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碳纳米管具有较大的比表面积,对气体有良好的吸附能力,在气敏传感器中有巨大的应用潜力。文章从碳纳米管的结构对其进行分类,重点对碳纳米管在气敏传感器中的应用进行了评述,并对碳纳米管在不同衬底上制备的气敏传感器进行描述,总结了碳纳米管气敏传感器的发展现状,最后概况了碳纳米管气敏传感器的发展趋势。 相似文献
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本文初步探讨了FET型气敏传感器的敏感机理,采用N阱双极MOS兼容工艺,将CO,H_2气敏单元,择优差分型气敏单元、加热单元、温敏单元单片集成,制作了可调高温的具有高稳定输出的芯片自恒温系统,研制出具有良好的选择性和稳定性,较高灵敏度的集成MOS气敏传感器. 相似文献
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为了有效提高酒精传感器的探测灵敏度,通过热蒸发SnO2和活性炭的混合粉末的自组装方式直接在Cd-Au梳状交叉电极上制备了一层SnO2纳米棒气敏层,从而构成了SnO2纳米棒气敏传感器,经测试,此传感器对于超低浓度范围(2×10-6~10×10-6)的酒精具有0.83~1.33的高探测灵敏度.继而从气敏机制、自组装制备方式、SnO2纳米棒的比表面特性及SnO2纳米棒的尺度(低于得拜长度)等角度解释此传感器对超低浓度酒精具有高气敏特性的原因. 相似文献
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自组装型SnO2纳米线超低浓度H2传感器的研制 总被引:1,自引:1,他引:0
采用FESEM及气敏传感器测试系统,研究了用自组装方式制备的SnO2纳米线气敏传感器的氢敏特性。结果表明:在工作温度为200℃时,对于超低浓度[(2~8)×10–6]的氢气具有0.58~1.00的探测灵敏度及3 s的响应时间和10 s的恢复时间。继而从气敏机制、自组装制备方式、SnO2纳米线的优良的比表面特性及其尺度(30~40 nm)低于德拜长度(43 nm)等角度,解释了此传感器对超低浓度氢气具有良好气敏特性的原因。 相似文献
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为了有效提高酒精传感器的探测灵敏度,通过热蒸发SnO2和活性炭的混合粉末的自组装方式直接在Cd-Au梳状交叉电极上制备了一层SnO2纳米棒气敏层,从而构成了SnO2纳米棒气敏传感器,经测试,此传感器对于超低浓度范围(2×10^-6~10×10^-6)的酒精具有0.83~1.33的高探测灵敏度。继而从气敏机制、自组装制备方式、SnO2纳米棒的比表面特性及SnO2纳米棒的尺度(低于得拜长度)等角度解释此传感器对超低浓度酒精具有高气敏特性的原因。 相似文献
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本文综述了集成气体传感器的发展过程的工作机理,讨论了Schottky气敏二极管、MOS气敏二极管、MOS气敏场效应厚膜集成气体传感器和集成气体传感器阵列。 相似文献
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为了能够对低浓度的CH4进行灵敏探测以减少煤矿生产过程中瓦斯爆炸的概率,通过热蒸发SnO2和活性炭混合粉末的自组装制备方式直接在Cr-Au梳状交叉电极上合成了一层SnO2纳米棒气敏层,从而研制出自组装型SnO2纳米棒气敏传感器.经测试,发现此传感器对于浓度为10×10-6~500×10-6的CH4具有非常好的探测灵敏度,继而从气敏机制、自组装制备方式、SnO2纳米棒的比表面特性及SnO2纳米棒的尺度低于德拜长度等角度解释此传感器对CH4具有高气敏性的原因. 相似文献
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一种提高气敏元件热稳定性的优化设计 总被引:3,自引:0,他引:3
本文提出一种新的具有较好热稳定性的气敏元件结构。在这种结构里,气敏元件的输出无需外接取样电阻即可获得。文中对现有气敏元件和新型结构气敏元件的热稳定性作了理论分析和实验对比。本设计也适用于其它类型半导体气敏元件。 相似文献
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阐述了电子鼻的结构,并根据传感器阵列响应信号特性,推导出气体传感器阵列的响应矩阵及其对混合气体的响应;论述了前馈神经网络在电子鼻中的应用原理。最后,利用自制的实验装置对所建立的电子鼻进行性能测试。实验结果证明气体传感器阵列和神经网络模式识别技术所组成的电子鼻完全可以完成对混合气体浓度的识别。 相似文献
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MQS1型一氧化碳气敏元件 总被引:5,自引:0,他引:5
氧空位与材料的气敏特性有着密切的关系,气敏材料的电导率由氧空位的形成和氧化过程共同决定,氧空位浓度越大,气敏效应越明显。根据氧化锡的这一气敏机理,以99.99%的锡为原料,掺入合适的添加剂,制成了MQS1型一氧化碳气敏元件。它的灵敏度高、选择性好、响应恢复快、受温度和湿度的影响小。 相似文献
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油气水井监控系统适用于抽油机井、螺杆泵井、电泵井、自喷井、气举井、注水井,该系统通过安装在个测量点上的压力传感器、温度传感器、示功终端、电参数模块、流量计、现场音频视频设备等采集到各参数,可以自动分析动液面来智能调节抽油机的冲次,从而使泵处于最佳沉没度.现场的所有传感器都是无线的,现场不需布线,载荷传感器通过测量加速度来获取位移. 相似文献
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M. I. Makoviychuk 《Russian Microelectronics》2008,37(4):226-237
The solution proposed relates to flicker-noise gas sensors under development, which differ from conventional chemical sensors in offering exceptional selectivity for the analysis of a gaseous environment. The classification and analytical justification are given of low-frequency-noise spectroscopy techniques and measures that are proposed for investigation of disordered semiconductors. The feasibility is shown of patterning processes for flicker-noise gas sensors. Some methods are proposed for these processes and for measurement procedures of gaseous-environment monitoring. 相似文献