     

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红外料材 536 远红外半导体的新的研究 Neuere unterschungen an halbleitern im fernen infrarot, K. Lischka, Acta phys. austr. , 1973, 37, 3, 227～244. 评述远红外半导体自由电荷载流子的光、磁效应。讨论了电场对这些效应的影响,同时还测量了n-Ge热电子红外法拉第效应,以确定强电场中导电区最小等效值之差。     

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一、红外技术657电子和电光材料Electronic and optoelectronic materi—als,Moulin,et al.,N73—21674,15p(1973).本文叙迎二元和三元系材料的液相外延。其中,根据PbsnSe 和 PbSnTe 的液-固相图得出了它们的生长条件,似从村底上除去铽化物的问题还没有解决。论证了在 PbTe上进行 Pb、Sn 和 Te 异质外延的可能性。     

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将HgTe等温涂于CdTe衬底上。在300～77°K的温度范围内测量了1～25微米范围内的光电性能、电导率和光电导率,确定淀积和表面薄膜成分及薄膜成分与淀积条件和速度之关系。     

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一、红外技术红外材料 256 长波红外探测用三元化合物半导体的研究 Research on ternary compound,semiconductors for long wavelength infrared detection,M.W.Scott,AD 763 466,49p(1973). 本报告研究三元金刚石类半导体能否用作长波红外探测器材料。研究的料材有A(Ⅱ)B(Ⅳ)C2,A2(Ⅰ)B(Ⅳ)C3(Ⅵ)和A3(Ⅰ)B(Ⅴ)C4(Ⅵ)     

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激光技术固体激光 214 苏联激光器发展资料线索 Bibliography of Soviet laser developments, Stuart G. Hibben, AD-748 258. 本报告收集了苏联公开发表的有关激光的资料。内容有固体激光器、气体激光器、液体激光器、化学激光器、紫外激光器、元件、非线性光学、激光材料光谱学、超短脉冲的产生、晶体生长、一般     

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一、红外技术 红外材料6058~14.米Hgcd了.的妞合机. Reeo口bination meehanisms ins一14卜 H‘CdTe,M.A.Kioeh,M.J.Brau,et al·,J· APpl.P五ys.,April 4 1973,Vol.44,NO.4- PP.1649-63. 在65~3OO.K的温度范围内对组分为0.195相似文献   

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自然界中存在的或实验室内合成的种类繁多的化合物均能按磷灰石结构结晶。作者研究了许多磷灰石并发现它们是钕和钬的优良激光基质。本文中介绍的磷灰石采用引上法生长,在钕和钬的抽运及发射光谱范围内具有低的光损耗并且已经研制出容易接收掺杂离子浓度高的基质。本文介绍了这一族新型激光材料的晶体生长、物理性能、光谱学和激光性能。     

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一、红外器件 601 Ⅳ-Ⅵ化合物与合金的水平非密封汽相生长 Horizontal unsealed vapor growth of Ⅳ-Ⅵ compounds and alloys, Th. C. Harman, J. P. McVittie, AD. A006315, 13p(1975)。用不密封的水平闭管法生长了各种铅盐类化合物与合金的优质大晶体。用实验方法确定了最佳生长条件,检验了晶体的完整性以及电性能。     

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激光技术材料。01雄铁族离子YAG晶体中。一‘中心的形成 O一1 eentre formation in YAG erystal doPed w ith iron grot!P ions,J三ri KvaPil et al.;Krista]l und Teehnik,1075,vol.10,恤5,Pp.529一635. 本文讨论T渗丁i,V.Ct,Mn,Fe,Co,Ni及 Mg或Be的YAG晶体颜色的变化。对在氢、氧和氛 气氛中退火样品以及紫外照射样品进行了比较。YAG 晶体的黄褐色对O一’中心形成有影响,在400毫微米附 近引起吸收增加。〕02用各种材料作为激光激活苍质的评价 Prospeetive eval日ation of the use of various materials as matriees for aeti…     

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用引上法生长Ba_2LiNb_5O_(15)单晶,它可用在光学数据贮存系统中Nd:YAG激光的倍频。并且测量了晶体透射率,相位匹配数据,非线性光学系数和光学损伤。190 HO:YLF激光材料本计划研制多敏化Ho:YLF作为Q开关激光材料。这是唯一工作在2微米的室温激光器材料。这种晶体用一种引上法改进的顶籽晶溶液技术生长。